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[发明专利]高纯度铟化合物的制造方法及其应用-CN00112458.7无效
发明人：牛澄波 -专利权人：袁福寅
申请日： 2000-08-16 - 公布日： 2002-03-06 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯度铟化合物的制造方法及其应用,铟锭用水淬法制成铟粒,经酸解和提纯制得氢氧化铟,氢氧化铟氧化锻烧得纯度为99.99%—99.999%氧化铟,由氢氧化铟、氧化铟和锌粉组成无汞碱锰电池的代汞剂,高纯度铟盐可应用于镀铟集流体铜钉生产中的,它们应用于电池工业,从而保证了其在环保型电池的优越的缓蚀、消气和代汞的性能。
纯度化合物制造方法及其应用

[发明专利]铁矾渣焙烧浸出萃取提铟的工艺-CN98112542.5无效
发明人：陈志飞;姚先理;宁顺明;蒙在吉;罗毓湘;沈湘黔;袁铁锤;谢美球;黎红兵 -专利权人：冶金工业部长沙矿冶研究院
申请日： 1998-07-09 - 公布日： 2001-05-23 - 主分类号： C22B58/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种从锌生产所产铁矾渣中提铟的方法，其工艺是将铁矾渣焙烧，焙烧料浸出，用离心萃取器进行铟铁分离，从有机相中反萃铟，反铟液用锌板置换，海绵铟经压团、电积、熔铸得含铟９９．９９３％的铟锭；反萃铟后的有机相经处理返回萃取工序使用；萃铟余液通过有机相—水相分离，有机相得以回收，分离有机相后水溶液送提锌系统。本工艺经工业试验，从铁矾渣至金属铟，铟治炼回收率８０．４４％。
铁矾渣焙烧浸出萃取工艺

[发明专利]含铟金属的制造方法-CN200680021002.2有效
发明人：赤堀道弘;中吉康隆;矢野正和 -专利权人：三井金属矿业株式会社
申请日： 2006-03-08 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： C22B58/00 文献下载
摘要：本发明提供一种含铟金属的制造方法，在该方法中，将制造ITO薄膜时飞散的含铟物质进行回收而得到含铟溶液，由该含铟溶液回收铟，以制造含铟金属。在所述方法中，中和所述含铟溶液，将所得到的中和沉淀物浸渍在不溶解铟的液体中，使导致钝态形成的离子溶解到该液体中，对导致钝态形成的离子进行洗涤处理，之后，用酸将洗涤处理后的物质溶解，形成酸溶解液，在该酸溶解液中浸入金属板，使海绵铟析出，由该海绵铟制造铟金属。
金属制造方法

[实用新型]一种环形激光器电极铟封装置-CN202020866140.8有效
发明人：郭学永 -专利权人：郭学永
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： F16J15/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及环形激光器制造领域，具体涉及一种环形激光器电极铟封装置，包括1、压块，2、电极，3、液态铟金属，4、铟环，5、谐振腔。所述铟环放置在谐振腔电极口铟环外围，所述卡环放置在与卡环圆周均等距离处，所述卡箍卡在卡环上防止松开，所述液态铟金属加注在铟环和卡环之间，所述电极放置在固液态的铟金属上，所述压块放置在电极上，将铟金属压实密封本实用新型设计一种环形激光器电极铟封装置，将电极封接改进为冷热铟封相结合的方式，液态铟有很好的填充能力，降低了铟封端口的光洁度对密封效果的影响，提高了密封可靠性。
一种环形激光器电极装置

[发明专利]制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法-CN201510012713.4有效
发明人：杨涛;高凤;罗帅;季海铭 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：一种制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤步骤1选择一磷化铟衬底；步骤2在该磷化铟衬底上生长磷化铟缓冲层；步骤3在磷化铟缓冲层上生长晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4在铟镓砷磷薄层上制备多周期的砷化铟量子点有源层，所述铟镓砷磷薄层是砷化铟量子点有源层的下势垒层；步骤5在砷化铟量子点有源层上沉积铟镓砷磷盖层，本层为砷化铟量子点有源层的上势垒层。
制作光谱砷化铟磷化量子激光器有源方法

