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[发明专利]莫尔光子晶体的制备方法-CN200610037606.8无效
发明人：顾忠泽;韩水昊;陈海华 -专利权人：东南大学
申请日： 2006-01-04 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：莫尔光子晶体的制备方法是将两个具有相同周期结构的光子晶体互相旋转一定角度后重叠起来，从而构成莫尔光子晶体，具体操作过程有采用蛋白石结构的莫尔光子晶体制备，或反蛋白石结构的莫尔光子晶体制备，或利用微加工工艺进行莫尔光子晶体制备；其中蛋白石结构的莫尔光子晶体制备针对聚苯乙烯、或聚甲基丙烯酸甲酯、或二氧化硅利用自组装方法可以有序排列起来的纳米或微米球，反蛋白石结构的莫尔光子晶体制备针对粉末状介电材料，利用微加工工艺进行莫尔光子晶体制备针对介电薄膜材料利用莫尔效应制备的光子晶体有着非常丰富的结构变化。可以得到多种新结构的光子晶体，从而降低了制备成本，提高了新结构光子晶体的开发和制备效率。
莫尔光子晶体制备方法

[发明专利]晶体制备装置和碳化硅晶体制备方法-CN202210168852.6在审
发明人：乔建东;鲍慧强;王增泽;井琳;刘冬冬;黄立文;杨帅;刘振洲;刘素娟;李宪宾;刘雪梅;叶欣怡;赵然 -专利权人：国宏中宇科技发展有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及晶体制备技术领域，公开了一种晶体制备装置和碳化硅晶体制备方法。其中，所述晶体制备装置包括一端具有开口且内部设有反应腔的反应体、用于打开和关闭所述开口的盖板以及设置在所述反应腔内的碳颗粒沉积区。通过上述技术方案，基于所述碳颗粒沉积区的设置，能够将碳化后的原料阻挡在生长界面之外，同时不影响碳化硅有效气相组分的输运，可以在减少碳包裹物的同时，保证高的晶体生长速率。
晶体制备装置碳化硅方法

[发明专利]一种周期极化KTP晶体制备方法-CN202310300328.4有效
发明人：王东周;宋于坤;桑元华 -专利权人：济南量子技术研究院
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B33/04 文献下载
摘要：本发明提出了一种周期极化KTP晶体制备方法，涉及非线性光学晶体制备技术领域，取KTP晶体测试片，在KTP晶体测试片双面制备电极，在KTP晶体测试片的双面电极上施加脉冲高压，测量实时电流和实时电阻率，在需要极化的KTP晶体正面制备周期性电极，计算出需要极化的面积，在KTP晶体正式片的双面电极上施加极化电压；在每个极化脉冲结束后，判断极化是否完成，通过判断实时的电荷量转移量，对离子电流和极化电流进行分离，获得实时的极化反转进度采用本发明的周期极化KTP晶体制备方法，可以准确地控制极化过程，获得高品质的PPKTP晶体。
一种周期极化 ktp 晶体制备方法

[发明专利]一种氮化铝晶体制备炉及其保温装置-CN201210568237.0有效
发明人：徐永亮;施海斌;张国华 -专利权人：上海昀丰新能源科技有限公司
申请日： 2012-12-24 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化铝晶体制备炉的保温装置，包括用于套设在加热器外侧的保温筒；设置在坩埚底端的底部保温屏和设置在所述坩埚顶端的顶部保温屏。本发明提供的氮化铝晶体制备炉的保温装置通过保温筒对加热器形成侧面保温层，通过底部保温屏对加热器的底端形成底部保温层，通过顶部保温屏对加热器的顶端形成顶部保温层，这样一来，本发明提供的氮化铝晶体制备炉的保温装置对加热器的圆周侧面、顶部以及底部分别设置了保温层，提高了保温性能，有利于获取长晶要求的轴向温度梯度，提高了氮化铝晶体的生长质量。本发明还提供了一种氮化铝晶体制备炉，包括保温装置，所述保温装置为本发明提供的氮化铝晶体制备炉的保温装置。
一种氮化晶体制备及其保温装置

