专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果1120694个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种功放加电时序保护电路-CN201610890440.8有效
  • 薛强 - 薛强
  • 2016-10-13 - 2019-07-12 - H03F1/52
  • 本发明主要包括主电路Ⅰ、辅助电路Ⅰ、辅助电路Ⅱ和辅助电路Ⅲ四部分,主电路Ⅰ的主要功能是判断输入压与阈值电压的关系,当输入压小于阈值电压时,保护电路输出正压,当输入压大于阈值电压时,保护电路关闭输出正压;辅助电路Ⅰ的主要功能是延时输出正压;辅助电路Ⅱ的主要功能是提高关闭输出正压的关闭速度;辅助功能Ⅲ的主要功能是减缓关闭输出压的关闭速度。本发明整体实现的功能是当输入压小于某一阈值电压时,保护电路在输出压后输出正压,当输入压大于某一阈值电压时,保护电路在关闭输出压前关闭输出正压。
  • 一种功放时序保护电路实现方法
  • [发明专利]一种非带隙无电阻CMOS基准源-CN201611178235.5有效
  • 石跃;李昌玮;周泽坤;马亚东 - 成都信息工程大学
  • 2016-12-19 - 2017-09-15 - G05F1/567
  • 包括阈值电压提取电路和基准电压产生电路,阈值电压提取电路提取NMOS阈值电压VTHN和PMOS阈值电压VTHP输入基准电压产生电路后产生基准电压VREF;本发明以阈值电压温特性为基础,利用NMOS阈值电压和PMOS阈值电压的差值产生正温补偿电压,通过基准电压产生电路进行叠加,最终实现一个非带隙无电阻的基准电压源;不需要很大尺寸比的MOS器件,减小了电路设计难度;本发明不需要PN结和电阻,减小了版图面积,不会引入额外的噪声
  • 一种非带隙无电阻cmos基准
  • [发明专利]半导体元件测试方法与设备-CN201811635005.6有效
  • 胡健;熊阳;吕康 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2018-12-29 - 2022-04-15 - G01R31/26
  • 方法包括:提供一PMOS元件;在预设温度下对PMOS元件的栅极施加时长为Tm的预设偏压Vn,在撤除预设偏压后的N个预设时间点测量N个实测阈值电压偏移值,N个预设时间点包括数值最大的第一预设时间点,其中m∈[1,x],n∈[1,y],x、y、N分别是第一预设值、第二预设值、第三预设值根据N个实测阈值电压偏移值确定撤除预设偏压后的第二预设时间点对应的阈值电压恢复值,第二预设时间点小于第四预设值;根据阈值电压恢复值和第一预设时间点对应的实测阈值电压偏移值确定时长为Tm的预设偏压Vn对应的阈值电压偏移值ΔVthmn
  • 半导体元件测试方法设备
  • [发明专利]一种低功耗高精度非带隙基准电压-CN201710173120.5在审
  • 王志鹏 - 长沙景美集成电路设计有限公司
  • 2017-03-22 - 2017-08-18 - G05F3/26
  • 本发明公开了一种利用一个高阈值阈值电压减去一个阈值阈值电压,实现了一款与温度无关的低功耗、高精度、非带隙基准电压源。该基准电压源由三部分电路构成启动电路、偏置电流产生电路以及基准电压产生电路。启动电路在其接通直流电源后为偏置电流产生电路提供启动电压,偏置电流产生电路为基准电压产生电路提供必须的电流,基准电压产生电路则通过一个高阈值管的阈值电压与一个阈值管的阈值电压做差,并通过基准电压控制码校正后,产生一个与温度无关的基准电压源。
  • 一种功耗高精度非带隙基准电压
  • [发明专利]闪烁多电平阈值分布方案-CN201310460506.6无效
  • 金镇祺 - 莫塞德技术公司
  • 2007-09-12 - 2014-01-22 - G11C16/12
