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[发明专利]一种高居里温度无铅压电陶瓷及其制备方法-CN201711121258.7有效
发明人：张斗;晏忠钠;周学凡;周科朝 -专利权人：广州光鼎科技集团有限公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种高居里温度无铅压电陶瓷及其制备方法。所述高居里温度无铅压电陶瓷是通过高温固相反应法制备得到片状高纯粉末，进而用固相法进行陶瓷烧结，从而制备得到层状钙钛矿结构高居里温度压电陶瓷，其化学通式为RbANb₂O_{7<本发明可解决现有压电陶瓷在高温条件下压电性能无法满足要求的问题，可以在400℃以上使用，具有超高居里温度和稳定适中的压电系数。所制备RbBiNb₂O₇陶瓷居里温度点高达1069±5℃，压电系数为3.1pC/N；RbPrNb₂O₇陶瓷居里温度点高达1081±5℃，压电系数为2.1pC/N。}
制备无铅压电陶瓷压电系数温度点陶瓷高居里温度压电陶瓷层状钙钛矿结构高温固相反应高纯粉末高温条件化学通式陶瓷烧结压电陶瓷压电性能固相法

[发明专利]一种高居里温度压电陶瓷及其制备方法-CN202110741279.9有效
发明人：王春明;刘晨阳;王茜;赵显;于法鹏 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本公开提供了一种高居里温度压电陶瓷及其制备方法，高居里温度压电陶瓷的通式为Bi3Ti1‑xCrx<该Cr掺杂的钛钽酸铋高居里温度压电陶瓷材料是一种成本低廉、绿色环保、新型的压电陶瓷材料，其在不明显降低其居里温度的前提下，提高了其压电性能，同时保持了较好的温度稳定性；其制备方法简单、易操作，于是可以投入大规模的工业生产
一种居里温度压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]三元高居里温度压电陶瓷材料及其制备方法-CN201410141083.6无效
发明人：程晋荣;戴蕊;陈建国 -专利权人：上海大学
申请日： 2014-04-09 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种三元高居里温度压电陶瓷材料及其制备方法。该压电陶瓷材料的化学式为：(1-y)((1-x)BF-xPT)-yPMN，其中，0<y<0.1，0.2<x<0.4。有效利用了BF-PT材料本身具有的高居里温度特性，并且通过引入第三元组分PMN显著提高了BF-PT材料的绝缘性能，使本发明中BF-PT-PMN材料易于被极化，从而获得高的压电常数。本发明新型三元高居里温度压电陶瓷制备出了居里温度高达620℃，压电常数达到的90pC/N高温压电陶瓷，比2013年，XiaoliTan在美国专利中制备的高温压电陶瓷具备更加优异的性能，不仅居里温度提高了近50℃而且压电常数也提高了26pC/N。本发明使BF-PT基材料在高温压电领域的应用化向前迈出了很大的一步。
三元居里温度压电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]钙钛矿结构高居里温度无铅压电陶瓷及其制备方法-CN200910051651.2有效
发明人：曾江涛;李国荣;郑嘹赢;张望重;张阳红;殷庆瑞 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2009-05-21 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及钙钛矿结构高居里温度无铅压电陶瓷及其制备方法，本发明的高居里点无铅压电陶瓷，其通式由(1-x)K0.5Na0.5Nb1-ySbyO3-xK3Li2Nb5O15表示，式中0＜x≤0.10，0≤y本发明的材料能使用普通的碳酸盐或者氧化物原料，采用常规的陶瓷工艺制备而成。本发明制备的陶瓷具备非常高的居里温度及较好的压电性能，并且此配方不含铅，是一种环境友好的材料。
钙钛矿结构居里温度压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]高居里温度、高压电性能的无铅铁酸铋基压电陶瓷及制备-CN201910899624.4在审
发明人：翟继卫;史云晶;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： C04B35/40 文献下载
摘要：本发明涉及高居里温度、高压电性能的无铅铁酸铋基压电陶瓷及制备方法，压电陶瓷的化学通式为(1‑x)BiFe
压电陶瓷制备无铅压电材料无铅压电陶瓷准同型相界高压电电子陶瓷化学通式压电性能制备工艺传统的漏电流酸铋开发

