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[发明专利]微沟槽电火花加工工具电极及其制备方法-CN201710348594.9有效
发明人：伍晓宇;雷建国;吴稳;伍博;鲁艳军;徐斌 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： B23H1/04 文献下载
摘要：本发明揭示了一种微沟槽电火花加工工具电极及其制备方法，微沟槽电火花加工工具电极包括层叠贴合连接的表皮导电层、低电阻率导电层和高电阻率导电层，且贴合后的厚度端面为加工面；低电阻率导电层与高电阻率导电层设有多层，表皮导电层设有两层；两个表皮导电层分别位于层叠的低电阻率导电层和高电阻率导电层的两个侧壁；低电阻率导电层与高电阻率导电层间隔设置；且，两个表皮导电层内部分别贴紧设有高电阻率导电层。每个低电阻率导电层都由两个高电阻率导电层包夹；提高了微沟槽电火花加工工具电极的刚度；且高电阻率导电层比低电阻率导电层损耗大得多，使得低电阻率导电层始终保持有足够的长度，进而具有自修整能力，使用寿命更长。
沟槽电火花加工工具电极及其制备方法

[发明专利]高电阻率硅结构和用于制备该结构的方法-CN200680026397.5无效
发明人： R·J·法尔斯特;V·V·沃龙科夫;G·I·沃龙科娃;A·V·巴图尼纳 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2006-05-18 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明总体上涉及高电阻率CZ硅晶片或者从该晶片得到的高电阻率硅结构及其制备方法。具体地，该高电阻率硅结构包括作为衬底的大直径CZ硅晶片，其中该衬底晶片的电阻率与其中的受主原子(例如，硼)的浓度脱离联系，该衬底的电阻率远大于基于其中的所述受主原子的浓度计算出的电阻率。
电阻率结构用于制备方法

[发明专利]一种感应与侧向联测确定高陡地层真电阻率的方法-CN201811039173.9有效
发明人：王谦;章海宁;万金彬;于华;李国利;姚军朋;高衍武;段朝伟;苏波;崔式涛 -专利权人：中国石油天然气集团有限公司;中国石油集团测井有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： E21B49/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种感应与侧向联测确定高陡地层真电阻率的方法，包括以下步骤：首先选取研究区具有感应、侧向、地层倾角测井资料的井，获得感应与侧向电阻率测量值与测量井段的地层倾角；建立侧向电阻率、感应电阻率与水平电阻率、垂直电阻率、地层倾角、各向异性系数之间的数学关系；构建储层水平电阻率一元三次求解方程；采用迭代算法求解一元三次方程的解，得到的水平电阻率即为储层真电阻率。本发明在实际应用中，实现了在没有岩心电阻率各向异性实验或三轴电阻率测井的基础上，利用测井资料与理论关系，逐点迭代求解储层水平电阻率方程，为高陡地层真电阻率的求取提供了有效的技术方法。
一种感应侧向联测确定地层电阻率方法

[发明专利]一种绝缘子防冰凌涂料-CN201010585925.9无效
发明人：彭向阳;贾志东;姚森敬;许志海;王红斌;苏华锋;韦晓星;关志成;毛先胤;邓禹 -专利权人：广东电网公司电力科学研究院;清华大学深圳研究生院
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C09D183/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘子防冰凌涂料，该防冰凌涂料由高电阻率涂料和低电阻率涂料组成，所述高电阻率涂料由硅橡胶和炭黑组成，所述炭黑的质量百分含量低于1％，所述高电阻率涂料涂覆在绝缘子伞裙最外侧的棱边上；所述低电阻率涂料由硅橡胶和炭黑组成，所述炭黑的质量百分含量为10～30％，所述低电阻率涂料涂覆在绝缘子除最外侧棱边之外的表面。本发明通过在硅橡胶内添加不同比例的炭黑，分别制备具有高、低电阻率的两种涂料，在绝缘子伞裙的上表面和下表面均涂覆低电阻率涂料，在绝缘子伞裙的最外侧的棱边上，涂覆高电阻率涂料。通过高电阻率涂料阻止冰凌在伞裙边的生长，防止冰凌桥接降低闪络电压，提高绝缘子工作的稳定性，确保输电安全可靠。
一种绝缘子冰凌涂料

