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[发明专利]一种基于碳化钼作为钼源感应炉短流程冶炼含钼钢的方法-CN201810367159.5有效
发明人：张国华;常贺强 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： C21C5/52 文献下载
摘要：一种基于碳化钼作为钼源感应炉短流程冶炼含钼钢的方法，属于钢铁冶炼技术领域。其主要特征是使用碳化钼代替传统含钼钢冶炼过程中的炼钢钼条、钼铁、氧化钼等作为钼源，使用感应炉短流程冶炼含钼钢，本方法冶炼过程包括：装料、熔化、冶炼等一系列步骤。通过使用碳化钼作为钢液合金化中的钼源，代替了传统含钼钢冶炼过程中的炼钢钼条、钼铁、氧化钼等含钼添加剂，一方面通过感应炉短流程冶炼含钼钢解决了当今社会废钢的利用问题；另一方面，使用碳化钼作为钼源解决了炼钢钼条成本过高、钼铁生产过程能耗高且污染严重以及氧化钼的挥发所造成的钼收得率低并在合金化的过程中会引入其它杂质元素等问题；使用碳化钼作为钼源对于部分高碳含钼钢还能起到增碳的效果。
一种基于碳化作为感应炉流程冶炼含钼钢方法

[发明专利]一种原子层沉积二硫化钼薄膜的方法-CN201710497160.5在审
发明人：刘磊;黄亚洲;吕俊;杨俊杰;陈云飞;倪中华 -专利权人：东南大学
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种原子层沉积二硫化钼薄膜的方法，包括以下步骤将钼源装入源瓶并加热，加热放置有基底样品的反应腔；利用载气将钼源吹入反应腔，使钼源与基底样品表面发生自限制化学吸附，钼源吹入结束后，继续通入载气，将反应副产物和残余的钼源冲洗掉；利用载气将硫化氢吹入反应腔，使硫化氢与钼源发生自限制化学反应，在基底样品表面生成二硫化钼薄膜，硫化氢吹入结束后，继续通入载气将反应副产物和残余硫化氢冲洗掉。本发明制备的二硫化钼薄膜质量均匀、表面平整、厚度可以精确控制。
一种原子沉积二硫化钼薄膜方法

[发明专利]一种锂离子电池负极的制作方法-CN201510583283.1有效
发明人：何春年;周静雯;赵乃勤;师春生;刘恩佐;李家俊 -专利权人：天津大学
申请日： 2015-09-14 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01M4/1397 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂离子电池负极的制作方法，包括以钼酸铵、钼酸钠中的一种或两种混合物为钼源，以硫脲为硫源，按钼源中的钼、硫源中的硫摩尔比为1(1.8～2.5)，并按钼源中的钼与NaCl的摩尔比为1(150～600)计，将钼源、硫源和NaCl溶解，再冷冻和进行真空干燥，得到混合物；将制得的混合物研磨成粉末，置于管式炉恒温区进行煅烧和化学气相沉积，得到产物A；水洗并进行真空干燥，得到二硫化钼纳米片。本发明利用廉价易得的原料制备二硫化钼纳米片，成本低廉，反应过程简单、可控性强。二硫化钼纳米片用于锂离子电池负极具有一定的比容量和循环性能。
一种锂离子电池负极制作方法

[发明专利]一种基于氯化钠模板的二硫化钼纳米片制备方法-CN201510583045.0无效
发明人：何春年;周静雯;赵乃勤;师春生;刘恩佐;李家俊 -专利权人：天津大学
申请日： 2015-09-14 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于氯化钠模板的二硫化钼纳米片制备方法，包括：以钼酸铵、钼酸钠中的一种或两种混合物为钼源，以硫脲为硫源，按钼源中的钼、硫源中的硫摩尔比为1:(1.8～2.5)，并按钼源中的钼与NaCl的摩尔比为1:(150～600)计，将钼源、硫源和NaCl加入去离子水中溶解，再冷冻和进行真空干燥，得到混合物；将制得的混合物研磨成粉末，过筛后铺于方舟中，置于管式炉恒温区进行煅烧和化学气相沉积，得到产物A；水洗并进行真空干燥，得到二硫化钼纳米片。本发明可得到具有质量高、尺寸均一、层数相对可控、产量较高、制备成本相对较低等特点的二硫化钼纳米片。
一种基于氯化钠模板二硫化钼纳米制备方法

