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[发明专利]本征砷化镓波导结构的太赫兹波单偏振输出器-CN201710891577.X有效
发明人：李九生;孙建忠 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本发明公开了一种本征砷化镓波导结构的太赫兹波单偏振输出器。它包括砷化镓层、砷化镓输入波导、砷化镓第一锥形波导、砷化镓多模干涉波导、砷化镓第二锥形波导、砷化镓定向耦合波导、砷化镓第三锥形波导、砷化镓第一弧形波导、砷化镓第二弧形波导、砷化镓第三弧形波导、砷化镓第一输出波导、砷化镓第二输出波导，当输入TE偏振模式的太赫兹波时，太赫兹波直接从砷化镓第二输出波导输出，没有发生偏振模式转换，当输入TM偏振模式的太赫兹波时，太赫兹波经过砷化镓多模干涉波导转换为TE偏振模式，经砷化镓定向耦合波导耦合从砷化镓第一输出波导输出
征砷化镓波导结构赫兹偏振输出

[发明专利]具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器-CN200910237780.0无效
发明人：孙晓明;郑厚植;章昊 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-11-17 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：一种具有低暗电流特性的谐振腔增强型光电探测器，包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上；一谐振腔结构生长在砷化镓缓冲层上；一有源区生长在腔体下砷化镓层上，包括交替生长的铟镓砷量子点和砷化镓间隔层；一腔体中砷化镓层生长在有源区上；一势垒结构生长在腔体中砷化镓层上，包括依次生长的下铝镓砷层、砷化铝层、上铝镓砷层以及铝镓砷渐变层，其中下铝镓砷层和上铝镓砷层的组成成份都为Al0.45Ga0.55As，铝镓砷渐变层的组成成份为AlXGa1-XAs，沿着生长方向，X由0.45渐变至0；一腔体上砷化镓层生长在势垒结构上；一上反射镜生长在腔体上砷化镓层上，包括依次生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层。
具有电流特性谐振腔增强光电探测器

[发明专利]1.3微米高密度量子点结构及其制备方法-CN200410009992.0无效
发明人：牛智川;方志丹;倪海桥;韩勤;龚政;张石勇;佟存柱;彭红玲;吴东海;赵欢;吴荣汉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-09 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：一种1.3微米高密度量子点结构，其特征在于，包括：一砷化镓过渡层；一第一砷化镓势垒层，该第一砷化镓势垒层制作在砷化镓过渡层上；一砷化铟自组织量子点，该砷化铟自组织量子点制作在第一砷化镓势垒层上；一铟镓砷覆盖层，该铟镓砷覆盖层制作在砷化铟自组织量子点上；一第二砷化镓势垒层，该第二砷化镓势垒层制作在铟镓砷覆盖层上；一砷化镓覆盖层，该砷化镓覆盖层制作在第二砷化镓势垒层上。
1.3 微米高密度量子结构及其制备方法

[发明专利]宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法-CN200610002667.0无效
发明人：刘宁;金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-01-26 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：一种宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法，包括如下步骤：在衬底上制备砷化镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的核心部分，为该材料的光谱发射区；在有源区上制备低温砷化镓盖层，该低温砷化镓盖层为上述有源区的上势垒层；在低温砷化镓盖层上制备高温砷化镓盖层，该高温砷化镓盖层是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的最外一层，具有保护作用
光谱砷化铟砷化铟镓砷化镓量子材料生长方法

[发明专利]一种分离并回收砷化镓废料中镓砷的方法-CN202310518567.7在审
发明人：田庆华;刘左伟;许志鹏;郭学益 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C22B58/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种分离并回收砷化镓废料中镓砷的方法，包括以下步骤：(1)向砷化镓废料中加入碱和氧化剂选择性浸出砷化镓废料中和砷和镓，浸出完成后分离得到浸出渣和浸出液，浸出液经过多次循环浸出后得到循环浸出母液；(2)将循环浸出母液先加热，随后低温静置冷却结晶，待沉淀完全后分离结晶，得到砷酸钠晶体和一次富镓母液；(3)向一次富镓母液中加入沉砷剂二次沉砷，分离得到沉砷渣和二次富镓母液；(4)将二次富镓母液通过旋流电积回收其中的镓离子，得到金属镓。本发明的分离并回收砷化镓废料中镓砷的方法，该方法可得到高浓度的镓砷富集液，镓砷分离后，富镓母液中砷浓度低，有利于镓的电积回收。
一种分离回收砷化镓废料中镓砷方法

