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[发明专利]一种FeCoMo非晶磁铁及生产方法-CN201710435235.7在审
发明人：刘志红 -专利权人：刘志红
申请日： 2017-06-10 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： C22C45/02 文献下载
摘要：一种FeCoMo非晶磁铁及生产方法，FeCoMo非晶粉末的成分为：Fe65‑85wt %，Co8‑25%wt、Mo5‑20 %wt，FeCoMo合金粉末为非晶结构。FeCoMo非晶磁铁生产方法包括以下步骤：（1）金属基板被镀表面的预处理；（2）电刷镀制备FeCoMo非晶合金镀层；（3）采用机械或物理的方法使非晶合金镀层脱落；（4）非晶合金颗粒的球磨；（5）采用粘结法制备
磁铁非晶非晶合金镀层预处理非晶粉末非晶合金非晶结构合金粉末金属基板电刷镀球磨粘结制备生产

[发明专利]一种非晶盘式电机-CN201910431204.3在审
发明人：王峰 -专利权人：北极鸥盘式特种电机深圳有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H02K1/12 文献下载
摘要：非晶盘式电机，包括非晶电机底座和设置于非晶电机底座中的定子非晶铁芯，所述定子非晶铁芯的铁芯底部设有若干圆孔，所述圆孔中分别固定设置钢针，钢针的头部露出所述圆孔所在的铁芯底部的表面；所述非晶电机底座内与所述铁芯底部上的圆孔对应处分别设有卡槽无需焊接固定，不会造成层间短路，并且非晶铁芯的固定更加可靠。
非晶圆孔钢针电机底座非晶铁芯铁芯盘式电机卡槽层间短路固定设置焊接固定卡接

[发明专利]一种非晶粉及其制备方法-CN202111625160.1在审
发明人：毛宇辰;李忞;周成;毛连根 -专利权人：江西大有科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种非晶粉及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：制备合金基体液；将所述合金基体液纯化处理，得到合金母液；将所述合金母液进行雾化制粉，得到非晶相浆液；将所述非晶相浆液进行磁吸，并脱水处理，得到非晶原始颗粒；将所述非晶原始颗粒进行气流整形，得到所述非晶粉。本发明公开的非晶粉具有高饱和、高磁导率、低损耗、球形度佳等优点。
一种非晶粉及其制备方法

[发明专利]光生伏打装置-CN200510105632.5有效
发明人：寺川朗 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-09-28 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明是一种在n型单晶硅基板和含有氢的p型非晶硅层之间，设置了含有氢的实质本征非晶硅层的光生伏打装置，在该装置中，在所述p型非晶硅层和所述本征非晶硅层之间，设有氢浓度比所述本征非晶硅层的氢浓度低的捕获层利用该捕获层抑制氢从本征非晶硅层向p型非晶硅层扩散。
光生伏打装置

[发明专利]形成非晶硅多层结构的方法-CN201710002081.2有效
发明人：陈美玲;刘玮鑫;陈意维;张景翔;李瑞珉;张家隆;吴姿锦;邹世芳 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-01-03 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种形成非晶硅(Amorphous silicon)多层结构的方法，包含有以下步骤:首先，提供一基底材料层，接着形成一第一非晶硅层于该基底材料层上，该第一非晶硅层包含有氢原子位于其中，然后对该第一非晶硅层进行一紫外线固化步骤，以移除该第一非晶硅层中的氢原子，以及形成一第二非晶硅层于该第一非晶硅层上。
形成非晶硅多层结构方法

[实用新型]一种非晶合金变压器-CN200920315132.8有效
发明人：袁义坤;谢志坚 -专利权人：华通机电集团有限公司
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01F27/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种非晶合金变压器，非晶合金变压器包括非晶合金铁心，非晶合金铁心包括一定数量的非晶合金铁片，其特征在于：非晶合金铁心接口处非晶合金铁片一部分以对接方式相连，另一部分以搭接方式相连，使铁心接口的连接更为牢固
一种合金变压器