[发明专利]一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜-CN202210728587.2有效
发明人：高庆国;陈思敏;陈滤成;许哲铨;张崇富;潘新建;于淼;陈又鲜 -专利权人：电子科技大学中山学院
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本申请适用半导体材料技术领域，提供了二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜，包括：将硫源和钼源置于加热装置内，于常压条件下保持10‑50sccm的惰性气体流量，分别对硫源和钼源进行加热处理2‑20min以进行化学气相沉积反应，得二硫化钼薄膜；其中，硫源放置于刚玉舟内；钼源放置于石英舟上且在石英舟内放置惰性耐高温垫片，并在垫片上方放置玻璃基底。本申请采用惰性耐高温材质作为垫片辅助玻璃衬底生长单晶体二硫化钼或者大尺寸二硫化钼连续膜，能够杜绝多余钼源供给及其他的杂质引入，能极大减小干扰因素，其良好的亲水性亦能极大地铺展熔融玻璃，提高化学气相沉积反应，能够实现高质量大单晶低成本二硫化钼半导体薄膜制备。
一种二硫化钼薄膜制备方法

[发明专利]一种调控石墨烯/二硫化钼异质结中二硫化钼层数的方法-CN202010970440.5在审
发明人：徐克赛;周宇;李萍剑 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种调控二硫化钼/石墨烯异质结中二硫化钼层数的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明以硫单质为硫源，以五氯化钼为钼源，其中硫源有1个，钼源1个，采用双温区的制备方式，在转有石墨烯的二氧化硅/硅衬底上制得二硫化钼/石墨烯异质结；本发明通过对五氯化钼的质量控制，有效地实现了对二硫化钼/石墨烯异质结中二硫化钼层数的调控。
一种调控石墨二硫化钼异质结中层数方法

[发明专利]二硫化钼量子点、改性二硫化钼量子点及二者的制备方法和应用-CN202210052903.9有效
发明人：姚二冬;李源;许航;李伯钧;周福建;余果林;左洁;杨凯 -专利权人：中国石油大学(北京)
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种二硫化钼量子点、改性二硫化钼量子点及二者的制备方法和应用。该硫化钼量子点的制备方法包括：将钼源和硫源加入第一溶剂中，预搅拌后进行水热反应，从而得到所述二硫化钼量子点；其中，所述钼源和硫源的摩尔比为2‑10:1。本发明降低通过二硫化钼量子点尺寸，并强化二硫化钼量子点与改性剂之间的作用，使改性后的二硫化钼量子点具有良好的稳定性和驱油能力。
二硫化钼量子改性二者制备方法应用

[发明专利]一种单层二硫化钼薄膜的制备方法-CN202011299451.1在审
发明人：王欣然;王子玄;李涛涛 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开一种单层二硫化钼薄膜的制备方法，属于二维纳米材料技术领域。该单层二硫化钼薄膜采用双管管式炉制备，制备过程包括如下步骤：将硫源、衬底置于管式炉的外管中，分别加热硫源、衬底至第一温度和第三温度；将二硫化钼源置于管式炉的内管中，加热二硫化钼源至第二温度，第二温度为500℃～550℃；通过外管引入第一路载气、引导硫蒸汽至衬底；通过内管引入第二路载气、引导二硫化钼蒸汽至衬底，在衬底上外延生长出单层二硫化钼薄膜；第二路载气含有氧气。本发明的方法可以使钼源(二硫化钼)在较低温度下分解，与现有方法中需将钼源加热并维持在生长温度(1000℃以上)相比，大大降低了钼源温度，可快速低成本地制备出单层二硫化钼薄膜。
一种单层二硫化钼薄膜制备方法

