专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种能同时碳化多个的装置及方法-CN202011078251.3有效
  • 不公告发明人 - 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
  • 2020-10-10 - 2022-07-12 - C23C8/64
  • 本发明涉及一种碳化的装置及方法,属于半导体材料制备技术领域。为解决现有碳化装置无法分清碳化前和碳化后的碳化情况的不足,本发明提供了一种能同时碳化多个的装置,包括:坩埚体、坩埚上盖、托架、保温层垫块和保温层壳体,多个托架叠放在坩埚体内,托架外壁上刻有编号一种能同时碳化多个的方法,步骤为:将碳粉和按碳粉、、碳粉的次序放入托架,盖上坩埚上盖,放入保温层,加热,使片在一定的碳化温度内碳化一定时间。本发明通过托架上的标记区分,通过比较碳化前后重量观察碳化是否达标。
  • 一种同时碳化多个钽片装置方法
  • [发明专利]一种提高氮化铝长晶原料纯度的装置及方法-CN202011090743.4有效
  • 不公告发明人 - 哈尔滨化兴软控科技有限公司
  • 2020-10-13 - 2022-03-04 - C30B35/00
  • 本发明属于半导体材料技术领域,具体为一种提高氮化铝长晶原料纯度的装置及方法,是针对现有装置在使用过程中碳元素进入到长晶区内影响单晶生长的缺陷所提出,其装置包括坩埚和盖在坩埚上的第一坩埚内设碳化坩埚,且碳化坩埚的外壁与坩埚的内壁为间隙配合,在碳化坩埚的顶端盖有碳化,并形成氮化铝原料腔室;在坩埚的内壁上部加工有阶梯状台肩,阶梯状台肩位于碳化上方,在阶梯状台肩由上至下的台肩上分别设置有第二和氮化铝陶瓷圆,第一、第二坩埚共同围合形成粉颗粒腔室;第二、氮化铝陶瓷圆坩埚共同围合形成氮化铝粉料腔室。
  • 一种提高氮化铝长晶原料纯度装置方法
  • [发明专利]一种钽电容-CN201710713797.3在审
  • 欧阳一凤;王旭丽 - 欧阳一凤
  • 2017-08-18 - 2017-12-15 - H01G9/008
  • 本发明提供一种钽电容,包括玻璃绝缘子、绝缘固定垫片、芯、固定垫片、箔套和外壳,箔套贴合在外壳内壁,绝缘固定垫片贴合在芯上表面,固定垫片贴合在芯下表面,芯放置在箔套内,芯上引出有阳极丝,阳极丝依次穿过绝缘固定垫片和玻璃绝缘子,玻璃绝缘子与外壳密封连接,玻璃绝缘子上设置有阳极引出外壳上焊接有阴极引出,阳极引出与阴极引出均向外弯折在外壳的同一平面上;该钽电容占用空间小、能实现非固体电解电容器在电路中的贴片安装。
  • 一种钽电容
  • [实用新型]一种钽电容器-CN201420269460.X有效
  • 韩杰;王安玖;江平;陈彪;胡鑫利;敬通国;何晓舟 - 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司
  • 2014-05-23 - 2014-10-22 - H01G9/10
  • 本实用新型公开了一种钽电容器,包括:盖板、壳体、阴极引出芯、阳极丝和阳极引出,壳体内侧底部通过粘合剂与芯的底面粘接,芯的其他面与壳体之间均留有空间,阳极丝由芯左侧嵌入芯内部。壳体底部的两端分别嵌有阳极引出和阴极引出,阳极引出的垂直部通过粘接剂与阳极丝的端部连接,阴极引出的垂直部通过粘接剂与芯的右侧面连接。该钽电容器的空腔内充有保护气体,使芯在高温使用环境下得到保护,且陶瓷壳体能很好地耐潮湿、绝缘、隔热和防腐蚀,从而保证了在恶劣的环境条件下电容器的可靠性。
  • 一种钽电容
  • [发明专利]一种VGF法彩色宝石晶体生长坩埚固定方法-CN202211029123.9在审
  • 李伦;周长城;王明星 - 北京铭镓半导体有限公司;河南铭镓半导体有限公司
  • 2022-08-25 - 2022-12-02 - C30B11/00
  • 本发明涉及彩色宝石晶体生长技术领域,且公开了一种VGF法彩色宝石晶体生长坩埚固定方法,包括石墨保温罩、加热器、坩埚本体、石墨杆、石墨支撑板、底保温板、热交换器和,所述固定安装在热交换器的上方,所述与石墨保温罩固定连接,所述的上端与坩埚本体的下端相连接,通过设置,石墨杆上端的则与坩埚本体进行接触,能够隔绝石墨杆与坩埚本体由于高温作用下所产生的反应,避免了坩埚本体在高温作用下产生反应,导致漏料烧毁热场,带来严重的经济损失,的设计简单易实施减小了经济损失,节约了生产成本,的表面平整无翘曲,且的面积完全覆盖石墨杆的表面则杜绝了石墨杆与坩埚本体产生高温反应的可能性。
  • 一种vgf彩色宝石晶体生长坩埚固定方法
  • [发明专利]一种散裂中子源用固体靶及其制备方法-CN201310612833.9有效
  • 纪全;魏少红;张锐强;贾学军 - 中国科学院高能物理研究所
  • 2013-11-27 - 2018-02-23 - H05H6/00
  • 本发明提供一种散裂中子源用固体靶及其制备方法,用以增强靶片中和钨的连接强度,提高靶的寿命。其中,一种散裂中子源用固体靶的制备方法,包括清洗待焊接的钨块与板;将所述板紧贴所述钨块的六个面,形成内装钨块的盒;密封焊接所述盒;将密封焊接后的盒放入热等静压炉内进行热等静压后取出,得到靶本发明提供的散裂中子源用固体靶的制备方法不引入其它过渡金属,直接大面积扩散连接板与钨块,使制得的靶片中钨之间达到冶金结合,结合强度高,涂层致密,增强了靶的抗冲刷腐蚀性能,提高了靶寿命。
  • 一种中子源固体及其制备方法

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