[发明专利]一种高矿化度成因低阻油层测井识别方法-CN201811595133.2有效
发明人：刘之的;谭成仟;马廷昊;杨珺茹;时梦璇 -专利权人：西安石油大学
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： E21B49/00 文献下载
摘要：一种高矿化度成因低阻油层测井识别方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、计算地层温度条件下的泥浆电阻率；步骤二、计算相对自然电位与泥浆电阻率比值；步骤三、构造油层视电阻率；步骤四、计算油层视电阻率与储层电阻率比值；步骤五、构造水层视电阻率；步骤六、计算水层视电阻率与储层电阻率比值；步骤七、确定高矿化度成因低阻油层识别标准；步骤八、识别高矿化度成因低阻油层；本发明利用测井资料对低阻油层的三个识别参数进行计算，并有效地进行高矿化度成因低阻油层测井识别
一种矿化度成因油层测井识别方法

[发明专利]双高阻层槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管-CN201410347507.4有效
发明人：李思敏 -专利权人：李思敏
申请日： 2014-07-21 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明涉及一种双高阻层槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，在其下层为N+型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多个N+型的高掺杂浓度的发射区，该发射区的上面连接着N+型的掺杂多晶硅层，其特点是所述硅衬底片的N型高电阻率层分为上下两层，N型高电阻率层的上层的电阻率高于N型高电阻率层的下层的电阻率；下层的电阻率为2‑9Ω·cm；下层的厚度为13‑40μm。
双高阻层槽形栅多晶结构晶体管

[发明专利]双高阻层槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管-CN201410152021.5无效
发明人：李思敏 -专利权人：李思敏
申请日： 2014-04-16 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种双高阻层槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，在其下层为N⁺型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多个N⁺型的高掺杂浓度的发射区，该发射区的上面连接着N⁺型的掺杂多晶硅层，其特点是：所述硅衬底片的N型高电阻率层分为上下两层，N型高电阻率层的上层的电阻率高于N型高电阻率层的下层的电阻率；下层的电阻率为2-9Ω·cm；下层的厚度为13
双高阻层槽形栅多晶结构晶体管

[发明专利]一种高介电常数下随钻电磁波电阻率仪器量程扩展方法-CN201711137511.8有效
发明人：刘乃震;伍东;傅少庆;郭玉庆;樊春华;何权 -专利权人：中国石油集团长城钻探工程有限公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： E21B49/00 文献下载
摘要：本发明的高介电常数下随钻电磁波电阻率仪器量程扩展方法包括：步骤1，测井获得随钻电磁波电阻率仪器采集的测井响应，转换成相位移、幅度衰减信号；步骤2，利用低频信号相位移电阻率和幅度衰减电阻率组合，建立相对介电常数‑电阻率快速反演关系式；步骤3，步骤1的测量信号与步骤2转换关系结合，快速计算地层介电常数；步骤4，计算步骤3获得介电常数下电阻率转换链表偏移量；步骤5，利用步骤4结果对步骤1采集的相位移、幅度衰减信号进行偏移量补偿及电阻率工程转换，获得视电阻率；步骤6，对获得的视电阻率进行环境校正，获得随钻电磁波电阻率仪器测量电阻率。本发明能提高随钻电磁波电阻率类仪器在高介电常数地层测量量程和适用范围。
一种介电常数下随钻电磁波电阻率仪器量程扩展方法

[发明专利]油水层的区分方法、装置及计算机可读存储介质-CN201810570803.9有效
发明人：杨克兵;周明顺;刘欢;于仁江;陈彦君 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： E21B49/00 文献下载
摘要：所述方法包括：根据N组电阻率绘制电阻率‑电阻率比值交会图；将电阻率‑电阻率比值交会图划分为水层区、油水同层区和油层区，并将水层区划分为高阻水层和常规水层，将油层区划分为常规油层、复杂孔隙油层和低阻油层；当进行油水层的区分时，根据多个探测点的电阻率在划分后的电阻率‑电阻率比值交会图上标定出多个探测点，并根据该多个探测点在划分后的电阻率‑电阻率比值交会图中所处的位置进行油水层的区分。本发明通过电阻率‑电阻率比值交会图可以轻易地标定出分别属于高阻水层、复杂孔隙油层和低阻油层的探测点，提高了对油水层区分的准确性。
油水区分方法装置计算机可读存储介质

[发明专利]高空间分辨率复合式电阻率探测计算方法-CN202011125927.X有效
发明人：郭磊;于洋;李彬;张家瑞;杨秀卿;付腾飞;刘延俊 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G01V3/38 文献下载
摘要：本发明涉及地质探测领域，特别是一种高空间分辨率复合式电阻率探测计算方法。一种高空间分辨率复合式电阻率探测计算方法，其中包括以下步骤：S1.根据已知电阻率点位，建立测点点位空间：S2.弧段等距推算电阻率：S3.轴向等距推算电阻率：S4.竖向连续推算电阻率：S5.对S2、S3和S4得到的电阻率值进行加权处理，从而得到最接近实际值的电阻率。该方法操作简单，成本低，效率高，并且计算结果精度高。
空间分辨率复合电阻率探测计算方法

