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[发明专利]高光产额钨酸铅（PbWO4）闪烁晶体的生长方法-CN201510569092.X有效
发明人：张志军;冯鹤;徐展;王红;胡关钦;赵景泰 -专利权人：上海大学
申请日： 2015-09-09 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高光产额的钨酸铅闪烁晶体的生长方法。利用该方法制备的高光产额钨酸铅闪烁晶体，在X‑射线激发下，其光产额可达到下降法生长的钨酸铅晶体的20倍，其发光峰位为465‑495 nm，较下降法得到生长的钨酸铅晶体略有红移。该高光产额钨酸铅闪烁晶体大大拓宽了钨酸铅晶体的应用领域，解决了现有技术中存在的钨酸铅晶体因光产额低而不能得到广泛应用，及掺杂改性和工艺优化仍不能实现高光产额输出的难题。
高光产额钨酸铅 pbwo sub 闪烁晶体生长方法

[发明专利]异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法-CN200610148126.9有效
发明人：严东生;谢建军;袁晖;廖晶莹;沈炳孚;童乃柱;邵培发;叶崇志;熊巍;李培俊;吴泓澍;展宗贵;陈良;朱翔宇 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2006-12-27 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明涉及异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法，属于晶体生长领域。在此基础上引入Mo⁶⁺，V⁵⁺，Nb⁵⁺，Zr⁴⁺和Ti⁴⁺等高价离子协同掺杂来提高钨酸铅晶体的光产额，掺杂量分别为100～8000ppm(at％)、100～5000ppm(at％)和0～10000ppm(at％)，制备方法上利用改进的坩埚下降法来生长具有相对较快衰减，光产额明显提高的阴阳异价离子协同掺杂的钨酸铅单晶本发明可以同时生长多根高光产额PWO晶体，适于批量生产。
离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法

[发明专利]一种高光产额、超快闪烁衰减、低成本Cs3-CN202310578617.0在审
发明人：陶绪堂;姚倩;李雪松 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C22B9/05 文献下载
摘要：本发明提供一种高光产额、超快闪烁衰减、低成本Cs3Cu2I5:Mn单晶闪烁体及其制备与应用本发明闪烁体中Mn2+的掺杂浓度为ppm级；所得单晶闪烁体具有超高光产额、优异能量分辨率和超快闪烁衰减等闪烁性能，且单晶尺寸大，成本较低；在137Csγ射线辐照下，该单晶具有95772photons/MeV的超高光产额和3.79％的出色能量分辨率，以及3.4ns(81.5％)的超快闪烁衰减时间。
一种高光产额闪烁衰减低成本 cs base sub

[发明专利]闪烁晶体阵列光产额、余辉、一致性测试系统及方法-CN202211440982.7在审
发明人：王强;丁雨憧;张泽涛;屈菁菁;王明皓;万前银;胡吉海;刘军;李金;甘禹;石自彬;徐扬 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪烁晶体阵列光产额、余辉、一致性测试系统及方法，本测试系统将X射线源发射的X射线通过X射线准直器进入待测闪烁晶体阵列发出闪烁光，闪烁光进入光电二极管阵列探测器，通过数据读出系统和数据采集系统到达控制系统，进入上位机，在X射线照射稳定的情况下通过测试计算每个像素的光输出数据获得待测闪烁晶体阵列的光产额和一致性，X射线挡块在滑轨上快速滑动将X射线准直器的狭缝挡住，实现X射线快速斩断，斩断时间≤1ms，测试斩断后的光输出值随时间变化的情况本发明在有效提高短余辉闪烁晶体阵列余辉的准确性时，同时实现了闪烁晶体阵列光产额、余辉、一致性同时测试。
闪烁晶体阵列光产额余辉一致性测试系统方法

[发明专利]嵌有ZnO:Ga微晶相的硼酸盐闪烁玻璃及其制备方法和应用-CN202211203003.6在审
发明人：马云峰;吴金成;郭超 -专利权人：苏州晶彻烁峰科技有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C03C10/02 文献下载
摘要：本发明的闪烁微晶玻璃在X射线激发下，光产额为1543～1694ph./MeV。其中Li2B4O7‑50at％ZnO:Ga的光产额最高，是BGO晶体的21％，解决了ZnO:Ga晶体存在的严重自吸收问题，光产额高于ZnO:Ga晶体。
zno ga 微晶相硼酸盐闪烁玻璃及其制备方法应用