[发明专利]一种氧化铟纳米晶及其生长方法-CN201610198143.7在审
发明人：沈燕;徐现刚;沈建兴 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种氧化铟纳米晶及其生长方法，将基板置入蒸发炉腔室中的基板架上，同时将氧化铟原料置入所述腔室中的坩埚中；加热氧化铟原料，使其溶解、并部分挥发分解为金属铟蒸汽，金属铟蒸汽挥发至所述基板处，冷凝形成金属液滴；继续加热所述氧化铟原料挥发出氧化铟蒸汽，使氧化铟蒸汽挥发至金属液滴处，金属液滴作为纳米晶生长的催化剂，不断溶解氧化铟，至过饱和状态，便会在所述金属液滴内析出氧化铟晶核，最终形成一维或准一维柱状氧化铟纳米晶本实施所提出的氧化铟纳米晶生长方法，以氧化铟原料中分解形成的铟液滴为催化剂生长纳米晶，容易获得大面积纯度高纳米晶；在生长过程中，只用到氧化铟一种原料，工艺过程简单且安全。
一种氧化纳米及其生长方法

[发明专利]背照式高速光电二极管接收芯片及其制作方法-CN201710024170.7有效
发明人：杨彦伟;陆一峰;刘格;刘胜宇;刘宏亮 -专利权人：深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本发明提出了一种背照式高速光电二极管接收芯片及其制作方法，芯片包括：外延层，包括P型台面、N型台面、磷化铟衬底；P型台面包括铟砷化镓吸收层、磷砷化镓铟渐变层、反射镜面层、磷化铟顶层、铟砷化镓接触层；N型台面包括磷化铟缓冲层；其中，磷化铟衬底上依次生长磷化铟缓冲层，铟砷化镓吸收层、磷砷化镓铟渐变层、反射镜面层、磷化铟顶层、铟砷化镓接触层；集成微透镜，设置于磷化铟衬底的一侧，且集成微透镜与磷化铟缓冲层在磷化铟衬底的不同侧。
背照式高速光电二极管接收芯片及其制作方法

[发明专利]一种磷化铟尾料制备磷化铟多晶的方法-CN202111045842.5有效
发明人：陈伟杰;白平平;周铁军;危严;林嘉威;齐正阳 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷化铟尾料制备磷化铟多晶的方法，包括：将磷化铟尾料和过量红磷分别置于真空密封石英管的两端，再置于加热器中，将加热器置于压力容器内，在后续的加热过程中磷化铟尾料区域的温度高于红磷区域；加热升温确保在磷化铟尾料区域温度达到磷化铟的熔点前使石英管内压力达到磷化铟的离解压；待石英管内压力到达磷化铟离解压后，将磷化铟区域的温度升至1100～1300℃进行保温；然后对磷化铟区域进行分区域降温以使磷化铟进行定向凝固，得到磷化铟多晶料。本方法不仅能获得良率高的磷化铟多晶，而且可以提高磷化铟废料的利用率，简化工艺，降低生产成本，避免回收铟和磷过程中造成的资源浪费，减少废水废渣的产生，保护环境。
一种磷化铟尾料制备多晶方法

[实用新型]背照式高速光电二极管接收芯片-CN201720045224.3有效
发明人：杨彦伟;陆一峰;刘格;刘胜宇;刘宏亮 -专利权人：深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种背照式高速光电二极管接收芯片，包括外延层，包括P型台面、N型台面、磷化铟衬底；P型台面包括铟砷化镓吸收层、磷砷化镓铟渐变层、反射镜面层、磷化铟顶层、铟砷化镓接触层；N型台面包括磷化铟缓冲层；其中，磷化铟衬底上依次生长磷化铟缓冲层，铟砷化镓吸收层、磷砷化镓铟渐变层、反射镜面层、磷化铟顶层、铟砷化镓接触层；集成微透镜，设置于磷化铟衬底的一侧，且集成微透镜与磷化铟缓冲层在磷化铟衬底的不同侧。
背照式高速光电二极管接收芯片

[发明专利]铟吸附剂、铟吸附剂的制造方法以及铟吸附方法-CN201010280023.4无效
发明人：山下启司;稻垣靖史 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-09-08 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： B01J20/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种铟吸附剂、铟吸附剂的制造方法以及铟吸附方法。该铟吸附剂包括具有关于铟的模板结构的聚合物材料，所述铟吸附剂具有相对于锌的2.0以上的铟吸附选择率。
吸附剂制造方法以及吸附