  • 一种用于多电平闪烁单元的阈值电压分布方案,其中擦除阈值电压和至少一个编程阈值电压位于擦除电压域中。擦除电压域中的至少一个编程阈值电压降低了Vread电压电平,以最小化读出干扰效应,由于编程的状态之间的阈值电压距离被最大化,则延长了多电平闪烁单元的寿命长度。擦除电压域可以低于0V,而编程电压域大于0V。因此,用于编程验证和读出具有擦除电压域和编程电压域中的编程阈值电压的多电平闪烁单元的电路使用和正的高电压
  • 闪烁电平阈值分布方案
  • [发明专利]闪烁多电平阈值分布方案-CN200780034118.4有效
  • 金镇祺 - 莫塞德技术公司
  • 2007-09-12 - 2009-08-26 - G11C16/04
  • 一种用于多电平闪烁单元的阈值电压分布方案,其中擦除阈值电压和至少一个编程阈值电压位于擦除电压域中。擦除电压域中的至少一个编程阈值电压降低了Vread电压电平,以最小化读出干扰效应,由于编程的状态之间的阈值电压距离被最大化,则延长了多电平闪烁单元的寿命长度。擦除电压域可以低于0V,而编程电压域大于0V。因此,用于编程验证和读出具有擦除电压域和编程电压域中的编程阈值电压的多电平闪烁单元的电路使用和正的高电压
  • 闪烁电平阈值分布方案
  • [发明专利]一种调节SOI-NMOS器件背栅阈值电压的方法-CN201110209296.4无效
  • 梅博;毕津顺;韩郑生 - 中国科学院微电子研究所
  • 2011-07-25 - 2011-11-16 - H01L21/336
  • 本发明涉及一种调节SOI-NMOS器件背栅阈值电压的方法。所述方法包括提高背栅阈值电压和降低背栅阈值电压;提高背栅阈值电压具体包括:将SOI-NMOS器件的栅极、漏极、源极均接地电位,将SOI-NMOS器件的背栅极接绝对值大于80V的正直流电压,并持续10秒以上的时间;降低背栅阈值电压具体包括:将SOI-NMOS器件的栅极、漏极、源极均接地电位,将SOI-NMOS器件的背栅极接绝对值大于80V的直流电压,并持续10秒以上的时间。本发明调节了SOI-NMOS器件的背栅沟道开启的阈值电压,能够实现SOI-NMOS器件背栅阈值电压的增加和关态漏电流的减小。
  • 一种调节soinmos器件阈值电压方法
  • [发明专利]接口电路及芯片-CN202111140188.6在审
  • 刘坤;李石亮;柯毅 - 武汉市聚芯微电子有限责任公司
  • 2021-09-28 - 2021-12-24 - H03K19/0175
  • 本申请公开了一种接口电路及芯片,该接口电路包括第一电阻、第一电容、第一反相施密特触发器、第一反相单元以及电位控制模块,第一电容的一端电位从电源信号的电位充电至第一正向阈值电压时的第一电压变化量为第一正向阈值电压与电源信号的电位之差、所用时间为tDR,当放电至第一负向阈值电压时的第二电压变化量为恒压信号的电位与第一负向阈值电压的电位之差、所用时间为tDF,由于恒压信号的电位等于第一正向阈值电压与第一负向阈值电压之和,可以确定第二方波信号的上升沿与第一方波信号的上升沿之间的时间段即
  • 接口电路芯片
  • [发明专利]一种阈值电压的开关器件的阈值电压测试方法及系统-CN202111112577.8在审
  • 周福斌;任永硕;王荣华;梁辉南 - 大连芯冠科技有限公司
  • 2021-09-18 - 2021-11-26 - G01R31/327
  • 本发明提供一种阈值电压的开关器件的阈值电压测试方法及系统。本发明方法,包括:将阈值电压的开关器件作为被测试器件;将被测试器件的栅源之间通过外接电阻连接,漏栅端施加偏压,量测得到漏源电流与栅源电流的总电流;基于总电流与栅源间的外接电阻计算被测器件的栅源电压或直接量测;对漏源电流与栅源电流的和与栅源电压进行拟合,取指定的漏源电流对应的栅源电压即为阈值电压。本发明通过向被测器件的漏栅端施加偏压,使其在一瞬间为导通状态,和连接电阻动态平衡,形成半导通状态,通过电阻两端电压控制栅源电压,从而控制漏源电流,形成动态平衡,通过不断切换电阻阻值,得出多组栅源电压和漏源电流进行拟合,从而得到阈值电压
  • 一种阈值电压开关器件测试方法系统

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top