[发明专利]铟镓磷增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构-CN200510088979.3无效
发明人：李海鸥;尹军舰;张海英;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-08-04 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L29/201 文献下载
摘要：一种铟镓磷增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构，其采用铟镓磷/铟铝砷/铟镓砷材料结构，在半绝缘砷化镓衬底材料上，应用缓变生长技术生长线性缓变铟铝镓砷外延层作为缓冲层，然后在缓冲层上顺序生长：铟铝砷层、铟镓砷层、铟铝砷层、平面掺杂层、铟铝砷层、应变铟镓磷层、铟镓砷层；其中，第九层铟镓砷外延层作为帽层，第八层应变铟镓磷层外延层作为耗尽型的势垒层，第七层铟铝砷外延层作为增强型的势垒层，第五层铟铝砷外延层作为隔离层，第四层铟镓砷作为沟道层。
铟镓磷增强耗尽应变电子迁移率晶体管材料结构

[发明专利]一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池-CN201710498727.0在审
发明人：黄孝如 -专利权人：海门市绣羽工业设计有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池，所述砷化镓太阳能电池依次包括：砷化镓衬底；位于砷化镓衬底上的背电场层；位于背电场层上的砷化镓p‑n结，所述砷化镓p‑n结包括层叠设置的n型砷化镓层和p型砷化镓层；位于砷化镓p‑n结上的砷化铝镓窗口层；位于砷化铝镓窗口层上的电极接触层；位于电极接触层上的防反射层；以及，位于电极接触层上的若干电极。
砷化镓砷化镓太阳能电池电极接触层防反射层砷化铝镓背电场窗口层衬底光电转换效率防反射结构太阳能电池层叠设置电极反射

[发明专利]一种中和沉淀富集回收砷化镓浸出液中镓砷的方法-CN202310327915.2在审
发明人：田庆华;刘左伟;许志鹏;郭学益 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C22B58/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种中和沉淀富集回收砷化镓浸出液中镓砷的方法，包括以下步骤：(1)向砷化镓碱性浸出液中加入酸调节pH，使浸出液中的砷和镓中和沉淀，沉淀完全后过滤分离得到中和渣和中和后液；(2)向中和渣中加入碱并加热溶解，得到镓砷富集液；(3)将镓砷富集液冷却，低温静置冷却结晶，然后抽滤分离得到含砷晶体和富镓母液；(4)将富镓母液通过旋流电积回收其中的镓离子，得到金属镓。本发明采用中和沉淀法工艺富集镓和砷，成本较低且操作简便，保证了电解液中镓的高浓度，后续采用冷却结晶脱砷，再旋流电积，脱砷后溶液中镓的浓度高，砷等杂质离子的浓度较低，有利于后续电积回收金属镓。
一种中和沉淀富集回收砷化镓浸出液中镓砷方法

[发明专利]长波长砷化铟/砷化镓量子点材料-CN200610088947.8无效
发明人：刘宁;金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-07-27 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：一种长波长砷化铟/砷化镓量子点材料，其特征在于，所述材料是基于应变自组织的量子点材料，其结构包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层，该砷化镓缓冲层制作在衬底上；一多周期量子点层，该多周期量子点层制作在砷化镓缓冲层上；一砷化镓盖层，该砷化镓盖层制作在多周期量子点层上。
波长砷化铟砷化镓量子材料

