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[发明专利]一种无铅压电铌酸钾钠薄膜的制备方法-CN200810231773.5无效
发明人：任巍;阎鑫;吴小清;王玲艳;史鹏;陈晓峰;姚熹 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2008-10-16 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明涉及无铅压电功能材料领域，特别涉及一种无铅压电铌酸钾钠薄膜的制备方法。它包括以下步骤：称量无水五氯化铌NbCl₅和无水乙醇，以无水苯为反应溶剂，通入氨气，抽滤、洗涤、蒸馏，得到乙醇铌溶液；称取无水乙酸钠和无水乙酸钾，并溶于乙酸溶液中，获得含钾钠混合溶液；其次称取乙醇铌溶液，溶于乙二醇甲醚溶液中，获得含铌溶液；将上述得到的含钾钠混合溶液与含铌溶液进行混合，加热、搅拌，得到铌酸钾钠溶胶，作为前驱液采用旋转成膜法制备薄膜。
一种压电铌酸钾钠薄膜制备方法

[发明专利]铌钽酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法-CN200610043041.4无效
发明人：樊慧庆;焦岗成;刘来君;王炜 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2006-06-27 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌钽酸钾钠基压电陶瓷，其原材料为碳酸钾、碳酸钠、氧化铌、氧化钽的基料以及占基料量0.2～0.8mol％的Cu²⁺、Sb⁵⁺、Sn⁴⁺、Li⁺离子任一种或者任几种，基料化学计量比为(K_1－xNa_x)(Nb_1－yTa_{y铌钽酸钾钠基压电陶瓷的制备方法，将上述原料装入球磨罐中球磨混合后合成，合成温度为800～900℃，保温时间为4～10h；将所得熟料二次球磨后，冷等静压50～100MPa压力下压成圆片素坯本发明通过在陶瓷烧结过程中掺杂Cu²⁺，Sb⁵⁺，Sn⁴⁺或Li⁺离子任一种或者任几种，提高了铌酸钾钠基压电陶瓷的整体电学性能}
铌钽酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种改性明胶/铌酸钾钠复合的电活性抗菌生物敷料及其制备与应用-CN201710795554.9有效
发明人：宁成云;翟锦霞;于鹏;易新;周文浩;周正难 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： A61L15/42 文献下载
摘要：本发明属于生物敷料的技术领域，公开了一种改性明胶/铌酸钾钠复合的电活性抗菌生物敷料及其制备与应用。所述电活性抗菌生物敷料主要由明胶甲基丙酸酯水凝胶与铌酸钾钠压电粒子或明胶甲基丙酸酯水凝胶与铌酸钾钠纳米纤维在引发剂的作用下固化成膜，然后通过极化处理制备而成；所述明胶甲基丙酸酯水凝胶是通过甲基丙烯酸酐改性明胶得到；所述铌酸钾钠压电粒子是将五氧化二铌、碳酸钾和碳酸钠通过高温固相反应得到；所述铌酸钾钠纳米纤维通过静电纺丝制备而成。
一种改性明胶铌酸钾钠复合活性抗菌生物敷料及其制备应用

[发明专利]一种织构化的铌酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法和应用-CN202211549965.7在审
发明人：曹俊;蒋健晖 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提供一种织构化的铌酸钾钠基压电陶瓷，其包括用于促进织构化发生的模板晶体材料Ba2Bi4Ti5O18和铌酸钾钠基体材料，所述铌酸钾钠基体材料定向生长在所述模板晶体材料上，其化学通式为：X Ba2Na0.535NbO3两种材料以特定的比例进行织构化，由于两种材料之间的相互协同作用，使所形成的织构化的铌酸钾钠基压电陶瓷获得了综合电学性能的提高
一种织构化铌酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]铌酸钾钠压电陶瓷的制备方法-CN201110030566.5无效
发明人：樊慧庆;谭晓惠 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸钾钠压电陶瓷的制备方法，用于解决现有的方法制备的铌酸钾钠陶瓷体积大的技术问题。技术方案是研究了分散剂用量、粘结剂用量、球磨时间、浆料固相体积分数以及增塑剂与粘结剂的质量比对浆料流变性能的影响，通过优化流延浆料组分的各种配比，并综合考虑流延片的平整性、致密性和均匀收缩性，得出适合铌酸钾钠流延成型的最佳配方，并寻求其最佳烧结温度，得到性能优异就铌酸钾钠压电陶瓷厚膜。通过流延制备的铌酸钾钠压电陶瓷，在保持了传统方法制备的陶瓷较高居里温度，较高介电常数等高性能的同时，缩小了材料的体积，更加适应电子元器件微型化的需求。
铌酸钾钠压电陶瓷制备方法

