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[发明专利]一种平衡微带线过渡的半模双脊基片集成波导-CN201210187099.1有效
发明人：林澍;张兴起;张馨月;王立娜;蔡润南;马泽众;田雨;陆加 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01P3/00 文献下载
摘要：一种平衡微带线过渡的半模双脊基片集成波导，它涉及一种基片集成脊波导，具体涉及一种平衡微带线过渡的半模双脊基片集成波导，以解决现有介质集成波导尺寸较大及单模工作带宽较窄的问题，它包括上层介质基片、中层介质基片、下层介质基片、上金属贴片、下金属贴片、上金属带条、下金属带条和四个平衡微带线；上金属贴片附着在上层介质基片的上表面上，下金属贴片附着在下层介质基片的下表面上；中层介质基片的上表面上附着有上金属带条，中层介质基片的下表面上附着有下金属带条，中层介质基片的上表面上设置的上金属带条的两端和中层介质基片的下表面上设置的下金属带条的两端各连接有一个平衡微带线，本发明用于无线电领域中。
一种平衡微带过渡半模双脊基片集成波导

[实用新型]一种天线结构及传感器-CN202123036116.5有效
发明人：李霞;李敏 -专利权人：深圳市易探科技有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本申请提供了一种天线结构及传感器，天线结构包括：第一介质基片，所述第一介质基片的表面设有辐射金属贴片；第二介质基片，所述第二介质基片的表面设有接地金属片；若干个第三介质基片叠层形成的中间介质基片，所述中间介质基片位于所述第一介质基片和所述第二介质基片之间；所述中间介质基片上设有挖空部；所述第一介质基片、所述第二介质基片以及所述第三介质基片的材料的等级相同。
一种天线结构传感器

[发明专利]一种复合基片式微带环行器-CN201710999154.X有效
发明人：张楠;王立强 -专利权人：北京无线电测量研究所
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01P1/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合基片式微带环行器，包括铁氧体基片和介质基片组成的铁氧体‑介质基片；所述介质基片上设置有通孔；所述铁氧体基片固定在介质基片上的通孔中；所述铁氧体‑介质基片的上下表面都镀覆有金属层，其中上表面设置有微带电路，下表面设置有连续的金属层；所述微带电路中的环行结区微带电路设置于铁氧体基片上；所述微带电路中的匹配微带电路设置于介质基片上；所述微带电路的上方设置有陶瓷垫片和永磁体；所述铁氧体‑介质基片被固定于金属底座上本发明的复合基片式微带环行器，相比于传统的全铁氧体基片式微带环行器，具有体积小和损耗低的优势，适用于表面贴装和高度集成化的微波电路中。
一种复合式微环行器

[发明专利]垂直基片集成波导及包括该波导的垂直连接结构-CN201610514786.8有效
发明人：李雨键;王均宏;陈美娥;张展;李铮 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01P3/02 文献下载
摘要：本发明公开垂直基片集成波导及包括该波导的垂直连接结构，包括，介质基片以及附着于所述介质基片上下表面的金属层；其中，所述介质基片上下表面平行，所述介质基片内设有多个垂直于介质基片的金属化通孔，所述上下表面金属层覆盖所述金属化通孔，并刻蚀有相同且上下对应的孔缝结构，所述金属化通孔沿所述孔缝结构围成闭合结构，所述垂直基片集成波导可实现电磁能量在多层介质基片内的垂直传输。
垂直集成波导包括连接结构

[发明专利]用于处理基片的基片表面的方法和装置-CN201080057916.0有效
发明人： C.施密德 -专利权人：吉布尔·施密德有限责任公司
申请日： 2010-07-28 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：在利用过程介质在基片下侧面上处理平坦的基片的基片表面的方法中，所述过程介质对基片表面具有一种剥蚀的或者说腐蚀的作用。所述基片水平放置地从下面利用所述过程介质润湿。向上指向的基片上侧面利用水或者相应的保护液体大面积地或者说全表面地润湿或者覆盖，从而起到保护作用防止所述过程介质作用到所述基片上侧面上。
用于处理表面方法装置

[发明专利]用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉-CN200510090643.0无效
发明人：李宝霞;张靖;杨华;王圩 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-08-18 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：一种用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉，其中包括：一电介质热沉基片；一微波传输线，该微波传输线制作在电介质热沉基片的上表面的一侧，该微波传输线在电介质热沉基片的上表面形成三个端点；一薄膜电阻，该薄膜电阻制作在电介质热沉基片的上表面，形成在微波传输线的端点的尾端；多条金属电极，该多条金属电极制作在电介质热沉基片的上表面的另一侧；一地电极，该地电极制作在电介质热沉基片的下表面，且将电介质热沉基片的下表面覆盖。
用于吸收调制半导体激光器高频封装

