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- [发明专利]动态型半导体储存装置和半导体集成电路装置-CN00106448.7无效
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高瀬觉;原毅彦;中川薰;小柳胜
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株式会社东芝
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2000-04-10
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2000-10-18
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G11C11/34
- DRAM中,在具有分别由多个子阵列构成的多个储存体,在不同的储存体的子阵列之间有共用读出放大电路,为读出或写入数据,具有将各个储存体内所选择的子阵列活性化的行存取方式,具有以同一定时将储存体内的多个子阵列活性化并刷新储存单元数据的刷新方式,而且在刷新方式在1个储存体内以同一定时所活性化的子阵列个数,比行存取方式在1个储存体内活性化的子阵列个数要多。因此,减低动作制约的发生机率,可高速工作,实现了系统性能高的非独立储存体方式的DRAM。
- 动态半导体储存装置集成电路
- [发明专利]背光单元-CN201610086147.6有效
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车暻焄;郑承俊;郑锺勋
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三星电子株式会社
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2016-02-15
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2021-01-08
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G02F1/13357
- 所述背光单元包括:第一表面光源阵列;第二表面光源阵列,被布置在第一表面光源阵列的上部,并且按照使得第二表面光源阵列的发光表面与第一表面光源阵列的发光表面平行的方式被排列;反射板,被布置在第一表面光源阵列的下部,并且按照使得反射板的反射表面与第一表面光源阵列的发光表面平行的方式被排列,其中,第二表面光源阵列按照以下方式被堆叠在第一表面光源阵列上:第一表面光源阵列和第二表面光源阵列在与发光表面平行的平面中彼此偏离
- 背光单元
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