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[发明专利]高硬度过共晶高铬锰钼钨合金耐磨钢铁材料及其应用-CN200910037499.2有效
发明人：李卫 -专利权人：暨南大学
申请日： 2009-03-02 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： C22C38/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种高硬度过共晶高铬锰钼钨合金耐磨钢铁材料。本发明的高硬度过共晶高铬锰钼钨合金耐磨钢铁材料采用多元合金化，特别是碳、铬、锰、钼和钨的加入，使得材料比起现有的高铬铸铁具有淬透性好，硬度高，耐磨蚀性能和耐磨性更好等优势，从而扩大了材料的应用范围。本发明的高硬度过共晶高铬锰钼钨合金耐磨钢铁材料适于制备磨损和腐蚀磨损特别是冲刷腐蚀磨损工况用的零部件。
度过共晶高铬锰钼钨合金耐磨钢铁材料及其应用

[发明专利]锰铬共掺杂钨酸锌发光材料、制备方法及其应用-CN201110191460.3有效
发明人：周明杰;王平;陈吉星;黄辉 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： C09K11/68 文献下载
摘要：一种锰铬共掺杂钨酸锌发光材料，其化学式为ZnWO4:xMn4+，yCr3+，其中0.003≤x≤0.145，0.003≤y≤0.066。该锰铬共掺杂钨酸锌发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱(EL)中，在607nm和629nm波长区都有很强的发光峰，能够得到良好的绿光到蓝光的激发。本发明还提供该锰铬共掺杂钨酸锌发光材料的制备方法锰铬共掺杂钨酸锌发光薄膜、其制备方法及薄膜电致发光器件。
锰铬共掺杂钨酸锌发光材料制备方法及其应用

[其他]去除铁和钛杂质精炼共晶成分铝硅合金的方法-CN86103277无效
发明人：伯里斯·伊万诺维奇·埃姆林;德米特里·夫拉迪米罗维奇·伊林夫;阿莱克森尔·夫拉迪;米罗维奇·艾特斯科基;阿莱克森尔·尼科拉维奇·莫罗佐夫;吉纳迪·安弗里维奇·格洛夫科;维克托尔·帕夫洛维奇·斯里米洛夫基;伯里斯·奥托维奇·瓦斯曼 -专利权人： “勃列日涅夫”德聂伯罗彼特罗夫斯克冶金研究所;“基洛夫”德聂伯罗夫斯克铅厂
申请日： 1986-05-13 - 公布日： 1987-11-25 - 主分类号： C22C1/06 文献下载
摘要：一种去除铁和钛杂质精炼共晶铝硅合金的方法包括将共晶铝硅合金同铬与锰熔化在一起，将所得熔体冷却到590～660℃以及在上述温度范围内过滤已冷却的熔体，其中以这样的数量使用铬和钛，即在铬与锰的质量比等于(0.1～20)∶1时，使铬和锰的质量和与铁和钛的质量和之比为(0.2～1.1)∶1。
去除杂质精炼成分合金方法

[其他]去除铁和钛杂质精炼共晶成分铝硅合金的方法-CN101986000003277在审
发明人：伯里斯·伊万诺维奇·埃姆林;伯里斯·奥托维奇·瓦斯曼 -专利权人： “勃列日涅夫”德聂伯罗彼特罗夫斯克冶金研究院;“基洛夫”德聂伯罗夫斯克铅厂
申请日： 1986-05-13 - 公布日： 1989-08-02 - 主分类号：文献下载
摘要：一种去除铁和钛杂质精炼共晶铝硅合金的方法包括：将共晶铝硅合金同铬与锰熔化在一起，将所得熔体冷却到５９０～６６０℃以及在上述温度范围内过滤已冷却的熔体，其中以这样的数量使用铬和钛，即在铬与锰的质量比等于（０．１～２０）∶１时，使铬和锰的质量和与铁和钛的质量和之比为（０．２～１．１）∶１。
去除杂质精炼成分合金方法