[发明专利]一种晶体制备装置-CN202211736247.0在审
发明人：王宇;官伟明 -专利权人：眉山博雅新材料股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B15/16 文献下载
摘要：本说明书实施例提供一种晶体制备装置。该晶体制备装置包括：腔体，用于放置原料；激光加热组件，用于加热原料；以及控制组件，用于在晶体生长过程中实时调节激光加热组件的加热参数，以实时调节晶体生长过程中的温度梯度。
一种晶体制备装置

[发明专利]新形式的螺螨酯，其制备方法及用途-CN201680047625.0在审
发明人：詹姆斯·蒂莫西·布里斯托 -专利权人：龙灯农业化工国际有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： C07D307/94 文献下载
摘要：具有式(I)之螺螨酯的新晶型、晶体制备方法、藉由各种分析方法对该晶体的分析和利用该晶体制备稳定的农用化学制剂。还描述了各种溶剂对晶型制备条件之用途。
新形式螺螨酯制备方法用途

[发明专利]一种阵列式液滴晶体制备方法及装置-CN202010005665.7在审
发明人：周禹杉 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C30B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列式晶体制备的方法及其装置。阵列式晶体制备装置包括操作箱、阵列液滴制备模块和晶体生长基底模块；该方法通过调节阵列液滴体积精确获得结晶晶体质量，控制温度湿度精准调控获得的目标晶型或晶习，操作快速简单、生产过程经济价廉、绿色环保。整套装置可广泛用于各类晶体(纳米、原子、分子)生长制备，尤其是药物制备的生产过程。
一种阵列式液滴晶体制备方法装置

[实用新型]一种阵列式液滴晶体制备装置-CN202020009872.5有效
发明人：周禹杉 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： C30B7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种阵列式液滴晶体制备装置。阵列式晶体制备装置包括操作箱、阵列液滴制备模块和晶体生长基底模块；该方法通过调节阵列液滴体积精确获得结晶晶体质量，控制温度湿度精准调控获得的目标晶型或晶习，操作快速简单、生产过程经济价廉、绿色环保。整套装置可广泛用于各类晶体(纳米、原子、分子)生长制备，尤其是药物制备的生产过程。
一种阵列式液滴晶体制备装置

[实用新型]一种氮化铝晶体制备炉及其保温装置-CN201220721702.5有效
发明人：徐永亮;施海斌;张国华 -专利权人：上海昀丰新能源科技有限公司
申请日： 2012-12-24 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种氮化铝晶体制备炉的保温装置，包括用于套设在加热器外侧的保温筒；设置在坩埚底端的底部保温屏和设置在所述坩埚顶端的顶部保温屏。本实用新型提供的氮化铝晶体制备炉的保温装置通过保温筒对加热器形成侧面保温层，通过底部保温屏对加热器的底端形成底部保温层，通过顶部保温屏对加热器的顶端形成顶部保温层，这样一来，本实用新型提供的氮化铝晶体制备炉的保温装置对加热器的圆周侧面、顶部以及底部分别设置了保温层，提高了保温性能，有利于获取长晶要求的轴向温度梯度，提高了氮化铝晶体的生长质量。本实用新型还提供了一种氮化铝晶体制备炉，包括保温装置，所述保温装置为本实用新型提供的氮化铝晶体制备炉的保温装置。
一种氮化晶体制备及其保温装置

[发明专利]一种温度控制系统、方法、装置以及晶体制备装置-CN202211543153.1在审
发明人：王晓亮;黄存新;赵鹏 -专利权人：中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种温度控制系统、方法、装置以及晶体制备装置，涉及晶体制备技术领域，上述系统包括图像采集设备、数据处理器以及温度控制器，图像采集设备，用于实时采集第一图像；数据处理器，用于识别第一图像中晶体所在区域，依据识别出的区域获得第一晶体尺寸；数据处理器，还用于根据第一晶体尺寸和第二晶体尺寸，计算晶体的尺寸生长速度，将晶体尺寸的生长速度与预设的第一生长速度进行对比，得到尺寸对比结果，根据尺寸对比结果，向温度控制器发送温度控制指令；温度控制器，用于响应于温度控制指令，控制晶体制备温度。应用本发明实施例提供的温度控制系统，能够提高晶体质量、一致性及降低制备晶体的人力成本。
一种温度控制系统方法装置以及晶体制备