[发明专利]一种毫米波宽频段基片集成混合介质谐振器天线-CN202211601971.2在审
发明人：杨汶汶;张杰迩;张勤芳;陈建新 -专利权人：南通大学
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开一种毫米波宽频段基片集成混合介质谐振器天线，包括：由上到下依次层叠设置的高介电常数的第一介质基片、低介电常数的第二介质基片及低介电常数的第三介质基片；其中第一介质基片与第二介质基片通过第一粘接片粘接；第二介质基片与第三介质基片通过第二粘接片粘接；第二介质基片的上表面中央印刷有金属环贴片；第三介质基片的上表面设置有金属地平面，金属地平面上刻蚀有馈电缝隙；第三介质基片的下表面设置有微带线；其中第一介质基片与第二介质基片组成介质谐振器以提供第一谐振模式及第四谐振模式
一种毫米波宽频段基片集成混合介质谐振器天线

[发明专利]一种平衡微带线过渡的全模双脊基片集成波导-CN201210284348.9有效
发明人：林澍;田雨;陆加;刘曦;马欣茹;赵志华;王力卓;王立娜 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2012-08-06 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01P3/18 文献下载
摘要：一种平衡微带线过渡的全模双脊基片集成波导，它一种全模双脊基片集成波导，具体涉及一种平衡微带线过渡的全模双脊基片集成波导。本发明为了解决现有介质集成波导单模工作带宽较窄的问题。本发明的中层介质基片的上表面和下表面分别各贴有一个金属带条，上层介质基片、中层介质基片、下层介质基片由上至下依次叠加设置，且中层介质基片的两个端部外露，中层介质基片两个端部的上表面与下表面分别各贴装一个平衡微带线，每个第二上金属化过孔和第三上金属化过孔分别与上金属贴片和中层介质基片上表面上的金属带条连接形成上脊，每个第二下金属化过孔和第三下金属化过孔分别与下金属贴片和中层介质基片下表面上的金属带条连接形成下脊。
一种平衡微带过渡全模双脊基片集成波导

[发明专利]一种旋磁嵌入式微带环行器-CN202110949992.2在审
发明人：张楠;刘振祥;余杰 -专利权人：北京无线电测量研究所
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01P1/387 文献下载
摘要：本发明的一个实施例公开了一种旋磁嵌入式微带环行器，包括：合金底板、旋磁基片、第一介质基板、第二介质基板、陶瓷垫片和永磁体；所述第二介质基板上设置有贯穿其上下表面的通孔，所述旋磁基片内嵌于第二介质基板的通孔中；所述旋磁基片的下表面和第二介质基板的下表面都固定于合金底板的上表面；第二介质基板的上表面与第一介质基板的下表面粘接；第一介质基板的上表面设置有微带电路图案；第二介质基板及旋磁基片的下表面设置有连续的金属膜本发明通过将介质基片分层，把微带电路置于上层介质基片表面，不需要通过复杂的异质材料集成工艺即可有效的解决旋磁基片与介质基片分离后过渡处微带电路不连续的问题，实现了微波信号的连续传输。
一种嵌入式微带环行器

[发明专利]微带贴片天线以及无线设备-CN202111275469.2在审
发明人：程晓东 -专利权人：歌尔科技有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本发明涉及天线技术领域，具体公开了一种微带贴片天线及无线设备，包括：介质基片，具有相对设置的第一表面以及第二表面；辐射贴片，设置在所述介质基片的第一表面，并沿所述介质基片的纵向轴线对称设置；馈电线，设置在所述第一表面，所述馈电线的一端连接所述辐射贴片，另一端沿所述介质基片的长度方向向所述介质基片的下边缘延伸，所述馈电线沿介质基片的纵向轴线非对称设置；接地板，设置在所述介质基片的第二表面靠近所述馈电线的一端。本申请的馈电线沿介质基片的纵向轴线非对称设置，扩展了天线的工作带宽，并将每个辐射贴片的辐射臂配置为具有弧形枝节，不仅增加了辐射臂臂长，而且有助于阻抗匹配，增加带宽。
微带天线以及无线设备