[实用新型]一种非晶盘式电机-CN201920741746.6有效
发明人：王峰 -专利权人：北极鸥盘式特种电机深圳有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H02K1/12 文献下载
摘要：非晶盘式电机，包括非晶电机底座和设置于非晶电机底座中的定子非晶铁芯，所述定子非晶铁芯的铁芯底部设有若干圆孔，所述圆孔中分别固定设置钢针，钢针的头部露出所述圆孔所在的铁芯底部的表面；所述非晶电机底座内与所述铁芯底部上的圆孔对应处分别设有卡槽无需焊接固定，不会造成层间短路，并且非晶铁芯的固定更加可靠。
非晶圆孔钢针电机底座非晶铁芯铁芯盘式电机卡槽层间短路固定设置焊接固定卡接

[发明专利]抗纤维化药物吡非尼酮晶型及其制备方法-CN201610284441.8在审
发明人：杨守宁;杨嬅嬿;李伟;杨林;余绍宁 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： C07D213/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗纤维化药物吡非尼酮晶型及其制备方法，属于抗纤维化药物吡非尼酮技术领域。本发明的技术方案要点为：抗纤维化药物吡非尼酮晶型包括吡非尼酮晶型II和吡非尼酮晶型III，并且具体公开了该吡非尼酮晶型II和吡非尼酮晶型III的制备方法。本发明制备的吡非尼酮晶型II和吡非尼酮晶型III具有化学物理性质稳定、晶体颗粒均匀、适合长期储存和便于制剂制造等优点。
纤维化药物吡非尼酮晶型及其制备方法

[发明专利]一种大块非晶合金纳米化方法-CN03133630.2无效
发明人：张甲;董盼;王建强;全明秀;胡壮麒 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2003-08-01 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： C22F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及金属材料组织纳米化技术，具体为一种通过压力晶化法使大块非晶合金纳米化方法。通过压力晶化法大块非晶合金纳米化，具体步骤如下：1)用电弧炉将母合金反复熔炼；2)采用铜模铸造法制成mm级大块非晶；3)首先对该非晶合金加压，压力为3－5GPa，然后对大块非晶加热，加热温度为450～550℃，然后保温，保温时间为10－60min，自然冷却至室温后，卸掉压力，得到完全纳米级结构晶体或纳米晶/非晶复合结构。本发明通过压力晶化法得到的完全纳米级结构晶体或纳米晶/非晶复合结构晶体致密、无界面污染。
一种大块合金纳米方法

[发明专利]一种非晶电机铁芯的制造方法、非晶电机铁芯和非晶电机-CN201911229905.5在审
发明人：张涛;乔战毅;于昊龙 -专利权人：北京航晶科技有限公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H02K15/02 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶电机铁芯的制造方法、非晶电机铁芯和非晶电机。所述方法包括：步骤S1，获取非晶带材，并对所述非晶带材进行剪切处理，以获得预定长宽尺寸的非晶片；步骤S2，对所述非晶片进行预处理，以释放所述非晶片的应力；步骤S3，获取硅钢片，其中所述硅钢片与所述非晶片具有相同的长宽尺寸，将所述硅钢片与所述非晶片制成叠片；步骤S4，对所述叠片进行成型处理，以形成铁芯。根据本发明的制造方法，通过将非晶带材与硅钢片结合制成铁芯，提升了铁芯的机械强度；同时，在将非晶带材与硅钢片形成叠片之前对非晶带材进行预处理，以释放非晶带材的应力，提升了形成的叠片的质量和机械加工性能，进而提供了非晶电机的性能和使用寿命
一种电机制造方法

[发明专利]硅异质结太阳电池及其制备方法-CN201710456695.8在审
发明人：田宏波;王伟;赵晓霞;王恩宇;宗军;李洋;杨瑞鹏;周永谋 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：其中，该太阳电池包括：n型晶硅衬底层；轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层，氢化非晶硅缓冲层形成在衬底层的上、下两侧表面上；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层，氢化非晶硅发射极层形成在一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；重掺杂n型氢化非晶硅背场层，氢化非晶硅背场层形成在另一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；透明导电氧化物层，透明导电氧化物层形成在氢化非晶硅发射极层和氢化非晶硅背场层的表面上；金属栅线电极层，金属栅线电极层包括：合金过渡层，合金过渡层形成在透明导电氧化物层、氢化非晶硅背场层和氢化非晶硅发射极层至少一层表面上；含铜导电合金层，含铜导电合金层形成在合金过渡层的表面上。
氢化非晶硅发射极层背场层缓冲层透明导电氧化物层合金过渡层硅异质结太阳电池金属栅线电极导电合金层衬底层重掺杂制备轻掺杂晶硅