[发明专利]一种红外焦平面探测器嵌合式铟互连结构-CN202010324647.5在审
发明人：朱建妹 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外焦平面探测器嵌合式铟互连结构，该结构是由凸起子铟体的列阵芯片和凹陷母铟体的列阵芯片通过对准嵌合，形成铟互连。凸起子铟体是在红外材料芯片上制备的铟柱列阵，凹陷母铟体是在硅集成电路或宝石电路芯片上制备的铟柱列阵。本发明的优点是：红外材料芯片与硅集成电路或宝石电路芯片通过子母铟体嵌合达到铟互连，压力小，互连紧密，连通率高。该发明很好的解决了红外焦平面探测器铟混成互连的断层问题，而且可以更好的满足多元器件铟互连要求。
一种红外平面探测器嵌合互连结构

[发明专利]一种用于红外焦平面器件的复合铟柱及制备方法-CN200710045148.7有效
发明人：朱建妹 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2007-08-22 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于红外焦平面阵列探测器的复合铟柱及制备方法，该复合铟柱的特征是：外层由黄金包覆，内填满铟构成。复合铟柱制备的特征是首先在光刻孔内壁形成厚度为500～700黄金层，然后再真空蒸发淀积铟，部分铟自然填入由黄金层为内壁的孔内，由于填充的是热铟源，对黄金壁产生合金作用，从而形成由黄金层包覆，内填满铟构成的复合铟柱本发明的最大优点是：制备出来的铟柱表面光滑，铟柱直径可达到10－12微米，中心距为6－10微米，铟柱高度控制在10－12微米。
一种用于红外平面器件复合制备方法

[发明专利]散热板的制造方法及采用该散热板的半导体器件-CN200510059829.X有效
发明人：赤川雅俊;中泽昌夫;中泽秀人 -专利权人：新光电气工业株式会社
申请日： 2005-03-31 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：在将铟或铟合金用作介于半导体元件和散热板14之间的将半导体元件的背面和散热板之间接合的导热接合材料20的散热板的制造方法中，将散热板14成形为预定形状后，对散热板14的表面实施净化处理，随后，将铟或铟合金供给散热板14，将铟或铟合金加热、熔融使铟或铟合金18粘接到散热板上后，实施使由铟或铟合金构成的导热接合材料20的表面平坦化的平坦化加工，得到铟或铟合金一体型散热板。
散热制造方法采用半导体器件

[发明专利]散热板的制造方法及采用该散热板的半导体器件-CN200810129875.6无效
发明人：赤川雅俊;中泽昌夫;中泽秀人 -专利权人：新光电气工业株式会社
申请日： 2005-03-31 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：在将铟或铟合金用作介于半导体元件和散热板(14)之间的将半导体元件的背面和散热板之间接合的导热接合材料(20)的散热板的制造方法中，将散热板(14)成形为预定形状后，对散热板(14)的表面实施净化处理，随后，将铟或铟合金供给散热板(14)，将铟或铟合金加热、熔融使铟或铟合金(18)粘接到散热板上后，实施使由铟或铟合金构成的导热接合材料(20)的表面平坦化的平坦化加工，得到铟或铟合金一体型散热板。
散热制造方法采用半导体器件

[实用新型]红外焦平面探测器嵌合式铟互连结构-CN202020619621.9有效
发明人：朱建妹 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本专利公开了一种红外焦平面探测器嵌合式铟互连结构，该结构是由凸起子铟体的列阵芯片和凹陷母铟体的列阵芯片通过对准嵌合，形成铟互连。凸起子铟体是在红外材料芯片上制备的铟柱列阵，凹陷母铟体是在硅集成电路或宝石电路芯片上制备的铟柱列阵。本专利的优点是：红外材料芯片与硅集成电路或宝石电路芯片通过子母铟体嵌合达到铟互连，压力小，互连紧密，连通率高。该专利很好的解决了红外焦平面探测器铟混成互连的断层问题，而且可以更好的满足多元器件铟互连要求。
红外平面探测器嵌合互连结构