[发明专利]一种电容器的制造方法-CN201710760125.8在审
发明人：黄敏 -专利权人：苏州惠华电子科技有限公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01G4/008 文献下载
摘要：本发明公开了一种电容器的制造方法，对陶瓷介质基片进行清洗，然后干燥；在清洗后的陶瓷介质基片的上下表面溅射一层金属层；采用光刻方法，进行涂胶、前烘、显影和坚膜，在金属化后的陶瓷介质基片上制作出图案；将带有图案的陶瓷介质基片进行电镀、腐蚀和冲洗，使得陶瓷介质基片的上下表面形成多个形状相同的镀金层；从而得到待划切陶瓷电容基片；对待划切陶瓷电容基片进行清洗后，在陶瓷介质基片的下表面的镀金层上电镀一层镍，将陶瓷介质基片的镀镍的表面粘接到玻璃板上；待粘胶剂全固化后，采用划片机对陶瓷介质基片进行划切操作；划切结束后最终可形成最终单片陶瓷电容器。
一种电容器制造方法

[发明专利]绿色基片、等离子显示面板及等离子显示面板的制造方法-CN200610071501.4无效
发明人：金济奭 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2006-03-29 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01J9/00 文献下载
摘要：本发明公开一种绿色基片(green sheet)、使用该绿色基片的等离子显示面板以及制造该等离子显示面板的方法。该制造等离子显示面板的方法包括：在基片上层叠包括介质层和电极图案的绿色基片，以及焙烧该基片。该等离子显示面板包括：基片，在基片上形成的黑色层，在黑色层上形成的电极，以及在电极、黑色层和基片的上表面上形成的介质层。并且，在电极上的介质层、黑色层上的介质层以及基片的上表面上的介质层之中在高度上存在差异。该绿色基片包括：介质层，以及在该介质层形成的导电层。
绿色等离子显示面板制造方法

[发明专利]一种宽带SIW缝隙天线-CN201910674808.0在审
发明人：包晓军;李琳;王育才;刘会涛;刘远曦;辛勇豪 -专利权人：珠海纳睿达科技有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本申请提出一种宽带SIW缝隙天线，包括：介质基片，包括上表面和下表面；上表面金属层，覆盖在所述介质基片的上表面处；下表面金属层，覆盖在所述介质基片的下表面处；金属化通孔阵列，以指定方向排列在所述介质基片上，并贯穿所述介质基片以开设至所述上表面金属层和所述下表面金属层；矩形缝隙，蚀刻在所述上表面金属层上；以及馈电结构，设置在所述介质基片上并连接至同轴线或同轴接头，以接收外部信号并激励所述宽带SIW缝隙天线向外辐射其中，所述金属化通孔阵列、所述上表面金属层和所述下表面金属层构成一段封闭的基片集成波导腔体。所述金属化通孔阵列排列为包围所述矩形缝隙的矩形，并使得与所述矩形缝隙的长边形成夹角。
介质基片上表面金属层金属化通孔阵列下表面金属层缝隙天线矩形缝隙宽带上表面下表面基片集成波导腔体蚀刻方向排列馈电结构同轴接头同轴线长边覆盖包围辐射封闭贯穿外部申请

[实用新型]一种宽带SIW缝隙天线-CN201921186506.0有效
发明人：包晓军;李琳;王育才;刘会涛;刘远曦;辛勇豪 -专利权人：珠海纳睿达科技有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本申请提出一种宽带SIW缝隙天线，包括：介质基片，包括上表面和下表面；上表面金属层，覆盖在所述介质基片的上表面处；下表面金属层，覆盖在所述介质基片的下表面处；金属化通孔阵列，以指定方向排列在所述介质基片上，并贯穿所述介质基片以及所述上表面金属层和所述下表面金属层；矩形缝隙，蚀刻在所述上表面金属层上；以及馈电结构，设置在所述介质基片上并连接至同轴线，以接收外部信号并激励所述宽带SIW缝隙天线向外辐射。其中，所述金属化通孔阵列、所述上表面金属层和所述下表面金属层构成一段封闭的基片集成波导腔体。所述金属化通孔阵列排列为包围所述矩形缝隙的矩形，并使得与所述矩形缝隙的长边形成夹角。
一种宽带 siw 缝隙天线

[发明专利]一种微带贴片天线-CN202011266885.1在审
发明人：陈亚亮;路霞 -专利权人：一汽-大众汽车有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明提供一种微带贴片天线，包括：介质基片；辐射贴片，所述辐射贴片设置在所述介质基片的第一表面；接地板，所述接地板设置在所述介质基片的第一表面，所述接地板与所述辐射贴片之间有间隔；馈电单元，所述馈电单元设置在所述介质基片的第二表面本发明的微带贴片通过设置在介质基片的辐射贴片和接地板，以及设置在介质基片另一侧的馈电单元实现对微带贴片天线阻抗带宽的拓宽。
一种微带天线

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