[发明专利]一种用于压电雾化片的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及制作工艺-CN201910871743.9在审
发明人：龚文;吴超峰 -专利权人：桐乡清锋科技有限公司
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提出一种用于压电雾化片的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及制作工艺，采用锑、钡、锆和钛元素进行掺杂取代，通过复合添加的方法，实现价态和空位补偿，提高其压电性能，使之满足于压电雾化片的性能要求。本发明采用铌酸钾钠基无铅压电陶瓷取代传统的含铅压电材料作为压电雾化片的核心元件，绿色环保，可有效避免压电陶瓷材料在生产、使用和废弃过程中带来的铅污染，减少对人类健康和环境的损害。
一种用于压电雾化铌酸钾钠基无铅陶瓷制作工艺

[发明专利]铌酸钠钾-钛酸铋钠纳米陶瓷的制备方法-CN200910021832.0无效
发明人：樊慧庆;刘来君;陈秀丽;柯善明 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2009-04-03 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸钠钾-钛酸铋钠纳米陶瓷的制备方法，将分析纯级五氧化二铌、碳酸钠、碳酸钾、二氧化钛、三氧化二铋，化学计量比为(1-x)[(Na_0.5Bi_{0.5Na_0.5)TiO₃]，其中：0.005＜x＜0.9配料，经过高能球磨混料、预烧、冷等静压成型、高温烧结、打磨抛光以及溅射金电极工序，最终制备铌酸钠钾-钛酸铋钠纳米陶瓷。由于对铌酸钠钾-钛酸铋钠固溶体体系进行高能球磨和无压烧结，制备出了纳米级的铌酸钠钾-钛酸铋钠纳米陶瓷，陶瓷的晶粒尺寸由现有技术的1～5微米减小到88～93纳米。}
铌酸钠钾钛酸铋钠纳米陶瓷制备方法

[发明专利]铌酸钾钠-锆酸铋钠无铅压电单晶及其生长方法-CN201610217456.2有效
发明人：朱秀;许桂生;刘锦峰;田彦锋 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及铌酸钾钠‑锆酸铋钠无铅压电单晶及其生长方法，所述铌酸钾钠‑锆酸铋钠无铅压电单晶的化学式为(1‑y)(K_xNa_1‑x)NbO₃‑本发明中，将原料与生长助剂混合预烧，并采用坩埚下降法生长得到铌酸钾钠‑锆酸铋钠无铅压电单晶，通过添加生长助剂后的坩埚下降法生长晶体具有容易成核，晶体尺寸较大(2～20mm)且裂纹较少等优点。
铌酸钾钠锆酸铋钠无铅压电及其生长方法

[发明专利]一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料及其制备方法-CN201711169984.6有效
发明人：戴叶婧;吕玉凯;赵志浩 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L41/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，原料组分及其摩尔百分比含量为K0.5Na0.5NbO3钾、五氧化二铌、草酸亚铁，球磨、烘干后再将混合原料于800～900℃预合成，再进行造粒、成型、排胶后于1070～1100℃烧结，制得高性能铌酸钾钠基无铅压电陶瓷。
一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]铌酸钾钠锂基无铅压电单晶及其生长方法-CN201310177527.7在审
发明人：刘莹;许桂生;刘锦峰;杨丹凤 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸钾钠锂基无铅压电单晶及其生长方法，其为钙钛矿结构，化学式为(KxNa1-x)1-yLiy(Nb1-zMz)O3，其中M表示过渡金属元素，0<x<1，0<y<1称取原料粉末和助熔剂并混合；将起始料放入坩埚中；在500～1100℃保温3～20h，升温至1000～1300℃，保温2～20h使起始料熔化，然后坩埚以0.1～1.2mm/h的速度下降结晶，完毕冷却到室温得到铌酸钾钠锂基无铅压电单晶本发明首次采用添加助熔剂的坩埚下降法实现了过渡金属掺杂的铌酸钾钠锂基无铅压电晶体的生长，且所得晶体为纯的钙钛矿结构，无其他杂相，并具有很好的压电和铁电性能。另本发明的工艺简单，具有烧结温度较低的优点。
铌酸钾钠锂基无铅压电及其生长方法

