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[发明专利]一种基于氢控制的半导体器件及制备方法-CN202310806711.7在审
发明人：马武英;欧阳晓平;郭红霞;缑石龙;何宝平;潘琛 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于氢控制的半导体器件，包括依次相接的钝化层、阻挡吸收层、氧化层、硅层。以钛层为阻挡吸收层，阻挡氢进入氧化层，同时吸收氧化层中过量的氢，实现氧化层中氢含量控制。还涉及一种基于氢控制的半导体器件制备方法，包括流片、阻挡吸收层制备、封装，进一步包括阻挡吸收层优化，通过对比辐照试验，选取阻挡吸收层的厚度和材料。本发明设置氢阻挡吸收层，阻止辐射感生缺陷界面陷阱的形成，提升了半导体器件抗总剂量性能。制备过程不改变器件自身设计结构，对半导体器件常规性能影响小，易于实施，流程简便。
一种基于控制半导体器件制备方法

[发明专利]辐射选择性吸收体涂层和具有辐射选择性吸收体涂层的吸收体管-CN201010513352.9有效
发明人：托马斯·库克尔科恩;卡梅尔·希尔米;塞巴斯蒂安·德赖尔 -专利权人：肖特太阳能控股公司
申请日： 2010-10-15 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： F24J2/50 文献下载
摘要：本发明涉及辐射选择性吸收体涂层和具有辐射选择性吸收体涂层的吸收体管。具体地，本发明涉及辐射选择性吸收体涂层，尤其是用于抛物槽集热器的吸收体管的辐射选择性吸收体涂层，该涂层包含在红外范围内是反射性的层，至少一个布置在所述反射层之上的吸收层，并包含布置在所述吸收层之上的抗反射层，所述反射层布置在至少两个阻挡层上，并且所述至少两个阻挡层的第一阻挡层由热产生的氧化物构成，和所述至少两个阻挡层的布置在所述第一阻挡层之上的第二阻挡层由金属陶瓷材料构成，该金属陶瓷材料由至少一种选自氧化铝本发明还涉及包含此种吸收体涂层的吸收体管。
辐射选择性吸收体涂层具有

[实用新型]一种验孕护垫-CN202121473020.2有效
发明人：黎慧 -专利权人：湖北艾舒宝生活用品有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： A61F13/47 文献下载
摘要：本实用新型提供一种验孕护垫，包括：流体可渗透的顶层；设置在顶层下方中部的检测层，检测层为检测人绒毛膜促性腺激素浓度的验孕试纸；设置在检测层下方的艾叶芯层，且艾叶芯层包括棉质主体以及压印在棉质主体上的艾叶压缩物；设置在艾叶芯层下方的吸收层，吸收层用于吸收排泄物；设置在吸收层下方的阻挡层，阻挡层采用流体不可渗透材质制成；以及，设置在阻挡层下方的底层，底层为透气性材料；其中，阻挡层的边缘和艾叶芯层的边缘与吸收层的边缘重叠，验孕试纸的面积较艾叶芯层的面积小，顶层和底层的边缘相互融合，且检测层、艾叶芯层、吸收层和阻挡层为设置在顶层和底层围成的空间内。
一种护垫

[发明专利]一种太阳能选择性吸收涂层-CN201210314210.9有效
发明人：王君久;李峰;祝世春 -专利权人：北京天普太阳能工业有限公司
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： F24J2/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能选择性吸收涂层，包括：依次设置在玻璃基层上的红外反射层、阻挡层、吸收层和减反层，所述阻挡层为AlN与构成所述红外反射层的材料组成的混合物。本发明中，所述阻挡层中的AlN能够有效地阻断原子在红外反射层与吸收层之间的扩散、迁移；同时，阻挡层中的构成所述红外反射层的材料，一方面抑制了红外反射层中的原子向阻挡层的扩散，另一方面还能够扩散到红外反射层中，填补红外反射层中的空位等缺陷，完善红外反射层的结构，提高致密度，从而提高对红外辐射的阻挡强度。降低选择性吸收涂层的发射比，提高了涂层的吸收效果，减少了迁移对选择性吸收涂层的影响，提高选择性吸收涂层的使用寿命。
一种太阳能选择性吸收涂层