[发明专利]一种晶体制备方法-CN202211742351.0在审
发明人：王宇;官伟明 -专利权人：眉山博雅新材料股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本说明书实施例提供一种晶体制备方法。该晶体制备方法包括：将原料置于腔体内；通过激光加热组件加热原料，使原料部分熔化为原料熔体；基于原料熔体，执行晶体生长过程，在晶体生长过程中，实时调节激光加热组件的加热参数。
一种晶体制备方法

[发明专利]一种加料控制方法和系统-CN202011319609.7有效
发明人：王宇;官伟明;梁振兴 -专利权人：眉山博雅新材料有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： B65G65/40 文献下载
摘要：本说明书实施例公开了一种加料控制方法和系统，应用于晶体制备过程，所述方法包括：在所述晶体制备过程中，执行多次加料操作，所述多次加料操作包括第一次加料操作和至少一次后续加料操作，对于所述至少一次后续加料操作中的每一次后续加料操作：获取当前时刻与所述第一次加料操作时的时间间隔内的晶体生长重量；获取所述时间间隔内的加料总量；判断所述晶体生长重量与所述加料总量的差值是否满足预设条件；如果所述差值满足所述预设条件，则启动所述后续加料操作根据本说明书实施例，可以通过加料操作使得晶体制备过程中原料的消耗和补充达到动态平衡，提高晶体制备过程的稳定性。
一种加料控制方法系统

[发明专利]一种维奈妥拉纳米晶体口服固体药物组合物-CN201810766374.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：天津双硕医药科技有限公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： A61K9/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种维奈妥拉纳米晶体口服固体药物组合物及其制备方法和用途。发明人将纳米技术应用于维奈妥拉原料，以制备维奈妥拉纳米晶体，进而制备口服固体制剂。最终获得了维奈妥拉纳米晶体的制备工艺，得到了水溶性良好的维奈妥拉纳米晶体原料。并进一步将其制备成普通口服固体制剂。试验证明，通过此技术制备的维奈妥拉口服固体制剂溶出行为得到明显改善，进而其生物利用度同样得到提高。此制剂工艺简单，质量可控，适用于工业化生产。
纳米晶体制备口服固体制剂口服固体药物纳米技术应用生物利用度制备工艺制剂工艺可控溶出试验

[发明专利]伊曲茶碱的晶体的制备方法和应用-CN202110275033.7在审
发明人：徐有伟;王宜运;郑忠辉;尤家霖;周文虎;丁劲松;徐豪杰 -专利权人：山东新华制药股份有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C07D473/06 文献下载
摘要：本发明提供了伊曲茶碱的晶体的制备方法和应用，伊曲茶碱不同晶体的制备，采用不同溶剂对伊曲茶碱进行晶体培养，并对晶体进行鉴定；本发明还提供了一种伊曲茶碱固体制剂的制备方法，采用粉末直压工艺制备而成的片剂；将伊曲茶碱晶体依次与填充剂、稀释剂、崩解剂进行充分混合，最后加入润滑剂；经过压片、包衣，并检测不同晶体伊曲茶碱固体制剂的溶出度和溶出曲线。
茶碱晶体制备方法应用

[发明专利]一种加料控制方法和系统-CN202110876116.1有效
发明人：王宇;官伟明;梁振兴 -专利权人：眉山博雅新材料股份有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： B65G65/40 文献下载
摘要：本说明书实施例公开了一种加料控制方法和系统，应用于晶体制备过程，所述方法包括：在所述晶体制备过程中，执行多次加料操作，所述多次加料操作中相邻加料操作之间的时间间隔相同，对于所述多次加料操作中的每一次加料操作：获取预设加料时间段、所述预设加料时间段内的预估晶体生长量、预设加料频率、已加料总量和已加料次数；基于所述预估晶体生长量、所述预设加料时间段、所述预设加料频率、所述已加料总量和所述已加料次数，确定所述加料操作的目标加料量根据本说明书实施例，可以通过加料操作使得晶体制备过程中原料的消耗和补充达到动态平衡，提高晶体制备过程的稳定性。
一种加料控制方法系统

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