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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]子像素结构及其修补方法、显示面板及显示装置-CN201510524992.2有效
发明人：辛龙宝 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-08-25 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种子像素结构及其修补方法、显示面板及显示装置，该子像素结构包括第一子像素区域和第二子像素区域，以及连接区域；所述子像素中用于实现显示控制的电极，在所述连接区域，通过过孔，与所述TFT的源漏电极连接，以便在像素修补时，通过切割过孔内的电极材料，以使所述电极与源漏电极处于断路。上述优化设计的子像素结构，可有利用提高显示面板修补成功率，提高显示面板的良品率。
像素结构及其修补方法显示面板显示装置

[发明专利]一种阵列基板、显示面板及显示装置-CN201610591610.2在审
发明人：顾可可;刘信;齐智坚;侯宇松 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请日： 2016-07-25 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：该阵列基板包括：衬底基板；在所述衬底基板上呈矩阵分布的多个像素电极；每行所述像素电极设置有一条对应的公共电极引线，所述公共电极引线与所在行的各所述像素电极的边缘有重叠区域；多个与各所述像素电极一一对应的开关晶体管；其中，所述开关晶体管的漏极具有用于通过过孔连接所述像素电极的连接部；所述连接部位于所连接的所述像素电极与所述公共电极引线的重叠区域。由于将漏极的连接部设置在公共电极引线与像素电极的重叠区域，这样，就可以减少漏极对像素电极的遮挡，进而提高了像素单元的开口率。
一种阵列显示面板显示装置

[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置-CN201310521750.9无效
发明人：吴洪江;黄常刚;袁剑峰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置，所述阵列基板包括：第一基板及形成于所述第一基板上的公共电极层和公共电极线，所述公共电极层与所述公共电极线连接；其中，所述第一基板包括：像素区域及位于所述像素区域四周的非像素区域，所述公共电极层覆盖所述第一基板的整个像素区域，所述公共电极线位于所述第一基板的非像素区域内。
阵列及其制备方法显示面板显示装置

[发明专利]FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法-CN200910093306.5有效
发明人：金原奭;金馝奭 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2009-09-17 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：阵列基板包括限定了像素区域的栅线和数据线，所述像素区域内形成有薄膜晶体管以及形成边缘电场的公共电极和电极条结构的像素电极，所述公共电极形成在覆盖所述数据线的第二绝缘层上，所述像素电极形成在覆盖所述公共电极的第三绝缘层上本发明通过在覆盖数据线的第二绝缘层上形成公共电极，在覆盖公共电极的第三绝缘层上形成电极条结构的像素电极，使像素电极边缘与数据线边缘之间区域的液晶全部由边缘场开关模式驱动，提高了驱动液晶的效率，使这一区域变成显示区域，最大限度地增加了显示区域的面积，有效提高了开口率。
ffs tft lcd 阵列及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管液晶显示阵列基板及其制造方法-CN201110020246.1有效
发明人：金原奭;金馝奭 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2011-01-18 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：阵列基板包括限定了像素区域的栅线和数据线，所述像素区域内形成有薄膜晶体管以及公共电极和电极条结构的像素电极，所述公共电极形成在覆盖所述数据线的第二绝缘层上，所述像素电极形成在覆盖所述公共电极的第三绝缘层上本发明通过在覆盖数据线的第二绝缘层上形成公共电极，在覆盖公共电极的第三绝缘层上形成电极条结构的像素电极，使像素电极边缘与数据线边缘之间区域的液晶全部有规律的电场驱动，提高了驱动液晶的效率，使这一区域变成显示区域，最大限度地增加了显示区域的面积，有效提高了开口率。
薄膜晶体管液晶显示阵列及其制造方法