[发明专利]硅异质结太阳电池及其制备方法-CN201710461478.8在审
发明人：赵晓霞;王恩宇;王伟;田宏波;周永谋;杨瑞鹏;宗军;李洋 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：其中，该太阳电池包括：n型晶硅衬底层；轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层，氢化非晶硅缓冲层形成在衬底层的上、下两侧表面上；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层，氢化非晶硅发射极层形成在一侧轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层的表面上；重掺杂n型氢化非晶硅背场层，氢化非晶硅背场层形成在另一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；透明导电氧化物层，透明导电氧化物层分别形成在氢化非晶硅发射极层和氢化非晶硅背场层的表面上；合金栅线电极层，合金栅线电极层形成在透明导电氧化物层、氢化非晶硅背场层和氢化非晶硅发射极层的至少一层的表面上；以及电极保护层，电极保护层形成在合金栅线电极层的表面上。
氢化非晶硅发射极层背场层缓冲层透明导电氧化物层栅线电极硅异质结太阳电池合金电极保护层衬底层轻掺杂重掺杂制备晶硅

[实用新型]一种高效晶硅非晶硅异质结电池结构-CN201721705708.2有效
发明人：白焱辉;李高非;王继磊;易治凯;黄金;张娟 -专利权人：晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶硅/非晶硅异质结电池结构及其制备方法。它包括硅衬底层以及硅衬底层上层的上本征非晶硅层和硅衬底层下层的下本征非晶硅层，上本征非晶硅层的上层由下往上依次设置有受光面第一掺杂非晶硅层、受光面第二掺杂非晶硅层和上TOC层，下本征非晶硅层的下层由上往下依次设置有第三掺杂非晶硅层和下采用上述的结构和方法后，由于设置的两层受光面掺杂非晶硅层并且通过在制备过程中通过调整工艺参数实现受光面双掺杂非晶硅层，使其膜层同时具有优异的光学性能和电学性能，由此在不影响HJT电池受光面掺杂非晶硅导电性的情况下，提高了该掺杂非晶硅层的带隙，提高了光的利用率，从而了提高HJT电池的光电转换效率。
掺杂非晶硅层本征非晶硅层受光面硅衬底层异质结电池依次设置非晶硅下层上层光电转换效率导电性本实用新型掺杂非晶硅电池受光面电学性能非晶硅层光学性能制备过程双掺杂带隙晶硅两层膜层制备种晶电池

[实用新型]硅异质结太阳电池-CN201720707435.9有效
发明人：田宏波;王伟;赵晓霞;王恩宇;宗军;李洋;杨瑞鹏;周永谋 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：该太阳电池包括：n型晶硅衬底层；轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层，氢化非晶硅缓冲层形成在衬底层的上、下两侧表面上；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层，氢化非晶硅发射极层形成在一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；重掺杂n型氢化非晶硅背场层，氢化非晶硅背场层形成在另一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；透明导电氧化物层，透明导电氧化物层形成在氢化非晶硅发射极层和氢化非晶硅背场层的表面上；金属栅线电极层，金属栅线电极层包括：合金过渡层，合金过渡层形成在透明导电氧化物层、氢化非晶硅背场层和氢化非晶硅发射极层至少一层表面上；含铜导电合金层，含铜导电合金层形成在合金过渡层的表面上。
硅异质结太阳电池

[实用新型]硅异质结太阳电池-CN201720708353.6有效
发明人：赵晓霞;王恩宇;王伟;田宏波;周永谋;杨瑞鹏;宗军;李洋 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：该太阳电池包括：n型晶硅衬底层；轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层，氢化非晶硅缓冲层形成在衬底层的上、下两侧表面上；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层，氢化非晶硅发射极层形成在一侧轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层的表面上；重掺杂n型氢化非晶硅背场层，氢化非晶硅背场层形成在另一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；透明导电氧化物层，透明导电氧化物层分别形成在氢化非晶硅发射极层和氢化非晶硅背场层的表面上；合金栅线电极层，合金栅线电极层形成在透明导电氧化物层、氢化非晶硅背场层和氢化非晶硅发射极层的至少一层的表面上；以及电极保护层，电极保护层形成在合金栅线电极层的表面上。
硅异质结太阳电池