[发明专利]阴阳离子同时双掺杂的高光产额钨酸铅晶体及其生长方法-CN200510029744.7有效
发明人：严东生;殷之文;廖晶莹;沈炳孚;童乃志;邵培发;袁晖;谢建军;叶崇志;周乐萍;李培俊;吴泓澍;杨培志;倪海洪;刘光煜 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2005-09-16 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用改进的坩埚下降法生长阴阳离子同时双掺杂的高光产额快衰减钨酸铅闪烁晶体的制备方法，属于晶体生长领域。使用本发明提供的工艺技术可克服阴阳离子双掺杂PWO晶体生长过程中原料及掺杂剂挥发的问题，生长出光产额达到BGO晶体的7.3％的阴阳离子双掺杂PWO晶体。用本发明可以同时生长2根、6根或28根高光产额钨酸铅晶体，适于大批量生产。
阴阳离子同时掺杂高光产额钨酸铅晶体及其生长方法

[发明专利]一种提升碳氧比测井灵敏度的碳氧比值计算方法-CN202310696332.7在审
发明人：张泉滢;邢广俊;宋红伟;李宁超;刘国斌 -专利权人：长江大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： E21B49/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升碳氧比测井灵敏度的碳氧比值计算方法，涉及石油开发技术领域，包括：建立模型，获取纯岩性骨架的非弹伽马能谱；解谱并确定纯岩性骨架中岩性指示元素与碳元素、氧元素产额的相对比例；获取实测地层岩性指示元素、碳元素、氧元素产额；从实测地层总的碳氧产额中扣除部分骨架的碳元素产额、氧元素产额；计算实测地层剩余碳氧比。本发明利用数值模拟方法分别建立纯砂岩和纯石灰岩骨架中硅、钙元素产额与骨架中碳、氧元素产额的比例关系；基于实测地层硅、钙元素产额，利用纯骨架中硅、钙元素与碳、氧元素产额的比例关系，从实测地层总的碳、氧产额中扣除部分骨架碳、氧元素产额，进而提升碳氧产额比值法对地层流体的响应灵敏度。
一种提升测井灵敏度比值计算方法

[发明专利]用于随钻中子孔隙度测量的中子产额控制方法及装置-CN201610284190.3有效
发明人：贾衡天;盛利民;艾维平;曹冲;王刚;李万军;周海秋;彭浩;吕海川 -专利权人：中国石油集团钻井工程技术研究院
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： E21B47/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于随钻中子孔隙度测量的中子产额控制方法，包括以下步骤：步骤1、通过热中子监测器测量当前中子产额；步骤2、如果当前中子产额与之前中子产额的差值超过第一阈值，根据当前中子产额与之前中子产额的差值、以及预期中子产额，计算出所需的中子产额调整量；步骤3、根据所述中子产额调整量、以及随钻中子发生器和热中子监测器的固有参数，计算出中子发生器的预期供电电压，并由此调整中子发生器的供电电压。本申请的技术方案确保了加速器中子源中子产额的稳定可靠，从而适应了随钻中子孔隙度测量结果的准确真实。
用于中子孔隙测量控制方法装置

[发明专利]基于激光激发的闪烁材料光产额非线性测量方法及系统-CN202010871770.9在审
发明人：魏坤;刘军;徐青;翁秀峰;谭新建;黑东炜;盛亮;李斌康 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于激光激发的闪烁材料光产额非线性测量方法及系统。其原理是通过激光激发闪烁材料发光，通过调节激光脉冲能量以及激发光斑的大小实现表面激发密度的变化，进而得到不同激发密度下闪烁材料光产额的非线性响应特性。
基于激光激发闪烁材料光产额非线性测量方法系统

[发明专利]一种高能射线探测用闪烁发光材料及其制备方法与用途-CN202310777784.8在审
发明人：马云峰;吴金成;陈富裕;孙鹏;徐家跃;蒋毅坚 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C09K11/78 文献下载
摘要：在X射线激发下，得到的材料样品光产额在24851～36273ph./MeV之间，当x＝0.005时，光产额最高，为36273ph.光产额的大幅提高和X射线激发发射峰的红移非常有利于在X射线检测领域的应用。
一种高能射线探测闪烁发光材料及其制备方法用途