[发明专利]一种基于双雪崩机制的台面型雪崩单光子探测器-CN202210123375.1在审
发明人：李冠海;李鑫;陈健;陈金;郁菲茏;赵增月;陶玲;李志锋;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于双雪崩机制的台面型雪崩单光子探测器，包括衬底、缓冲层、P型层、第一阻挡层、第一吸收层、第二阻挡层、第二吸收层、I型层、N型层、钝化层、阴极引出端和阳极引出端。缓冲层、P型层、第一阻挡层、第一吸收层、第二阻挡层、第二吸收层、I型层、N型层依次按照从下到上的顺序生长在衬底上；光子从衬底入射，P型层上的阴极引出端接电源的负极，N型层上的阳极引出端接电源的正极，光子被第一吸收层，第二吸收层所吸收，且在第一吸收层和I型层进行倍增。
一种基于雪崩机制台面光子探测器

[实用新型]基于双雪崩机制的台面型雪崩单光子探测器-CN202220266897.2有效
发明人：李冠海;李鑫;陈健;陈金;郁菲茏;赵增月;陶玲;李志锋;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本专利公开了一种基于双雪崩机制的台面型雪崩单光子探测器，包括衬底、缓冲层、P型层、第一阻挡层、第一吸收层、第二阻挡层、第二吸收层、I型层、N型层、钝化层、阴极引出端和阳极引出端。缓冲层、P型层、第一阻挡层、第一吸收层、第二阻挡层、第二吸收层、I型层、N型层依次按照从下到上的顺序生长在衬底上；光子从衬底入射，P型层上的阴极引出端接电源的负极，N型层上的阳极引出端接电源的正极，光子被第一吸收层，第二吸收层所吸收，且在第一吸收层和I型层进行倍增。
基于雪崩机制台面光子探测器

[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法-CN201010105368.6有效
发明人：俆祥准;南基贤 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2010-01-28 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光二极管(OLED)显示器，所述OLED显示器包括基板主体、在所述基板主体上形成的OLED、在所述基板主体上形成并覆盖所述OLED的湿气吸收层、在所述基板主体上形成并覆盖所述湿气吸收层的第一阻挡层、在所述湿气吸收层和所述第一阻挡层之间形成的第一辅助阻挡层、在所述基板主体上形成并覆盖所述第一阻挡层的第二阻挡层，和在所述第一阻挡层和所述第二阻挡层之间形成的第二辅助阻挡层。
有机发光二极管显示器及其制造方法

[发明专利]太阳能选择吸收复合涂层-CN201610552889.3在审
发明人：宗亚娟 -专利权人：南通中兴多元复合钢管有限公司
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明公开了太阳能选择吸收复合涂层，依次包括底层金属片、热扩散阻挡层、吸收层和减反射层，其中热扩散阻挡层为Ta纳米层，吸收层为AlN‑Ag纳米层，减反射层为AlN纳米层。本发明将高熔点金属Ta引入吸收涂层作为扩散阻挡层，显著提高了涂层的热稳性以及界面结合力。本发明操作简单方便，可控性好，清洁无污染，适合大规模产业化。
太阳能选择吸收复合涂层

[发明专利]三层隔音器-CN201410095317.8有效
发明人：迈克尔·迪默;詹姆斯·切克 -专利权人：凯迪拉克汽车公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： B60R13/08 文献下载
摘要：三层隔音器系统，其包括声音分离层、连接声音分离层并由薄膜构成的声音阻挡层，以及连接声音阻挡层的微纤维声音吸收层；相对于声音分离层连接声音阻挡层的那边，微纤维声音吸收层处于声音阻挡层相对的另一边。微纤维声音吸收层设置在车辆部件面向乘客区的那一边。
三层隔音

[发明专利]光泵浦半导体芯片以及利用它的垂直外部空穴表面放出激光系统-CN200510029031.0无效
发明人：严基荣;金哲会 -专利权人：上海乐金广电电子有限公司
申请日： 2005-08-24 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明是有关光泵浦半导体芯片及利用它的垂直外部空穴表面放出激光系统的，光泵浦半导体芯片在基板的上部形成第一电流阻挡层(Current blocking layer)；在上述第一电流阻挡层上部层积了多个InGaN吸收层；在每一个InGaN吸收层之间都插入了比上述吸收层多IN的InGaN量子井层；上述吸收层的最上面的吸收层上部形成第二电流阻挡层；上述第二电流阻挡层上部形成DDR(Distributed Bragg接着，本发明可以达到的效果是：由InGaN形成光泵浦半导体芯片的吸收层和量子井层，不使用现有的第二次高调波物质，可以实现可视光激光。
光泵浦半导体芯片以及利用垂直外部空穴表面放出激光系统