[发明专利]显示装置-CN202180056761.7在审
发明人：金晙容;金性勳 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：显示装置包括：显示区域，包括具有发光区域的子像素的像素布置在显示区域中；非显示区域，用于包围显示区域；电极，从显示区域在一个方向上延伸，并且布置成在子像素内彼此间隔开；发光元件，在发光区域内布置电极上；以及接触电极，与发光元件中的任一个和电极接触，其中，像素包括布置在显示区域中的第一类型像素和布置在显示区域的最外侧部分处的第二类型像素，并且第一类型像素的发光区域中每面积的发光元件的数量不同于第二类型像素的区域中每面积的发光元件的数量
显示装置

[发明专利]液晶显示装置及电子设备-CN201980024431.2在审
发明人：冈崎刚史 -专利权人：索尼公司
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：一种液晶显示装置包括：多个像素，每个像素具有第一电极、面向第一电极的第二电极以及在第二电极与第一电极之间的液晶层；第一区域，被提供给多个像素中的每个像素，并且具有在第一电极与第二电极之间的第一光学路径长度；以及第二区域，被提供给多个像素中的每个像素，并且具有在第一电极与第二电极之间的第二光学路径长度，该第二光学路径长度短于第一光学路径长度，并且第二区域设置有厚度与第一区域的液晶层相同的液晶层；以及光学路径长度调整层，设置在第一区域中的液晶层与第一电极之间，并且嵌入在第二区域中的第一电极与第一区域中的第一电极之间的阶梯部中。
液晶显示装置电子设备

[发明专利]显示设备及制造显示设备的方法-CN202010541486.5在审
发明人：文英慜;金桢国;黄圭焕 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该显示设备包括：基板，包括第一显示区域和第二显示区域，第二显示区域包括透射区域；第一对电极，在基板上方彼此间隔开；以及在基板上方的第二对电极，包括与第一对电极重叠的重叠部分，第二对电极彼此间隔开，其中连接对电极与透射区域交替布置，在连接对电极中，第一对电极和第二对电极在第二显示区域中通过重叠部分连接，第一对电极中的每一个被布置为与包括多个子像素的第一像素区域对应，并且第二对电极中的每一个被布置为与邻近第一像素区域并包括多个子像素的第二像素区域对应
显示设备制造方法

[发明专利]液晶显示装置-CN200810129451.X有效
发明人：足立昌哉;武田新太郎 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2008-07-31 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明提供一种可以对应于各种像素尺寸的使用了各向同性液晶的液晶显示装置，具备第1透明基板(110)和第2透明基板(111)、夹在这些基板之间的各向同性液晶层(200)，在第2透明基板(111)上，具有像素电极(190)和公共电极(130、170)，在一个像素内具备反射区域(RA)和透射区域(TA)。在反射区域(RA)中，将像素电极(190)形成为梳齿状，隔着绝缘层(180)将公共电极(130)形成为面状。在透射区域(TA)中，在相同层中将像素电极(190)和公共电极(170)形成为梳齿状。对于通过像素电极(190)与公共电极(130、170)之间的电压差而形成在液晶层(200)中的电场，反射区域(RA)的电场小于透射区域(TA)的电场。
液晶显示装置

[发明专利]TFT阵列基板结构-CN201410271512.1在审
发明人：吴川;罗时勋 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明提供一种TFT阵列基板结构，包括对应黑色矩阵(2)设置的数个子像素(4)，所述每一子像素(4)包括对应黑色矩阵(2)设置的主区域(42)与次区域(44)，在子像素之间设有数据线(6)，在主区域(42)与次区域(44)之间设有栅极扫描线(8)，在两个子像素(4)之间设有像素电极主干(10)，在该两个子像素(4)的主区域(42)与次区域(44)上分别设置像素电极分支(12)，像素电极分支(12)分别电性连接像素电极主干(10)；该TFT阵列基板结构在液晶显示面板弯曲过程中发生相对位移时，像素电极主干(10)仍处于黑色矩阵覆盖的区域内，对电场的影响极小，能有效提升电学特性，避免产生暗纹，从而提升了液晶显示面板的品质。
tft 阵列板结

