专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种电容式触摸屏-CN201410849556.8在审
  • 黄亮;余汉水;蒋蔚;黄受林;刘锡钢 - 深圳力合光电传感股份有限公司
  • 2015-08-03 - 2015-07-29 - G06F3/044
  • 本发明适用于触控技术领域,提供了一种电容式触摸屏,包括透明基板,在基板的一表面依次设有透明图案透明光油层、透明油墨透明电极透明图案具有凸起结构,透明光油层与透明图案无间隙叠加,使透明光油层形成多个凸凹透镜结构,透明图案通过透明光油层的凸凹透镜结构形成多样变幻的立体图案。本发明通过在透明基板和透明油墨之间设置透明图案透明光油层,由于透明图案透明光油层的表面呈现凹凸变化的曲面结构,使透明图案通过透明光油的成像状态变幻多样且立体感更强,人在固定位置观看产品表面的不同位置或移动观看其表面
  • 一种电容触摸屏
  • [发明专利]电激发光显示装置及其制造方法-CN200410077054.4有效
  • 李世昊;黄维邦;李国胜;张凡修 - 友达光电股份有限公司
  • 2004-09-10 - 2005-03-02 - G09F9/30
  • 本发明揭示一种顶部发光电激发光显示装置,其包括:一薄膜晶体管、一透明电极、一透明、一电激发光媒介、及一透明电极。薄膜晶体管设置于一基板上方,并为一中间绝缘所覆盖。透明电极及透明依序设置于中间绝缘上方,其中非透明电极与薄膜晶体管电连接,透明具有一开口而露出下方一部分的透明电极。电激发光媒介设置于开口底部。透明电极设置于透明上方并顺应性覆盖开口及电激发光媒介的表面。本发明还涉及电激发光显示装置的制造方法。
  • 激发显示装置及其制造方法
  • [发明专利]透明导电性薄膜-CN202010075277.6在审
  • 梶原大辅;藤野望 - 日东电工株式会社
  • 2020-01-22 - 2020-08-07 - H01B5/14
  • 提供能以低温且短时间结晶转化的透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备:透明基材(2)和晶质透明导电(5),透明基材(2)含有环烯烃系树脂,晶质透明导电(5)能转化为结晶质,晶质透明导电(5)的霍尔迁移率超过25.0(cm2/V·s),将晶质透明导电(5)结晶转化后的结晶质透明导电(6)的霍尔迁移率比晶质透明导电(5)的霍尔迁移率大。
  • 透明导电性薄膜
  • [实用新型]太阳能电池-CN202122994198.8有效
  • 姚铮;崔巍;陈海燕;吴坚;蒋方丹 - 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
  • 2021-11-30 - 2022-05-06 - H01L31/075
  • 本实用新型公开了一种太阳能电池,太阳能电池包括:衬底、第一本征晶半导体、n型晶半导体、第一透明导电膜、第一电极、第二本征晶半导体、p型晶半导体、第二透明导电膜、第二电极,衬底为n型晶体半导体衬底,衬底、第一本征晶半导体、n型晶半导体、第一透明导电膜之间依次叠加,衬底、第二本征晶半导体、p型晶半导体、第二透明导电膜之间依次叠加,第二透明导电膜为至少两,邻近p型晶半导体的第一第二透明导电膜为功函数≥4.2eV的高功函数导电膜,第二电极设置于远离p型晶半导体的第二透明导电膜
  • 太阳能电池
  • [发明专利]一种异质结背接触太阳电池及其制备方法-CN202111398031.3在审
  • 陈维强;韩涵;张鹤仙;黄国保 - 陕西众森电能科技有限公司
  • 2021-11-24 - 2021-12-21 - H01L31/0352
  • 本发明涉及一种异质结背接触太阳电池及其制备方法,该太阳能电池包括n型硅片;位于n型硅片背面的本征晶硅;位于本征晶硅背面且呈点状阵列分布的n+型晶硅;覆盖在n+型晶硅背面的第一透明导电;位于本征晶硅背面处于n+型晶硅与第一透明导电以外区域的p+型晶硅;覆盖在p+型晶硅上的第二透明导电;位于第二透明导电背面处于横向或纵向相邻的n+型晶硅和第一透明导电之间的绝缘胶;位于第一透明导电、绝缘胶背面且与横向或纵向n+型晶硅和第一透明导电处于同一横向或纵向的负极栅线;位于第二透明导电背面且与负极栅线平行的正极栅线,负极栅线和正极栅线为锡、铜、银混合的膏体浆料
  • 一种异质结背接触太阳电池及其制备方法
  • [发明专利]透明导电膜与包含其的电容式触摸屏-CN201510404507.8有效
  • 徐金龙;张国臻 - 张家港康得新光电材料有限公司
  • 2015-07-10 - 2018-10-23 - G06F3/044