[发明专利]一种铝钼钒铬钛中间合金及其制备方法-CN202110838603.9在审
发明人：王志军;刘强;孙鑫;何建成;刘志彬;段善博;纪海龙;王东华;张吉 -专利权人：承德天大钒业有限责任公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝钼钒铬钛中间合金，按质量百分比计，其成分为：钼25.0％‑27.0％，钒24.0％‑27.0％，铬12.0‑16.0％，钛6.0‑11.0％，余量为铝，及不可避免的杂质；制备方法为：(1)将钼源和第一铝源混合，将钒源和第二铝源混合，分别进行铝热反应，得到铝钼合金和铝钒合金；(2)将铝钼合金、铝钒合金、金属铬、钛源和第三铝源混合，进行真空感应熔炼，得到铝钼钒铬钛合金液；(3)将铝钼钒铬钛合金液进行冷却本发明通过成分和含量的控制，使铝钼钒铬钛中间合金成分均匀，偏析小，在熔炼钛合金时，有助于钛合金成分均匀化，防止成分偏析。
一种铝钼钒铬钛中间合金及其制备方法

[发明专利]一种硫化钼薄膜及其制备方法-CN201811132392.1有效
发明人：廖广兰;王子奕;孙博;史铁林;谭先华;刘智勇;刘星月;叶海波 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明属于微纳制造相关技术领域，其公开了硫化钼薄膜及其制备方法，该方法包括以下步骤：(1)在基底上旋涂光刻胶并通过光刻来得到光刻胶图形；(2)采用镀膜工艺在该基底上沉积一层钼源薄膜，该钼源薄膜覆盖该光刻胶图形；(3)去除该基底上的光刻胶及覆盖该光刻胶的钼源薄膜以得到图形化钼源薄膜；(4)将该基底放入高温气氛炉内，并在该图形化钼源薄膜的上方放置衬底，同时该高温气氛炉逐渐升温，待该高温气氛炉内的温度达到钼源升华温度后向该高温气氛炉内通入硫源气体；接着，该高温气氛炉进一步加热到预定温度后保温预定时间，并将制得的硫化钼薄膜自该高温气氛炉内取出。本发明提高了硫化钼薄膜的质量，灵活性较好，效率较高。
一种硫化薄膜及其制备方法

[发明专利]一种超薄二硒化钼纳米片的液相合成方法-CN201910109497.3在审
发明人：杨晴;周慧楠 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-02-03 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种超薄二硒化钼纳米片的液相合成方法，包括将钼源、硒源和有机胺混合，除杂，得到混合液；将混合液在240～300℃下反应20～60min，得到超薄二硒化钼纳米片；钼源选自钼酸铵、钼酸钠、磷钼酸铵、三氧化钼、乙酰丙酮氧钼和乙酸钼中的一种或多种；硒源选自硒粉、硒甲硫氨酸和二苄基二硒中的一种或多种。本发明通过选择特定种类的前驱源(钼源和硒源)和溶剂有机胺，促进铺展形成大面积且形貌较均匀平整的超薄二硒化钼纳米片；原料为常见原料，条件温和，且方法简单；该方法制备周期短，产率高。纳米片为单层及几层形貌，从光电子能谱图、高角环形暗场像可以看出二硒化钼是1T相与2H相并存，有利于其导电性的提高。
二硒化钼纳米片硒源钼源形貌液相合成混合液乙酸乙酰丙酮氧钼导电性光电子能谱溶剂有机胺前驱甲硫氨酸磷钼酸铵三氧化钼制备周期暗场像有机胺钼酸钠钼酸铵产率除杂单层高角硒粉苄基铺展平整

