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[发明专利]复合铁氧体超宽带环行器-CN201911201129.8在审
发明人：王列松;朱小明;陈洋;陈宇飞 -专利权人：苏州华博电子科技有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01P1/387 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造简便、稳定性强的复合铁氧体超宽带环行器，包括高磁导率金属片、高饱和磁化强度铁氧体、三个低饱和磁化强度铁氧体、以及三个与其相连接的匹配电路介质，高饱和磁化强度铁氧体设置在高磁导率金属片中部，所有相连接的低饱和磁化强度铁氧体及匹配电路介质绕高饱和磁化强度铁氧体周向布置，高饱和磁化强度铁氧体、低饱和磁化强度铁氧体、匹配电路介质上设有微带电路或带线电路，高饱和磁化强度铁氧体上远离高磁导率金属片的一侧设有外偏置稳恒磁场源，高饱和磁化强度铁氧体上设有三个平直切割边，且互成120°；低饱和磁化强度铁氧体设有两个平直切割边；匹配电路介质设有一个平直切割边。
复合铁氧体宽带环行器

[实用新型]复合铁氧体超宽带环行器-CN201922104523.1有效
发明人：王列松;朱小明;陈洋;陈宇飞 -专利权人：苏州华博电子科技有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01P1/387 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种制造简便、稳定性强的复合铁氧体超宽带环行器，包括高磁导率金属片、高饱和磁化强度铁氧体、三个低饱和磁化强度铁氧体、以及三个与其相连接的匹配电路介质，高饱和磁化强度铁氧体设置在高磁导率金属片中部，所有相连接的低饱和磁化强度铁氧体及匹配电路介质绕高饱和磁化强度铁氧体周向布置，高饱和磁化强度铁氧体、低饱和磁化强度铁氧体、匹配电路介质上设有微带电路或带线电路，高饱和磁化强度铁氧体上远离高磁导率金属片的一侧设有外偏置稳恒磁场源，高饱和磁化强度铁氧体上设有三个平直切割边，且互成120°；低饱和磁化强度铁氧体设有两个平直切割边；匹配电路介质设有一个平直切割边。
复合铁氧体宽带环行器

[发明专利]一种管道达到磁饱和所需磁化强度的确定方法-CN202110381961.1在审
发明人：徐杰;饶连涛;毛瑞麒;樊宇;陈正;范贺良;高翰林;郝大洋;刘国兴;满铮 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G01N27/84 文献下载
摘要：本发明提供了一种管道达到磁饱和所需磁化强度的确定方法。首先，在给定管道材质的基础上，通过一定磁化强度的磁化器，对不同壁厚管道进行磁化；其次，采用仿真方法对磁化后管道的磁场分布进行模拟计算；然后，提取不同磁化强度下管道的磁饱和壁厚转变点；将所得的不同磁化强度下的磁饱和壁厚转变点和磁化强度进行曲线绘制，确定磁饱和壁厚转变点和磁化器磁化强度之间的关系；最后，可以根据管道材质和壁厚来确定使管道达到磁饱和所需要的磁化器的磁化强度。本发明充分利用管材的B‑H曲线和管道在不同磁化强度下的磁场分布以及管道磁饱和壁厚转变点之间的关系，提供了一种针对不同管道壁厚和材质来确定使其达到磁饱和所需磁化强度的新思路。
一种管道达到饱和磁化强度确定方法

[发明专利]一种管道内外壁缺陷检测装置及检测方法-CN201610602654.0有效
发明人：宋凯;马冰洋;张丽攀;高铭;刘海朝;汪开凯 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： G01N27/90 文献下载
摘要：本发明公开一种管道内外壁缺陷检测装置及方法，所述检测装置包括管道磁化模块，用于提供管道检测时所需的磁场，且管道的检测区分为管道饱和磁化区和管道非饱和磁化区；涡流检测模块，用于采集标样管道饱和磁化区和管道非饱和磁化区的涡流电信号，合成阻抗图并获得涡流信号的调节系数；以及采集待测管道的管道饱和磁化区和管道非饱和磁化区的涡流电信号；处理模块，用于根据所述调节系数以及所述管道饱和磁化区和管道非饱和磁化区的涡流电信号判断所述待测管道中是否存在缺陷
一种管道外壁缺陷检测装置方法