[发明专利]一种具备高压电能量收集性能的无铅铌酸钾钠基织构压电陶瓷及其制备方法-CN202310628239.2在审
发明人：翟继卫;林锦锋;李艳霞;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种具备高压电能量收集性能的无铅铌酸钾钠基织构压电陶瓷及其制备方法，所述无铅铌酸钾钠基织构压电陶瓷的化学通式为97wt.与现有技术相比，本发明通过结合组分设计、传统的织构化流延工艺以及两步烧结法所制得的无铅铌酸钾钠基织构压电陶瓷具有超高的压电系数以及优异的机电耦合系数，从而可以产生高的能量收集性能，这对于安全、长寿命和环保能源供应材料的开发具有重大意义
一种具备高压电能量收集性能无铅铌酸钾钠基织构压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]铌酸钾钠基无铅压电陶瓷薄片的制备方法及在蜂鸣器中的应用-CN200810151088.1无效
发明人：杨祖培;常云飞 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2008-09-24 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：sub>0.44Na_0.52Li_0.04)(Nb_0.80Ta_0.20)O₃表示的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷薄片的制备方法本发明与现有压电陶瓷制备方法相比，采用了制浆、流延工艺步骤，制备成了纯钙钛矿结构、密度大、细晶且晶粒均一、电性能好的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷薄片，厚度为0.12mm。采用本发明方法制备的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷薄片，制备成无铅压电蜂鸣器，无环境污染，驱动电压为3V时，声压在4.445kHz达到了最大值86.06dB；驱动电压为6V、9V时，最大声压比分别增大到91.91
铌酸钾钠基无铅压电陶瓷薄片制备方法蜂鸣器中的应用

[发明专利]一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶及其制备方法-CN201610835377.8有效
发明人：郑立梅;吕伟明;杨丽雅;刘博;靖羽佳;王军军;王锐;杨彬;张锐;曹文武 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶及其制备方法，它属于功能性单晶材料及其制备技术研究领域，具体涉及一种钙钛矿结构铌钽酸钾钠基无铅压电单晶及其制备方法。一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶的化学式为[(Na_yK_1‑y)_1‑_xLi_{x铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶。}
一种超高压电性能交相 mn 掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅及其制备方法

[发明专利]铌酸钾钠锂-钛酸铋钠钾无铅压电陶瓷及其制备方法-CN201110045004.8无效
发明人：樊慧庆;陈雷 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2011-02-24 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸钾钠锂-钛酸铋钠钾无铅压电陶瓷，还公开了这种铌酸钾钠锂-钛酸铋钠钾无铅压电陶瓷的制备方法，用于解决现有的方法制备的无铅压电陶瓷压电性能低的技术问题。技术方案是通过多组分掺杂改性，采用传统的固相烧结方法，制备出具铌酸钾钠锂-钛酸铋钠钾无铅压电陶瓷的压电性能显著提高，其介电常数ε33/ε0为425～780，压电常数d33为80～235pC/N，平面机电耦合系数
铌酸钾钠锂钛酸铋钠钾无铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]两步水热合成铌酸钾钠无铅压电陶瓷粉体的方法-CN200910031941.0有效
发明人：朱孔军;裘进浩;苏礼奎;季宏丽 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2009-06-25 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种两步水热合成铌酸钾钠无铅压电陶瓷粉体的方法，该方法采用两步水热法，第一步由氢氧化钾与五氧化二铌等氧化物水热反应得到铌酸钾粉体，采用该粉体与氢氧化钠进行第二步水热反应最终成功合成纯相的铌酸钾钠粉体采用本发明提供的两步水热合成方法合成的铌酸钾钠体系无铅压电陶瓷粉体具有高纯、超细、流动性好、粒径分布窄、颗粒团聚程度轻、晶体发育完整以及烧结活性高等优点，便于在较低温度下烧结无铅压电陶瓷，从而避免烧结过程中氧化钾和氧化钠等氧化物的挥发，最终实现铌酸钾钠体系无铅压电陶瓷压电性能和机械性能的提高。
两步水热合成铌酸钾钠无铅压电陶瓷方法