[发明专利]从砷化镓工业废料中回收镓和砷的方法-CN200510031531.8无效
发明人：郭学益;李平;黄凯;刘荣义 -专利权人：中南大学
申请日： 2005-05-13 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： C22B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种从砷化镓工业废料中回收镓和砷的方法。是以砷化镓工业废料为原料，采用原料研磨、硝酸自催化浸出、硫化物选择性沉淀砷、氢氧化物沉淀镓、氢氧化镓碱溶、电解回收镓等工艺，电解得到纯度为4N金属镓可进一步提纯到纯度为6N高纯金属镓，砷硫化物作为原料可按现行工艺进一步深加工处理得到高纯砷，这样得到的高纯镓和砷可作为砷化镓半导体合成的原料，从而实现砷化镓工业废料循环回收利用，镓和砷回收率高、成本低廉、可操作性强的特点。
砷化镓工业废料回收方法

[发明专利]砷化镓基增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料-CN200510011893.0无效
发明人：李海鸥;尹军舰;和致经;张海英;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-06-09 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：一种砷化镓基增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料，其采用铟镓磷/铝镓砷/铟镓砷材料结构，在半绝缘砷化镓衬底材料上，生长超晶格层作为缓冲层，然后在超晶格层上顺序生长：铝镓砷层、铟镓砷层、铝镓砷层、平面掺杂层、铝镓砷层、铟镓磷层、砷化镓层；其中，第九层砷化镓外延层作为帽层，第八层铟镓磷外延层作为耗尽型的势垒层，第七层铝镓砷外延层作为增强型的势垒层，第四层铟镓砷作为沟道层。
砷化镓基增强耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料

[发明专利]一种砷化镓电池散热结构-CN202210776874.0在审
发明人：史博鑫 -专利权人：史博鑫
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓电池散热结构，包括砷化镓芯片、电源正极、电源负极和散热器，所述砷化镓芯片的基面通过焊接层连接第一导体，所述电源负极通过所述第一导体连接所述砷化镓芯片的基面，所述砷化镓芯片通过正极导线连接第二导体本发明的有益效果是：通过改进砷化镓电池的封装结构，提高砷化镓电池自身的导热效率，使砷化镓电池产生的热量高效传导到散热器，防止砷化镓电池发生过热损毁。
一种砷化镓电池散热结构

[发明专利]一种砷化镓电池散热结构-CN202210960137.6在审
发明人：史博鑫 -专利权人：史博鑫
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓电池散热结构，包括砷化镓芯片、电源正极、电源负极和散热器，所述砷化镓芯片的基面通过焊接层连接第一导体，所述电源负极通过所述第一导体连接所述砷化镓芯片的基面，所述砷化镓芯片通过正极导线连接第二导体本发明的有益效果是：通过改进砷化镓电池的封装结构，提高砷化镓电池自身的导热效率，使砷化镓电池产生的热量高效传导到散热器，防止砷化镓电池发生过热损毁。
一种砷化镓电池散热结构

[发明专利]偏镓砷(100)衬底双模尺寸分布铟砷量子点及制作方法-CN200510086730.9无效
发明人：梁松;朱洪亮 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-10-27 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明一种偏镓砷(100)衬底双模尺寸分布铟砷量子点，其特征在于，包括：一偏镓砷(100)衬底；一镓砷缓冲层，该镓砷缓冲层制作在偏镓砷(100)衬底上，在GaAs缓冲层表面上得到多原子台阶；一InAs量子点层，该InAs量子点层制作在镓砷缓冲层上，该层量子点层中的量子点成线状排列并具有双模尺寸分布；一镓砷盖层，该镓砷盖层制作在InAs量子点层上，得到InAs量子点材料。
偏镓砷 100 衬底双模尺寸分布量子制作方法

[发明专利]宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法-CN200610064883.8无效
发明人：刘宁;金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-03-16 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法，所述材料生长方法是基于分子束外延设备的掩埋自组织量子点材料的生长方法，其中包括如下步骤：取一衬底；在衬底上制备砷化铝镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟/砷化铝镓量子点材料的核心部分，为该材料的光谱发射区；在有源区上制备低温砷化铝镓盖层，该低温砷化铝镓盖层为上述有源区的上势垒层；在低温砷化铝镓盖层上制备高温砷化铝镓盖层，该高温砷化铝镓盖层是该砷化铟/砷化铝镓量子点材料的最外一层，具有保护作用，完成材料的生长。
光谱砷化铟砷化铝镓量子材料生长方法

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