[发明专利]一种饱和磁化曲线的拟合外推方法-CN202111422982.X有效
发明人：王立超;焦标强;王可;丁福焰;王立宁;高立群;陈骞;张庆爽;张文轩;杨亦峥 -专利权人：中国铁道科学研究院集团有限公司;北京纵横机电科技有限公司;中国铁道科学研究院集团有限公司机车车辆研究所;铁科纵横(天津)科技发展有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01R33/12 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种饱和磁化曲线的拟合外推方法，所述方法包括：对测量样品进行闭环测量，得到中低场磁化曲线数据；对测量样品进行开环测量，得到饱和磁化强度；对中低场磁化曲线数据进行拟合，得到拟合曲线；构建外推函数，并根据拟合曲线和饱和磁化强度，求解外推函数；将外推曲线与拟合曲线进行拼合，得到饱和磁场的完整磁化曲线。此方法获得的磁化曲线符合强磁材料磁化过程的物理规律，得到的完整磁化曲线准确且平滑，可提高仿真计算的精度和效率。
一种饱和磁化曲线拟合方法

[发明专利]不可逆电路元件-CN200510081443.9无效
发明人：远藤谦二;仓桥孝秀;边见荣;大波多秀典 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2005-06-30 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： H01P1/32 文献下载
摘要：一种不可逆电路元件，其特征在于，包括石榴石型铁氧体材料和对石榴石型铁氧体材料施加直流磁场的永久磁铁；当石榴石型铁氧体材料在温度T1下的饱和磁化为S11时，在温度T2下的饱和磁化为S12，在温度T3下的饱和磁化为S13，当永久磁铁在温度T1下的饱和磁化为S21时，在温度T2下的饱和磁化为S22，在温度T3下的饱和磁化为S23时，具有|(S12－S11)/(T2－T1)|＜|(S22－S21)/(T2－T1)|、|(S13－S12)/(T3－T2)|＞|(S23－S22)/(T3－T2)|的关系，其中，T1＜T2＜T3，饱和磁化S11、S12、S13、S21、S22、S23是在温度T2下的饱和磁化为1时的相对值
可逆电路元件

[发明专利]一种高饱和磁化强度钆铁氧体硅油磁性液体的制备方法-CN202311043664.1在审
发明人：陈芳;张杰;李正贵;刘小兵;颜招强 -专利权人：西华大学;自贡兆强密封制品实业有限公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01F41/00 文献下载
摘要：本发明为一种高饱和磁化强度钆铁氧体硅油磁性液体的制备方法，该方法包括步骤A高饱和磁化强度钆铁氧体纳米颗粒的制备，通过掺杂、调控稀土离子Gd2+的配比制备具有高饱和磁化强度的本发明通过调控离子配比，制备出具有较高饱和磁化强度的钆铁氧体纳米磁性颗粒，在此基础上对颗粒进行双层化学包覆，然后将包覆颗粒分散于较高粘度的硅油中，制备出具有高饱和磁化强度的钆铁氧体/硅油基磁性液体。离心后该磁性液体未发生分层，保持较高的饱和磁化强度及分散稳定性，用于密封领域。
一种饱和磁化强度铁氧体硅油磁性液体制备方法

[发明专利]磁光记录介质-CN01103233.2无效
发明人：诹访部正次;千叶良久 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2001-02-07 - 公布日： 2001-08-29 - 主分类号： G11B11/10 文献下载
摘要：第一层6a由饱和磁化与亚晶格磁化方向平行的记录材料制成。第二层6b由在室温下饱和磁化与亚晶格磁化方向反平行的记录材料制成。用于第二层6b的材料在读出温度附近饱和磁化与亚晶格磁化方向平行。
记录介质

[实用新型]电度表成对永磁体饱和磁化装置-CN89213534.4无效
发明人：赵佑民 -专利权人：上海磁钢厂
申请日： 1989-06-30 - 公布日： 1990-09-26 - 主分类号： G01R11/10 文献下载
摘要：本实用新型是对电度表成对永磁体饱和磁化装置的改进，用于电度表成对永磁体的饱和磁化。本实用新型是在传统的电度表成对永磁体饱和磁化装置的两个极靴上垫放一块活动导磁板。在电度表磁阻尼系统组装前，对单个永磁体分别进行饱和磁化，磁化后的成对永磁体组装成的磁阻尼系统能满足电度表的计量要求。本实用新型具有使用安全、操作简便、成本低廉、节约能源等优点。
电度表成对永磁体饱和磁化装置