[发明专利]多层压敏电阻器-CN202310150750.6在审
发明人：秋山优斗;矢内剑;高村真史;山岸裕司;臼井良辅 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01C7/10 文献下载
摘要：本公开的目的是提供一种能够降低在高电阻率层(13)的表面上发生迁移的可能性的多层压敏电阻器。根据本公开的多层压敏电阻器(1)包括：在其表面上具有至少一个平面部和至少一个角部的烧结坯(11)；设置在烧结坯(11)内部的内部电极(12)；被布置为至少部分地覆盖烧结坯(11)的至少一个平面部和至少一个角部的高电阻率层(13)；以及被布置为部分地覆盖高电阻率层(13)并且与内部电极(12)电连接的外部电极(14)。高电阻率层(13)包括：覆盖至少一个平面部的高电阻率层(13a)；和覆盖至少一个角部的高电阻率层(13b)。第一高电阻率层(13a)的平均厚度大于第二高电阻率层(13b)的平均厚度。
多层压敏电阻

[发明专利]一种基于应力差电阻率实验的高应力地层电阻率校正方法-CN201910148795.3有效
发明人：王谦;章海宁;万金彬;于华;李国利;袁龙;虞兵;李震;高衍武;姚军朋 -专利权人：中国石油天然气集团有限公司;中国石油集团测井有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： G01V11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于应力差电阻率实验的高应力地层电阻率校正方法，步骤包括：获得地层电阻率与最大最小水平主应力；获得岩心的孔隙度，结合密度测井资料建立孔隙度计算模型；选取目的层不同物性岩心开展常规岩电实验，获得胶结指数m值；选取目的层不同物性岩心开展应力差电阻率实验，获得不同应力差下岩心电阻率测量值，建立应力差校正电阻率模型；利用应力差校正电阻率模型，通过孔隙度、电阻率、最大最小水平主应力及胶结指数m值逐点求取消除应力影响的地层电阻率本发明在实际应用中，实现了在强挤压应力下电阻率异常，通过测井资料逐点求取消除应力影响下的地层电阻率，为高应力地层储层流体性质准确评价提供基础参数。
一种基于应力电阻率实验地层校正方法

[发明专利]一种高阻硅的电阻率测试方法-CN201010520562.0无效
发明人：黎亚文;杨旭 -专利权人：峨嵋半导体材料研究所
申请日： 2010-10-27 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： G01R27/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种高阻硅的电阻率测试方法，属于电阻率测试领域。该电阻率测试方法引进了高精密电阻率测试系统，在测试过程中的待测硅晶体表面处理工序增加了酒精擦除的步骤，并且通过多次实验选定了最为适当的测试环境，使得在保证高精密电阻率测试系统的性能得到很好发挥的同时，测试得出的电阻率值也相对比较稳定通过本发明，能够精确并且稳定地测试电阻率>10000Ω·cm的高阻硅晶体。
一种高阻硅电阻率测试方法

[发明专利]一种高热导率多层SiC单晶微波衰减材料及其制备方法-CN201010597291.9无效
发明人：杨志民;毛昌辉;杜军;杨立文;董茜 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2010-12-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：一种高热导率多层SiC单晶复合微波衰减材料，由若干层具有高电阻率SiC层与高损耗SiC层交替复合而成，处于最外层的为高电阻率SiC层，其电阻率为104Ωm～108Ωm；高损耗SiC层为掺杂N的SiC层，其电阻率为10-3Ωm～101Ωm，高电阻率SiC层的热导率为250-410W/m·K。本发明采用PVT法，通过在晶体生长过程中周期性地通入不同的气氛，形成交替复合的高电阻率SiC层与高损耗SiC层，高电阻率SiC层作为导热层能将高损耗SiC层吸收微波所产生的热量迅速传递出去，而高损耗SiC层可通过控制生长过程中载气中N2的比例来调整SiC单晶的电阻值，达到在微波频段衰减电磁波的目的。
一种高热多层 sic 微波衰减材料及其制备方法

[发明专利]固定件以及使用该固定件的电动机-CN201380076718.2有效
发明人：堀坂健太郎;仲兴起;山口信一;原川雅哉;安藤和秋;尾崎健太 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H02K3/02 文献下载
摘要：提供一种结构，其在绕组使用电阻率不同的材料的情况下，能够减少绕组的电阻。绕组(6)由电阻率不同的材料构成。槽(4)内的电阻率高的材料的截面积相对于电阻率低的材料的截面积的比率大于或等于1，并且，小于或等于电阻率高的材料的该电阻率相对于电阻率低的材料的该电阻率的比率。
固定以及使用电动机

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