[发明专利]金属相二硫化钼、自支撑电极、制备方法、应用-CN202010732763.0有效
发明人：李楠;刘志鹏;苑世盛;王凯雯;向丽娟 -专利权人：吉林大学
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明涉及材料领域，具体公开了一种金属相二硫化钼、自支撑电极、制备方法、应用，所述金属相二硫化钼包括以下的原料：三氧化钼（作为钼源）、硫源，以及适量的还原剂和适量的水；其中，所述三氧化钼中的钼原子数量与所述硫源中的硫原子数量之比为本发明实施例提供的金属相二硫化钼通过采用三氧化钼作为钼源，并通过适量的硫源、还原剂和水进行水热合成制备金属相二硫化钼，产物中金属相二硫化钼含量高；而提供的制备方法具有操作简单安全，制备周期短，适合大规模生产的优势，解决了现有金属相二硫化钼的合成大多通过锂离子剥层来实现，存在制备周期长、安全性低的问题，具有广阔的市场前景。
金属二硫化钼支撑电极制备方法应用

[发明专利]一种不同覆盖率的双层硫化钼晶体材料的制备方法-CN202111226086.6有效
发明人：陈飞;姜夏;苏伟涛 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种不同覆盖率的双层硫化钼晶体材料的制备方法，以Si/SiO2为衬底，钼箔为钼源，硫粉为硫源；双温区水平管式炉按照气流方向设定为硫源温区和沉积温区，硫源和钼源‑衬底置于同一石英管中，装有硫粉的石英舟位于硫源温区，装有钼源‑衬底的石英舟位于沉积温区，钼箔展开置于石英舟内，衬底倾斜倒扣在钼箔正上方；向石英管中通入惰性气体，使两温区同时升至目标温度值；硫蒸气被惰性气体输送至与钼箔反应本发明利用改进的化学气相沉积法，在衬底与金属源之间的倾斜且狭小限域空间构建材料源的梯度浓度分布，从而实现不同覆盖率的双层MoS2晶体材料的制备。
一种不同覆盖率双层硫化晶体材料制备方法

[发明专利]一种钼管与不锈钢中空件的焊接工艺-CN201010243023.7无效
发明人：李军;胡纯栋;谢远来 -专利权人：中国科学院等离子体物理研究所
申请日： 2010-07-27 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： B23K1/008 文献下载
摘要：本发明公开了一种钼管与不锈钢中空件的焊接工艺，在钼管、不锈钢中空件的待焊管口的焊接面上镀金属过渡层后，用钯基焊料丝并将钼管、不锈钢中空件送入至真空炉进行焊接。本发明可实现中性束离子源栅形电极钼管钼与不锈钢多处焊点的同时焊接，也可实现中性束离子源栅形电极钼管钼与不锈钢间的多次焊接。钼管与不锈钢焊接后可保证内部冷却水路通常，解决了由于国内离子源只具备孔引出结构，使得离子源引出高能离子束的能力大大降低的问题。
一种不锈钢中空焊接工艺

[发明专利]一种二硫化钼/二硫化锡/石墨烯复合材料及其制备方法-CN201810365285.7在审
发明人：梁培;满晓磊;胡陈力 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼/二硫化锡/石墨烯复合材料及其制备方法，二硫化钼/二硫化锡为水平界面接触式生长，二硫化钼/二硫化锡生长于石墨烯的表面；以氧化石墨烯为碳源，五水四氯化锡为锡源，二水钼酸钠为钼源，硫代乙酰胺为硫源，将碳源、锡源、钼源、硫源依次加入去离子水中，在200℃下保温16h的条件下合成二硫化钼/二硫化锡/石墨烯复合材料；制备出的二硫化钼/二硫化锡/石墨烯复合材料具有稳定结构，导电率高，比表面积大，电化学性能优异等优点
二硫化钼硫化锡石墨烯复合材料制备硫源锡源钼源反应条件要求五水四氯化锡电化学性能二水钼酸钠硫代乙酰胺氧化石墨烯可重复性水平界面稳定结构生长导电率接触式石墨烯产率水中保温离子合成

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