[发明专利]化学交换饱和转移效应定量方法、装置及电子设备-CN201711317222.6有效
发明人：吴垠;郑海荣;刘新 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： A61B5/055 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种化学交换饱和转移效应定量方法、装置及电子设备，涉及生物医学工程领域，该方法包括：获得化学交换饱和转移成像数据和预定义数据，根据所述预定义数据计算获得水分子的初始溢出效应数据，根据所述初始溢出效应数据和所述化学交换饱和转移成像数据计算获得初始磁化转移效应数据，对所述初始溢出效应数据和所述初始磁化转移效应数据进行调整，获得最终溢出效应数据和最终磁化转移效应数据，根据所述化学交换饱和转移成像数据、所述最终溢出效应数据和所述最终磁化转移效应数据计算获得目标化学交换饱和转移效应使用该方法、装置及电子设备能对化学交换饱和转移效应进行准确的分析。
化学交换饱和转移效应定量方法装置电子设备

[发明专利]一种高饱和磁化强度的Si基稀磁半导体的制备方法-CN201210106104.1无效
发明人：郭立平;陈济鸿;李铁成;罗凤凤 -专利权人：武汉大学
申请日： 2012-04-12 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： C30B31/22 文献下载
摘要：一种高饱和磁化强度的Si基稀磁半导体的制备方法，其步骤包括：⑴对Si单晶基体样品进行过渡族金属离子注入；⑵在保护气氛中将上述步骤⑴得到的样品快速热退火；⑶对上述步骤⑵得到的样品进行零族离子注入。其优点是：利用本发明可以获得居里温度（Tc）高于室温的Si基稀磁半导体材料，且该Si基稀磁半导体材料的饱和磁化强度有大幅提升，其饱和磁化强度为单束注入法获得的Si基稀磁半导体的饱和磁化强度的2.5-6倍
一种饱和磁化强度 si 基稀磁半导体制备方法

[发明专利]低耦合氧化物介质(LCOM)-CN200980146470.6无效
发明人： E·戈特;H·J·瑞切特;M·蒙特亚努;T·P·诺兰 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2009-11-16 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： G11B5/64 文献下载
摘要：本发明涉及低耦合垂直磁性记录介质，其包含磁性存储层和至少一个低饱和磁化层。所述磁性存储层的饱和磁化强度约为400-900emu/cm3。
耦合氧化物介质 lcom

[发明专利]导电性粒子、导电材料和连接结构体-CN202180039684.4在审
发明人：大日方秀平;松浦宽人;胁屋武司 -专利权人：积水化学工业株式会社
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01B5/00 文献下载
摘要：提供能够提高饱和磁化，并且能够降低剩余磁化，进而在将电极间电连接的情况下，能够提高导通可靠性的导电性粒子。本发明的导电性粒子具备树脂粒子和配置于所述树脂粒子的外表面的外侧的导电部，所述导电性粒子具备以下的构成A、构成B或构成C，构成A：具备包含配置于所述树脂粒子和所述导电部之间的磁性体的磁性体部，并且，导电性粒子中的剩余磁化相对于饱和磁化的比为0.4以下；构成B：所述导电部包含磁性体，并且，导电性粒子中的剩余磁化相对于饱和磁化的比为0.4以下；构成C：所述树脂粒子包含磁性体。
导电性粒子导电材料连接结构

[发明专利]显影装置和处理盒-CN200680056099.0有效
发明人：尾岛磨佐基;加藤雅仁;吉田延喜;居波聪;道上正 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2006-10-18 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： G03G15/08 文献下载
摘要：显影剂负载部件41的外直径为8mm～12mm，并且磁性单组分显影剂43在施加79.6kA/m(1000奥斯特)的磁场时具有20Am²/kg～37Am²/kg的饱和磁化，当磁场降低到55.7kA/m(700奥斯特)时具有饱和磁化的70％～80％的磁化，当磁场降低到39.8kA/m(500奥斯特)时具有饱和磁化的50％～62％的磁化。
显影装置处理

[发明专利]一种用于铁矿石直接还原过程的在线测温方法-CN202011460229.5在审
发明人：胡兵;谢志诚;曾辉 -专利权人：中冶长天国际工程有限责任公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G01K7/36 文献下载
摘要：所述用于铁矿石直接还原过程的在线测温方法，包括通过外加激励磁场使物料达到饱和磁化强度Ms；采用霍尔元件检测信号，经放大、接收，得到输出电压，进而计算得到饱和磁化强度；再利用物料的饱和磁化强度Ms与温度的关系计算出待测区域物料的实际温度T；其中，所述饱和磁化强度Ms与温度的关系是基于待测区域物料的居里温度Tc及其实际温度T的大小而确定的。本发明所述方法解决现有铁矿石直接还原过程无法在线测温的问题，使现有饱和磁力强度与温度关系理论得以具体应用。
一种用于铁矿石直接还原过程在线测温方法

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