[发明专利]一种资产额度价值评定系统-CN202210390256.2在审
发明人：徐新明;刘中原;黄金恺;施林坚;梁波;柴梅芳 -专利权人：杭州金线连科技有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G06Q30/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种资产额度价值评定系统，系统包括：获取模块，用于接收资产额度价值评定指令，获取平台活跃程度信息；计算模块，用于基于平台活跃程度信息计算资产额度的当前单位价值信息；确定模块，用于确定用户的资产额度总额信息，基于资产额度总额信息与当前单位价值信息生成第一账户资产额度价值评定信息，展示所述第一账户资产额度价值评定信息。本发明实现了综合考虑购物域覆盖率、平台活跃率、平台商品流动率三维数据来计算确定当前单位价值信息，并以此生成与用户的资产额度相匹配的价值评定信息，辅助用户决策出资产额度的使用场景，使得用户能够充分利用账户资源
一种资产额度价值评定系统

[发明专利]一种用于地层元素测井的元素产额计算方法-CN201811093260.2有效
发明人：刘军涛;张锋;刘树才;苗彬 -专利权人：兰州大学
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G06F17/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于地层元素测井的元素产额计算方法，发明的元素产额计算方法主要包括以下几个步骤：(1)首先自动选定一种元素种类组合。(2)然后利用奇异值分解方法计算对应元素产额初值y(0)，当计算得到的某种元素产额为负值时，赋值为0.001。(3)令k＝0，利用极大似然的约束迭代方法计算得到元素产额y(k+1)，令k＝k+1。(6)选择对应AIC/BIC最小值的元素产额为最终元素产额。该发明方法与常用的加权最小二乘元素产额计算方法相比较，降低了噪音干扰及和测量自身统计波动对元素产额计算准确度的影响，提高了元素产额计算精度；并且能够实现元素种类的自动确定。
一种用于地层元素测井计算方法

[发明专利]一种紫外光增强氧化的氧化石墨烯制备方法-CN201910353800.4有效
发明人：饶海波;彭俊;吴志琪;郭子悦;陈继伟 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C01B32/198 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外光增强氧化的氧化石墨烯制备方法，其方法如下：首先在利用石墨氧化生成氧化石墨烯的反应装置中(可以是强酸氧化的化学反应法，或称化学剥离法，以及电化学反应法)，引入紫外光，通过紫外光照，激发石墨或者反应过程中已生成的石墨烯中碳原子的轨道电子，增加其活性，从而提升被氧化程度，增加氧化产额，获得所需的氧化石墨烯材料。本发明在于通过引入紫外光的能量来增强石墨中碳原子的氧化反应，从而加速氧化过程，增加氧化程度，获得氧化石墨烯产额的提升，这在氧化石墨烯的化学、电化学制备方案改进及相关生产应用中具有重要的价值和意义。
一种紫外光增强氧化石墨制备方法

[发明专利]一种快速确定规则槽二次电子产额的方法-CN201510633084.7有效
发明人：张娜;崔万照;王瑞;胡天存;李韵 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：一种快速确定规则槽二次电子产额的方法，本发明将表面形貌对二次电子产额的影响划分成两个方面，一方面通过入射电子与表面作用的角度和入射电子能够照射的区域来影响产额大小，另一方面通过建立照射区域内形貌结构特征对出射电子的遮挡关系来反应产额的影响，最终通过与光滑表面产额的比拟快速获得表面形貌下的二次电子产额。本发明计算速度快，获得的二次电子发射产额与实验结果相吻合，可以定量的揭示出形貌特征对二次电子产额的影响规律，为加速器、高功率微波源的介质窗、大功率微波部件等领域中人工设计并调控特定二次电子产额下表面结构参数提供了有效方法
一种快速确定规则二次电子方法

[发明专利]切伦可夫荧光激发的扫描光片断层成像方法-CN201711358717.3有效
发明人：冯金超;张娜;贾克斌;李哲;孙中华 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-12-17 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G06T11/00 文献下载
摘要：本发明公开了切伦可夫荧光激发的扫描光片断层成像方法，属于医学图像处理领域。该方法利用在生物体表高灵敏度探测器获取的荧光图像来重建荧光量子产额的分布。该方法包括两个过程，一是通过直线加速器产生X射线光片扫描生物体产生切伦可夫辐射并作为内部激发光源激发荧光团，即激发过程；二是激发出的荧光穿透生物组织到达生物体表后利用外在的高灵敏度探测器获取荧光信号，即发射过程，本方法可以准确地对荧光产额进行重建。
切伦可夫荧光激发扫描断层成像方法

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