[发明专利]高居里温度压电陶瓷及其薄膜的制备方法-CN201511032672.1在审
发明人：郭栋;王云丽;蔡锴;江凤 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及一种高居里温度压电陶瓷及其薄膜的制备方法，制备的压电陶瓷材料的化学通式为(1‑x)(BiMg_1/2Ti_1/2O₃)‑x(PbTiO起始原料为铋盐、镁盐、铅盐、铬盐或/和锰盐及有机钛盐，通过选择合适的分散介质、控制溶液的温度和浓度、加料顺序，通过稳定剂的螯合作用，使几种金属盐形成均一的溶胶，再经浓缩、干燥及煅烧工序以制备高居里温度压电纳米粉体，然后经球磨、干燥、过筛、压片、烧结工序以制备高居里温度压电陶瓷。或通过旋涂、浸润等各种溶液法，利用均一溶胶在无机基片上制备薄膜，然后经干燥、退火以制备压电陶瓷薄膜。本发明制备的压电陶瓷材料可用于各种工作温度在200℃以上的换能器、传感器等相关压电器件，具有广阔的应用前景。
居里温度压电陶瓷及其薄膜制备方法

[发明专利]一种PZT基高居里温度压电陶瓷及制备方法-CN202010683319.4在审
发明人：盖学周;李伟;吴凡 -专利权人：中国船舶重工集团公司第七一五研究所
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：本发明公开了一种PZT基高居里温度压电陶瓷及制备方法，包括以下重量份数的原料：四氧化三铅100份、二氧化锆26‑28份、二氧化钛15‑17份、五氧化二铌2.0‑4.0份、碳酸锂0.1‑0.2份。通过在PZT中引入高居里温度LiNb03组分，进一步提高了PZT基压电陶瓷的居里温度Tc，拓展了压电陶瓷在极端环境下的应用。
一种 pzt 居里温度压电陶瓷制备方法