[发明专利]去除铁和钛杂质精炼共晶成分铝硅合金的方法-CN86103277.2无效
发明人：伯里斯·伊万诺维奇·埃姆林;德米特里·夫拉迪米罗维奇·伊林夫;阿莱克森尔·夫拉迪;米罗维奇·艾特斯科基;阿莱克森尔·尼科拉维奇·莫罗佐夫;吉纳迪·安弗里维奇·格洛夫科;维克托尔·帕夫洛维奇·斯里米洛夫基;伯里斯·奥托维奇·瓦斯曼 -专利权人： “勃列日涅夫”德聂伯罗彼特罗夫斯克冶金研究院;“基洛夫”德聂伯罗夫斯克铅厂
申请日： 1986-05-13 - 公布日： 1989-08-02 - 主分类号： C22C1/06 文献下载
摘要：一种去除铁和钛杂质精炼共晶铝硅合金的方法包括将共晶铝硅合金同铬与锰熔化在一起，将所得熔体冷却到590～660℃以及在上述温度范围内过滤已冷却的熔体，其中以这样的数量使用铬和钛，即在铬与锰的质量比等于(0.1～20)∶1时，使铬和锰的质量和与铁和钛的质量和之比为(0.2～1.1)∶1。
去除杂质精炼成分合金方法

[发明专利]锰铬共掺杂碱土钛磷酸盐发光薄膜、制备方法及其应用-CN201210459983.6无效
发明人：周明杰;王平;陈吉星;黄辉 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： C09K11/71 文献下载
摘要：一种锰铬共掺杂碱土钛磷酸盐发光薄膜，其化学式为MeTi_4-x-yP₆O₂₄:xMn⁴⁺，yCr³⁺，其中，0.01≤x≤0.05，0.01≤y≤0.08，MeTi_4-x-yP₆O₂₄是基质，锰元素和铬元素是激活元素，Me为Mg、Ca、Sr、Ba或Zn，该锰铬共掺杂碱土钛磷酸盐发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在607nm和629nm位置都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明还提供该锰铬共掺杂碱土钛磷酸盐发光薄膜的制备方法及其应用。
锰铬共掺杂碱土磷酸盐发光薄膜制备方法及其应用

[发明专利]锰铬共掺杂碱土锌酸盐发光材料、制备方法及其应用-CN201310634783.4在审
发明人：周明杰;陈吉星;王平;黄辉 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-11-30 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： C09K11/55 文献下载
摘要：一种锰铬共掺杂碱土锌酸盐发光材料，其化学式为Me1-x-yZnO2：xMn4+，yCr3+，其中，x为0.01～0.05，y为0.01～0.08，Me选自钙元素，锶元素及钡元素中至少一种。该锰铬共掺杂碱土锌酸盐发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在607nm和629nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明还提供该锰铬共掺杂碱土锌酸盐发光材料的制备方法及其应用。
锰铬共掺杂碱土锌酸盐发光材料制备方法及其应用

[发明专利]锰铬共掺杂氧化锆发光材料、制备方法及其应用-CN201210047875.8有效
发明人：周明杰;王平;陈吉星;黄辉 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C09K11/67 文献下载
摘要：一种锰铬共掺杂氧化锆发光材料，其化学式为ZrO2:xMn4+，yCr3+，其中ZrO2是基质，Mn和Cr元素是激活元素，0.01≤x≤0.05，0.001≤y≤0.02。该锰铬共掺杂氧化锆发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱(EL)中，在607nm和629nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明还提供该锰铬共掺杂氧化锆发光材料的制备方法及其应用。
锰铬共掺杂氧化锆发光材料制备方法及其应用

[发明专利]铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置-CN201110365869.2无效
发明人：李瑛;刘聪;王世伟;薄伟强;姚俊;朱明原;胡业旻;金红明 -专利权人：上海大学
申请日： 2011-11-18 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明涉及脉冲磁场下铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置，属于磁性半导体材料工艺技术领域。本发明方法是采用锌盐，沉淀剂及共掺杂金属盐溶液为原材料；按照沉淀剂与锌盐的摩尔比为4:1~6:1，共掺杂金属盐与锌盐的摩尔比为1:100~5:100，高压反应釜的填充度为50~80%，在水热法的基础上施加强度为1~80T（特斯拉）的脉冲磁场，在反应温度为120~400℃条件下，在反应釜中反应2~24小时，得到反应生成物，然后将产物在80~85℃下干燥10~12小时，即可得到铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体粉体材料。本发明方法制得的铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体粉末材料，纯度高、掺杂均匀、微观结构可控，某些工艺参数条件下制备的铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体材料具有室温铁磁性。
铬锰共掺杂 zno 半导体材料制备方法装置

[其他]耐磨耐冲击高碳锰铬稀土合金-CN88105047无效
发明人：高德宣 -专利权人：沈阳市城区经济技术开发公司
申请日： 1988-03-31 - 公布日： 1988-12-21 - 主分类号： C22C38/38 文献下载
摘要：本发明为一种新型铸造用高碳锰铬稀土合金，其金相组织分析结果为屈氏体+共晶碳化物+马氏体，它是在降低高铬合金中的含铬量的同时，提高锰的含量，并且添加了使组织细腻弥散，均匀的元素铜、钼和稀土，故本发明的高碳锰铬稀土合金同时具有高铬合金抗磨和高锰合金抗冲击的优点
耐磨冲击高碳锰铬稀土合金