[发明专利]显示装置-CN200780027510.6有效
发明人：西田贤治 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2007-03-28 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明涉及显示装置，其能够不设置多间隙构造地以反射显示和透过显示两者进行明亮的显示，并且能够减少在反射区域和透过区域在响应时间上产生差异。本发明的显示装置包括一对基板和夹持在所述基板之间的显示介质，并且在像素内形成有进行反射显示的反射区域和进行透过显示的透过区域，所述显示装置在一个基板上具备像素电极和共用电极，通过所述像素电极和所述共用电极向显示介质施加电压，所述像素电极和所述共用电极设置有狭缝，设置所述狭缝的位置，在像素电极是反射区域和透过区域，在共用电极是反射区域。
显示装置

[发明专利]显示面板及触控显示装置-CN202110100850.9有效
发明人：刘旭阳;梁超 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本申请提供了一种显示面板，显示面板包括显示区域以及位于显示区域一侧的扇出区域，显示区域和扇出区域均包括：阵列基底，包括像素电路；触控走线层，包括从显示区域延伸到扇出区域的触控走线；平坦化层；第一电极层，包括位于显示区域中的像素电极和位于扇出区域中的连接线；像素限定层；第二电极层，包括位于显示区域中的阴电极和触控电极以及位于扇出区域中的桥接线，其中，触控电极与触控走线连接，触控走线延伸到扇出区域中，并通过桥接线与连接线连接，其中，连接线和像素电极位于同一层中，并且与像素电极均由Ag和ITO形成。
显示面板显示装置

[发明专利]一种阵列基板及显示装置-CN202210285609.2在审
发明人：陈梦岚;周莉梅;凌安恺;沈柏平 -专利权人：厦门天马微电子有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种阵列基板及显示装置，所述阵列基板包括第一绝缘层、走线层、像素电极层，走线层位于第一绝缘层和像素电极层之间；多条走线和多个像素电极，其中走线位于走线层，像素电极位于像素电极层；在垂直阵列基板的方向上，像素电极与走线的投影具有交叠区域，第一绝缘层具有凹槽，且凹槽的投影至少覆盖交叠区域的投影。此设计使像素电极能沉积在较平坦的膜层上，避免像素电极在与走线交叠区域发生膜层断裂，避免显示不良的发生。
一种阵列显示装置

[发明专利]显示装置-CN202210136605.8在审
发明人：赵准永;李海衍;印闰京;车眩枝 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供了显示装置，所述显示装置包括：基底，包括组件区域和主显示区域，组件区域包括子显示区域和透射区域；主像素电极，设置在主显示区域中，并且彼此间隔开；子像素电极，设置在子显示区域中，并且彼此间隔开；像素限定层，覆盖主像素电极中的每个的边缘和子像素电极中的每个的边缘，并且在与透射区域对应的区域中包括透射孔；主间隔件，在主显示区域中设置在像素限定层上；以及子间隔件，在组件区域中设置在像素限定层上，其中，在平面图中每单位面积的子间隔件的数量等于每单位面积的主间隔件的数量
显示装置

[发明专利]显示衬底、显示面板和显示装置-CN201110386135.2有效
发明人：李圣俊;朴镇午;田武経;张龙圭;李东勋;金治宇 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-11-22 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：显示衬底包括绝缘衬底、第一栅极线、第一下部电极、第二下部电极、第一上部电极和第二上部电极。绝缘衬底包括第一像素区域和第二像素区域，该第二像素区域位于始于第一像素区域的第一方向上。第一下部电极和第二下部电极分别位于第一像素区域和第二像素区域中。第一上部电极在第一像素区域中与第一下部电极交叠，而且包括在不同于第一方向和第二方向的第三方向上延伸的第一狭缝图案。第二上部电极在第二像素区域中与第二下部电极交叠，而且包括在不同于第一至第三方向的第四方向上延伸的第二狭缝图案。
显示衬底面板显示装置

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