[发明专利]一种压电陶瓷及其制备方法-CN201210589666.6有效
发明人：郭栋;时亮;廖擎玮 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明公开了一种高居里温度的压电陶瓷，该压电陶瓷通式为(1‑x)(0.35BiYbO3‑0.65PbTiO3)‑xPb(Zn1/3Nb2/3)O3，其中x=0.15～0.85。本发明还提供了一种制备该压电陶瓷的方法，利用本发明方法制备的压电陶瓷具有高居里温度（395～432）、较高压电常数（60～94）、较低的介电损耗低（0.006～0.010）及适中的机械品质因数（136.86～149.29）等特点，克服了现有压电材料居里温度和综合压电性能无法同时满足特定指标要求的缺陷。已有性能较好的复合钪酸铋钛酸铅钙钛矿高温压电陶瓷材料需使用价格昂贵的元素钪，而该新体系与其相比具有低得多的价格，是一种很有应用前景的高温压电材料。
一种压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种钛酸铋基高居里温度压电陶瓷及其制备方法-CN201010258362.2有效
发明人：高峰;李博;刘亮亮;许贝;胡国辛;曹宵 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2010-08-19 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明提出一种钛酸铋基高居里温度压电陶瓷及其制备方法。用传统固相烧结法制备(1-x)(0.6Bi4Ti3O12-0.4BaTiO3)-xPbTiO3陶瓷，其中，x＝0.02～0.10。本发明以熔盐法制备的Bi4Ti3O12、分析纯的BaTiO3、Pb3O4、TiO2为原料制备的高居里温度压电陶瓷。粉料经混合球磨、烘干、预烧、二次球磨、造粒、成型、排胶，最后在1050～1100℃中烧结2h～4h，制备出所需的陶瓷材料。本发明采用传统压电陶瓷制备方法，所制备出的钛酸铋钡基压电陶瓷其居里温度均在450℃以上并且制备工艺稳定可靠，电性能已经达到压电陶瓷实用化要求，能够应用在航空航天、石油化工等特殊高温环境下。
一种钛酸铋基高居里温度压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种高温压电陶瓷材料及其制备方法-CN201410069700.6有效
发明人：郭栋;王云丽;蔡锴 -专利权人：中国科学院声学研究所
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：本发明公开了一种高居里温度压电陶瓷，该压电陶瓷通式为(BiYb)_1-xPb_xTi_yZr_x-yO_{3压电陶瓷的方法，利用该方法制备的压电陶瓷具有较高的居里温度、较高的压电常数、较低介电损耗、较高机电耦合系数和较宽范围可变的机械品质因数等，并克服了现有压电材料难于同时具有较高居里温度和较高压电性能，且综合电学参数无法满足特定压电器件使用要求的问题。本发明具有工艺简单稳定、无需特殊设备、成本较低和便于规模化工业生产等特点，可用于相应各种高温压电器件。}
一种高温压电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]具备高压电响应及高居里温度的铌酸钾钠基无铅压电织构陶瓷及其制备方法-CN202111009891.3有效
发明人：翟继卫;林锦锋 -专利权人：同济大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明涉及一种具备高压电响应及高居里温度的铌酸钾钠基无铅压电织构陶瓷及其制备方法，该铌酸钾钠基无铅压电织构陶瓷的化学通式为0.99K0.5Na高居里温度(360℃)以及高压电性能(400pC/N)的无铅织构化压电陶瓷，对于开发高居里温度无铅压电材料具有非常重要的意义，在低、中温换能器和驱动器等领域具有较高的实用价值
具备高压电响应居里温度铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种高居里点低温共烧压电陶瓷材料及其制备方法-CN202111203908.9在审
发明人：武国彪;李健;李丽琛;姜林 -专利权人：邦瓷电子科技（盐城）有限责任公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及低温共烧陶瓷材料技术领域，尤其涉及一种高居里点低温共烧压电陶瓷材料及其制备方法，一种高居里点低温共烧压电陶瓷材料及其制备方法，包括如下按照重量份数计的组分：97.4％－99.2％的钛酸钡，0％本发明提供了一种高居里点低温共烧陶瓷材料，该低温共烧陶瓷材料烧结温度低，烧结时间短，与贵金属匹配性能优良，从而可以降低LTCC材料中铂、钯等耐高温贵金属的含量，选用银等普通导电材料即可实现共烧，大大降低了制造成本，同时该制备方法制备得到的LTCC材料具有较高的居里温度，使其具有较宽的应用温度范围，适用更多的应用环境，大大降低了LTCC的生产成本。
一种居里低温压电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]大功率高居里温度压电陶瓷-CN01142615.2无效
发明人：陈海䶮;孟中岩 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2001-12-11 - 公布日： 2002-05-22 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：一种大功率高居里温度压电陶瓷,综合镉铌锆钛酸铅(PCN)三元系和锰铌锆钛酸铅(PMN)三元系的特点,组成镉铌－锰铌－锆－钛酸铅(PCN－PMN－PZ－PT)四元系压电陶瓷,并添加CeO2进行改性。本发明制备的压电陶瓷具有较高的机械品质因子、机电耦合系数和压电常数,显著提高了居里温度,具有较宽的工作温度范围和适应性,具有实际使用价值和广阔的商业应用前景。
大功率居里温度压电陶瓷

[发明专利]一种无稀土掺杂高居里温度压电陶瓷元件及其制备方法-CN202011019254.X有效
发明人：彭志航;曹峰;向阳;陈莉 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种无稀土掺杂高居里温度压电陶瓷元件，所述无稀土掺杂高居里温度压电陶瓷元件的化学通式为：(1‑x‑y)CaBi2Ta2‑a压电陶瓷元件的制备方法，本发明制备得到的压电陶瓷元件具有居里温度高、低老化率的优点。
一种稀土掺杂居里温度压电陶瓷元件及其制备方法

[发明专利]具有宽温区高压电性能的铌酸钾钠基透明陶瓷材料及其制备方法-CN202111009907.0有效
发明人：翟继卫;林锦锋 -专利权人：同济大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有宽温区高压电性能的铌酸钾钠基透明陶瓷材料及其制备方法，所述无铅压电透明陶瓷的化学通式为0.99K0.5Na0.5陶瓷制备工艺并结合两步烧结法，可以得到具有高居里温度(～347℃)、高压电性能(～185pC/N)以及透光性好(～58％)的铌酸钠基透明陶瓷，对于开发高居里温度无铅压电透明材料具有非常重要的意义
具有宽温区高压电性能铌酸钾钠基透明陶瓷材料及其制备方法

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