[发明专利]耐磨耐冲击高碳锰铬稀土合金-CN88105047.4无效
发明人：高德宣 -专利权人：沈阳市城区经济技术开发公司
申请日： 1988-03-31 - 公布日： 1990-05-09 - 主分类号： C22C38/38 文献下载
摘要：本发明为一种新型铸造用高碳锰铬稀土合金，其金相组织分析结果为屈氏体+共晶碳化物+马氏体，它是在降低高铬合金中的含铬量的同时，提高锰的含量，并且添加了使组织细腻弥散，均匀的元素铜、钼和稀土，故本发明的高碳锰铬稀土合金同时具有高铬合金抗磨和高锰合金抗冲击的优点
耐磨冲击高碳锰铬稀土合金

[发明专利]一种低共熔溶剂电沉积铬锰合金镀层的方法-CN201610975321.2在审
发明人：华一新;武腾;汝娟坚;徐存英;李坚;张启波;李艳;高小兵;苏波;艾刚华;牛平召 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2016-11-07 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： C25D3/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种低共熔溶剂电沉积铬锰合金镀层的方法，属于表面工程和表面处理技术领域。在惰气环境下，首先将季铵盐与多元醇混合均匀后形成低共熔溶剂，然后向低共熔溶剂中加入三氧化二铬和一氧化锰，制备得到低共熔溶剂电解液；以石墨为阳极，预处理后的基体为阴极，在控制电解液温度为35~75℃、槽电压为1.8~2.8V、阳极与阴极距离为0.6~2.4cm的条件下，在制备得到的低共熔溶剂电解液中电沉积0.5~5h，将电积后的阴极基体经丙酮、蒸馏水冲洗，干燥后即能在阴极基体上得到铬锰合金镀层。采用该方法可制备得到的铬锰合金镀层光亮致密平整，与基体结合能力强，耐磨性及耐腐蚀性优异，避免了六价铬及镀液的危害，环境友好。
一种低共熔溶剂沉积合金镀层方法

[发明专利]一种锰铬共掺杂锆砷酸盐发光薄膜、制备方法及其应用-CN201610420395.X在审
发明人：郑甘裕 -专利权人：郑甘裕
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：一种锰铬共掺杂锆砷酸盐发光薄膜，其化学式为RZr_4‑x‑yAs₆O₂₄∶xMn⁴⁺,yCr^{3+6O₂₄是基质，Mn⁴⁺和Cr³⁺离子是激活元素，该锰铬共掺杂锆砷酸盐发光薄膜的电致发光光谱本发明还提供该锰铬共掺杂锆砷酸盐发光薄膜的制备方法及其应用。}
一种锰铬共掺杂砷酸盐发光薄膜制备方法及其应用

[发明专利]锰铬共掺硅铝氮氧碱土盐发光材料、制备方法及其应用-CN201310168141.X无效
发明人：周明杰;王平;陈吉星;钟铁涛 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-05-06 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：一种锰铬共掺硅铝氮氧碱土盐发光材料，其化学式为Me-SiAlON：xMn4+,yCr4+，Me-SiAlON是基质，Mn4+离子和Cr4+离子是激活元素，其中，x为0.01～0.07，y为0.01～0.05该锰铬共掺硅铝氮氧碱土盐发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在607nm和629nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明还提供该锰铬共掺硅铝氮氧碱土盐发光材料的制备方法及其应用。
锰铬共掺硅铝氮氧碱土发光材料制备方法及其应用

[发明专利]钛基复合材料-CN94191847.5无效
发明人： V·J·马祖尔;Y·Z·塔兰;S·V·卡普斯尼科瓦;V·I·特里菲洛夫;S·A·菲尔斯托夫;L·D·库拉克 -专利权人： I·N·弗兰特塞维奇材料科学研究所
申请日： 1994-03-01 - 公布日： 1996-04-24 - 主分类号： C22C14/00 文献下载
摘要：一种具有共晶形成钛合金增强相的钛基复合材料，该复合材料含有硅、铝、锆、锰、铬、钼、碳、铁、硼、钴、镍、锗、和铜中的至少二种元素。一种具有共晶形成钛合金增强相的钛基复合材料，该复合材料含有硅、铝、锆、锰、铬、钼、碳、铁、硼、钴、镍、锗、和铜中的至少二种元素。
复合材料

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