  • 本发明提供了一种透明导电膜与包含其的电容式触摸屏。该透明导电膜包括指纹亲和透明基材与ITO。其中,透明基材设置于指纹亲和的表面上,ITO包括第一结晶ITO、结晶ITO与第二结晶ITO,第一结晶ITO设置在透明基材的远离指纹亲和的表面上,结晶ITO设置在第一结晶ITO的远离透明基材的表面上,第二结晶ITO设置在结晶ITO的远离第一结晶ITO的表面上。该透明导电膜的密着性较好,抗污耐滑能力较好,阻抗较低,立体纹不明显,成本较低,制备工艺简单。
  • 透明导电包含电容触摸屏
  • [发明专利]一种提高光转换效率的晶硅太阳能光电板-CN202210499128.1在审
  • 吴忠明 - 吴忠明
  • 2022-05-09 - 2022-08-16 - H01L31/0747
  • 本发明提供一种提高光转换效率的晶硅太阳能光电板,包括表膜、基面玻璃、第一透明导电膜、N+晶硅、本质晶硅、P+晶硅、第二透明导电膜和背基底层,表膜、基面玻璃、第一透明导电膜、N+晶硅、本质晶硅、P+晶硅、第二透明导电膜和背基底层由上而下依次叠连接设置,基面玻璃的两端均嵌设固定有透明导电条,两个透明导电条之间连接有若干透明导热条,透明导热条沿基面玻璃的宽度方向相互平行设置,基面玻璃的上端设有若干采光块,N+晶硅的顶端设有弧形凸起,表膜包括防尘透光薄膜和减反膜,防尘透光薄膜和减反膜由上而下依次设置。
  • 一种提高转换效率非晶硅太阳能电板
  • [发明专利]透明导电膜与包含其的电容式触摸屏-CN201510404695.4有效
  • 张国臻 - 张家港康得新光电材料有限公司
  • 2015-07-10 - 2018-08-28 - G06F3/044
  • 本发明提供了一种透明导电膜与包含其的电容式触摸屏。该透明导电膜包括:透明基材与设置在透明基材表面上的ITO,其中,ITO包括:第一结晶ITO、结晶ITO与第二结晶ITO,第一结晶ITO设置在透明基材的表面上;结晶ITO设置在第一结晶ITO的远离透明基材的表面上;第二结晶ITO设置在结晶ITO的远离第一结晶ITO的表面上。该透明导电膜的立体纹不明显,阻抗较低,成本较低,制作工艺较简单;同时,ITO透明基材及后续工艺中的银或铜导电印刷有着良好密着性,保证了透明导电膜具有良好的性能,提高了工艺生产的连贯性。
  • 透明导电包含电容触摸屏
  • [发明专利]太阳能电池及其制备方法-CN202111466522.7在审
  • 姚铮;崔巍;陈海燕;吴坚;蒋方丹 - 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
  • 2021-11-30 - 2023-06-02 - H01L31/075
  • 本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法,太阳能电池包括:衬底、第一本征晶半导体、n型晶半导体、第一透明导电膜、第一电极、第二本征晶半导体、p型晶半导体、第二透明导电膜、第二电极,衬底为n型晶体半导体衬底,衬底、第一本征晶半导体、n型晶半导体、第一透明导电膜之间依次叠加,衬底、第二本征晶半导体、p型晶半导体、第二透明导电膜之间依次叠加,第二透明导电膜为至少两,邻近p型晶半导体的第一第二透明导电膜为功函数≥4.2eV的高功函数导电膜,第二电极设置于远离p型晶半导体的第二透明导电膜
  • 太阳能电池及其制备方法
  • [实用新型]一种电容式触摸屏-CN201620033190.1有效
  • 刘艳山 - 东莞晶达电子科技有限公司
  • 2016-01-14 - 2016-06-15 - G06F3/044
  • 本实用新型公开一种电容式触摸屏,包括有触摸屏主体,所述触摸屏主体内部设置有基板,所述基板上表面设置有透明图案,所述透明图案上表面设置有透明光油层,所述透明光油层上表面设置有透明油墨,所述透明油墨内部设置有加强筋,所述加强筋设置有一根以上,所述透明油墨上表面设置有透明电极,所述透明电极上设置有散热柱,所述散热柱设置有一根以上,所述散热柱与透明电极为可拆卸设置,所述触摸屏主体的边缘上设置有散热;该电容式触摸屏设计简单
  • 一种电容触摸屏
  • [发明专利]异质结太阳能电池及其制造方法-CN201510088404.5在审
  • 简怡峻 - 新日光能源科技股份有限公司
  • 2015-02-26 - 2016-10-05 - H01L31/072
  • 一异质结太阳能电池包含掺杂型半导体基板、第一晶半导体缓冲、第一晶半导体、第二晶半导体缓冲、第二晶半导体、边缘保护、第一透明导电及第二透明导电。第一晶半导体缓冲包覆掺杂型半导体基板的第一表面与侧壁。第一晶半导体包覆第一晶半导体缓冲。第二晶半导体缓冲包覆第二表面。第二晶半导体包覆第二晶半导体缓冲。边缘保护包覆第一晶半导体的边缘。第一透明导电包覆第一晶半导体。第二透明导电包覆于第二晶半导体
  • 异质结太阳能电池及其制造方法

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