[发明专利]柔性铜铟镓硒太阳能电池及其制备方法-CN202111237544.6在审
发明人：祁同庆;李伟民;赵晨晨;王伟;张琛;刘亚男;冯叶;李文杰;马明;宁德;杨春雷 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：本发明提供了一种柔性铜铟镓硒太阳能电池及其制备方法，所述电池包括柔性金属衬底以及在柔性金属衬底上依次设置的绝缘阻挡层、金属背电极层、铜铟镓硒吸收层、缓冲层、窗口层和金属顶电极层；其中，所述绝缘阻挡层中掺杂有氧化钠本发明的技术方案，在柔性金属衬底上先沉积掺杂有氧化钠的绝缘阻挡层，然后再依次制备背电极层和CIGS吸收层，Na元素以氧化钠的形式存在于绝缘阻挡层中，可以有效地在CIGS吸收层中掺入Na又避免Na元素过量掺入，提高电池的光电转换效果；另外，该绝缘阻挡层还可以阻止柔性金属衬底中的金属元素扩散至CIGS吸收层，避免金属元素的扩散导致对CIGS吸收层产生的不良影响。
柔性铜铟镓硒太阳能电池及其制备方法

[发明专利]可悬垂的吸收性卫生巾及用于可悬垂卫生吸收制品中的材料-CN200580031040.1有效
发明人： J·波西亚;L·G·罗森菲尔德;A·L·琼斯;T·怀索基;K·勒纳;A·G·阿拉门迪亚;E·基尔施 -专利权人：麦克内尔－PPC股份有限公司
申请日： 2005-09-16 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： A61F13/15 文献下载
摘要：一种吸收制品，包括覆盖层、阻挡层和位于覆盖层和阻挡层之间的吸收系统，该吸收制品是可悬垂的，并具有卫生巾所需的吸收特性。
悬垂吸收性卫生巾用于卫生吸收制品中的材料

[发明专利]可悬垂的吸收性卫生巾-CN200580031037.X无效
发明人： H·V·恩古耶;L·G·罗森菲尔德;T·怀索基 -专利权人：麦克内尔－PPC股份有限公司
申请日： 2005-09-16 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： A61F13/15 文献下载
摘要：一种吸收制品，包括覆盖层、阻挡层和位于覆盖层和阻挡层之间的吸收系统，该吸收制品是可悬垂的，并具有卫生巾所需的吸收特性。
悬垂吸收性卫生巾

[发明专利]显示装置-CN202110879352.9在审
发明人：马振硕;白炅旼;申铉亿;李周炫;高武恂;郑震九;崔庆铉 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种显示装置包括：包括显示区域和透射区域的基板；布置在基板的显示区域中并且包括第一阻挡层和第二阻挡层的阻挡层，第二阻挡层被布置在第一阻挡层上；布置在阻挡层上的绝缘层；布置在绝缘层上的晶体管；以及连接到晶体管的发光元件，其中第一阻挡层的第一反射率小于第二阻挡层的第二反射率，并且第一阻挡层的第一吸收系数小于第二阻挡层的第二吸收系数。
显示装置

[发明专利]具有整体芯吸阻挡件的吸收制品-CN99814081.3无效
发明人：陈芳洲;J·M·贝德纳茨;J·D·林德赛;J·迪帕尔马 -专利权人：金伯利－克拉克环球有限公司
申请日： 1999-09-24 - 公布日： 2002-09-04 - 主分类号： A61F13/15 文献下载
摘要：一种吸收制品,其包括一个中央吸收件和一个横向芯吸阻挡件,该横向芯吸阻挡件用于阻止从制品的中央区域向外面的外吸收件芯吸。芯吸阻挡件具有垂直元件,以防在制品平面内径向芯吸,这样促进制品内流体的中央填充,并降低了从制品的侧面泄漏的可能性。芯吸阻挡件还可具有水平元件,以便防止泄漏,重新引导流体流,增进贴合和制品的性能。在一个实施例中,中央吸收件是同心吸收结构,它具有阻挡件材料和吸收材料的交替的环,它包括由一层阻挡件材料与一层吸收材料卷绕形成的螺旋卷绕复合物,然后切片以提供一个薄的吸收层,该吸收层在厚度方向具有高的渗透率,但由于阻挡件材料因而在平面内具有低的渗透性。在一第二实施例中,吸收芯由具有中央空穴的外吸收件,中央吸收件和设置在外吸收件与中央吸收件之间的芯吸阻挡件构成,该中央空穴开口朝向吸收制品的贴身侧,该中央吸收件设置在中央空穴上并延伸进入该中央空穴内。
具有整体阻挡吸收制品

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