专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种复合镁的漂珠防火板-CN202320308064.2有效
  • 韦松;张文华;韦金水 - 凌岫(福建)装配式建筑有限公司
  • 2023-02-24 - 2023-08-04 - B32B9/00
  • 本实用新型涉及防火板材技术领域,尤其为一种复合镁的漂珠防火板。通过使用镁板和漂珠填充物制作复合板,漂珠填充物填充到镁板中镁颗粒之间的缝隙内,实现以镁颗粒为骨架、漂珠填充物填补空隙的方式得到复合板,结合了镁板的强度及漂珠的隔热能力,提升防火板的性能,通过在复合板的正面和背面设置加固网,该加固网上设置了插入复合板内的插针,可加强复合板正面和背面的抗折能力,通过在复合板底部设置金属贴面层,该金属贴面层与复合板背面的加固网之间通过连接杆连接,且复合板与金属贴面层之间设置了找平层,该找平层为保温发泡填充料,加强防火板结构稳定的同时,提升防火隔热性能。
  • 一种复合镁质晶硅防火板
  • [发明专利]一种负极材料及其制备方法-CN202010533218.9有效
  • 陈超;李海东;陈洪旭;程凤梅 - 嘉兴学院
  • 2020-06-12 - 2021-08-17 - H01M4/38
  • 本发明涉及一种负极材料及其制备方法,制备方法为:先在纳米颗粒表面交替吸附阳离子聚电解bPEI和阴离子聚电解PAA,形成以纳米颗粒为囊、bPEI和PAA为囊壁的胶囊,再将胶囊与导电剂(乙炔黑)和粘合剂(PAA水溶液)共混涂覆制备负极材料;所制得的负极中活性材料为阳离子聚电解bPEI和阴离子聚电解PAA彼此互相穿插、缠绕形成的囊壁包裹囊纳米颗粒的胶囊核壳结构。本发明的方法简单易行;制得的负极材料同时具有优异的循环稳定性和倍充性能。
  • 一种负极材料及其制备方法
  • [发明专利]一种带有负极和硫化物固体电解的全固态电池-CN201910534209.9有效
  • 许晓雄;黄晓;吴林斌 - 浙江锋锂新能源科技有限公司
  • 2019-06-19 - 2021-09-07 - H01M10/0525
  • 本发明涉及负极锂离子电池,公开了一种带有负极和硫化物固体电解的全固态电池,其包括电,电包括负极、固体电解层和正极,负极包括集流体和叠压固定于集流体侧面上的嵌锂层,嵌锂层由包括有硫化物电解粉粒和含负极粉体的混合粉料压制而成,混合粉料中含量为40~53wt%,硫化物电解粉粒的粒径为10~100 nm,含负极粉体的粒度为10~100 nm,嵌锂层的孔隙率为15~23%,嵌锂层可对含负极粉体脱嵌锂过程造成的膨胀/收缩做出自适应的调整,减少嵌锂层开裂粉化的可能,以及保证嵌脱硫层分别与集流体、固体电解层的电接触稳定,由此减缓高负极固态电池容量衰减,提高高负极固态电池的循环性能。
  • 一种带有负极硫化物固体电解质固态电池
  • [实用新型]抗变形防水的纤维水泥板-CN202023191681.4有效
  • 颜旺东 - 常州中晶自保温墙体材料有限公司
  • 2020-12-27 - 2021-11-02 - E04C2/30
  • 本实用新型涉及纤维水泥板技术领域,具体为抗变形防水的纤维水泥板,包括有水泥板主体,所述水泥板主体内中部安装有加强,所述加强分别向上和向下连接有两组抗力层,所述加强向上和向下连接有环形加强筋,所述抗力层向上和向下连接有加气混凝土层,上侧所述加气混凝土层向上连接有上界面层、第一木纤维水泥层和第一表面硬化剂层,下侧所述加气混凝土层向下连接有下界面层、第二木纤维水泥层和第二表面硬化剂层。安装的环形加强筋提高了水泥板主体自身的强度以及抗变形性,第一表面硬化剂层以及第二表面硬化剂层提高了水泥板主体上下侧壁硬度,利用木纤维水泥层及上下界面层,为水泥板主体提供防水作用。
  • 变形防水纤维水泥板
  • [发明专利]一种双环通孔结构及其制造方法-CN201410468354.9有效
  • 王凤娟;余宁梅 - 西安理工大学
  • 2014-09-15 - 2017-02-15 - H01L23/48
  • 本发明涉及一种双环通孔结构及其制造方法。一种双环通孔结构,从外向内依次为半导体衬体、第一介层、第一金属环、第二介层、第二金属环和介质层。一种双环通孔的制造方法,包括(1)在半导体衬底上刻蚀通孔;(2)在通孔的内表面制备第一介层;(3)在第一介层的表面通制备第一金属环;(4)在第一金属环的表面制备第二介层;(5)在第二介层的表面制备第二金属环;(6)在第二金属环的表面制备介质层,直至完全填满为止;(7)在半导体衬底和通孔上表面进行化学机械抛光。
  • 一种双环硅通孔结构及其制造方法

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