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[发明专利]一种镍钛形状记忆合金减隔振装置-CN202110708478.X有效
发明人：高淑春;李家旺;郑碧霄;宋东风;王秋实;张少骞 -专利权人：沈阳天贺新材料开发有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： F16F3/12 文献下载
摘要：一种镍钛形状记忆合金减隔振装置属于减振器技术领域，尤其涉及一种镍钛形状记忆合金减隔振装置。本发明提供一种镍钛形状记忆合金减隔振装置。本发明包括记忆合金阻尼上板和记忆合金阻尼下板，其特征在于记忆合金阻尼上板与记忆合金阻尼下板之间设置有记忆合金中间件。
一种形状记忆合金减隔振装置

[实用新型]一种视力检测用防记忆板-CN202120050223.4有效
发明人：辛士义 -专利权人：辛士义
申请日： 2021-01-09 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： A61B3/032 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种视力检测用防记忆板，包括防记忆A板和防记忆B板，所述防记忆A板上开设有第一方形孔，所述防记忆B板上开设有第二方形孔，所述第一方形孔的尺寸大于第二方形孔的尺寸，所述防记忆A板和防记忆B板的四个边角均呈圆角设置，所述防记忆A板和防记忆B板均采用不透明亚克力材质。本实用新型通过将防记忆A板和防记忆B板均采用不透明亚克力材质，同时在防记忆A板和防记忆B板上分别开设第一方形孔、第二方形孔，使用时，可以利用防记忆A板或防记忆B板将视力表上的字标遮住，仅通过第一方形孔或第二方形孔漏出任意被检测的字标，可以将被检测的字标的上下左右字标完全遮挡，防止背诵记忆，便于使用。
一种视力检测记忆

[发明专利]具有记忆的低通递归神经网络系统-CN201910110408.7在审
发明人：拉兹万·帕什卡努;威廉·克林顿·达布内;托马斯·斯特普莱顿 -专利权人：渊慧科技有限公司
申请日： 2019-02-11 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： G06N3/04 文献下载
摘要：本申请涉及具有记忆的低通递归神经网络系统，包括：用于接收表示观察的序列的输入矢量的序列的输入；记忆结构，耦合到该输入以接收输入矢量的表示并将其存储为存储的数据；以及一个或多个输出层，耦合到所述记忆结构以读取并处理所述存储的数据以提供输出记忆结构包括记忆层的序列，其中一个记忆层耦合到该序列中的下一个记忆层。对于输入矢量的序列中的每个输入矢量，记忆结构被配置成执行如下操作：在第一记忆层中存储最新的潜在变量的集合和先前存储在所述第一记忆层中的数据的组合；和将由记忆层所存储的数据从每个记忆层传递到所述序列中的下一个记忆层并将所传递数据与由该下一个记忆层先前存储的数据相组合地存储在该下一个记忆层中
记忆层存储记忆结构输入矢量耦合到递归神经网络低通读取传递数据接收输入矢量输出层集合输出传递观察配置申请

[发明专利]手持式助学记忆装置-CN200510032883.5无效
发明人：郑炜;李涛 -专利权人：新诺亚舟科技（深圳）有限公司
申请日： 2005-01-18 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： G09B5/00 文献下载
摘要：本发明公开一种手持式助学记忆装置，包括：微处理器以及与微处理器连接的存储器、键盘和液晶显示器；所述微处理器按主控程序P工作，所述键盘包括英文字母键、单词背诵健、下载学习教材课件的一键通功能键、双机对传文件的网络键和提供不同方式进行记忆复习的NCELL键；所述主控程序P根据使用者对记忆点熟练度的级别智能地调用执行不同记忆方式的模块程序。本发明的助学记忆装置能动态地记录每个记忆点的熟练度和最后一次接触该记忆点的相对日期，会根据该记忆点的熟悉度智能地变化记忆方式，改变单一记忆方式为多变记忆方式提高记忆效应，因此能给学生一个多样化、智能化的轻松学习氛围，并在大脑中形成比较稳定的记忆，明显提高学习者学习记忆的效率，并能不断巩固已记忆的知识。
手持助学记忆装置

[实用新型]手持式助学记忆装置-CN200520053541.7无效
发明人：郑炜;李涛 -专利权人：新诺亚舟科技(深圳)有限公司
申请日： 2005-01-06 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： G09B5/00 文献下载
摘要：一种手持式助学记忆装置，包括：微处理器以及与微处理器连接的存储器、键盘和液晶显示器；所述微处理器按主控程序P工作，所述键盘包括英文字母键、单词背诵键、下载学习教材课件的一键通功能键、双机对传文件的网络键和提供不同方式进行记忆复习的NCELL键；所述主控程序P根据使用者对记忆点熟练度的级别智能地调用执行不同记忆方式的模块程序。本实用新型的助学记忆装置能动态地记录每个记忆点的熟练度和最后一次接触该记忆点的相对日期，会根据该记忆点的熟悉度智能地变化记忆方式，改变单一记忆方式为多变记忆方式提高记忆效应，因此能给学生一个多样化、智能化的轻松学习氛围，并在大脑中形成比较稳定的记忆，明显提高学习者学习记忆的效率，并能不断巩固已记忆的知识。
手持助学记忆装置

[发明专利]一种自膨胀式生物可降解聚合物支架及其制备方法-CN201810772020.9在审
发明人：邹雪;王亮;王刚;陈果 -专利权人：四川兴泰普乐医疗科技有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： A61F2/915 文献下载
摘要：本发明公开了一种自膨胀式生物可降解聚合物支架，包括形状记忆管体和形状记忆层，形状记忆层为多个形状记忆条，多个形状记忆条沿形状记忆管的周向设置，多个形状记忆条的两端分别与形状记忆管体的外壁连接，形状记忆管体的外壁喷涂有载药层形状记忆管体的壁为网状结构，形状记忆管体包括多个波形环，相邻波形环的错位设置，一的波形环的波峰与另一波形环的波谷连接，形状记忆条的两端分别与同一波形环的两个波峰连接，本方明支架中的形状记忆条不仅增强了支架的强度，还延长的支撑时间；并且支架的轴向的回缩率均小于4％，支架在自膨胀时对血管的内壁的损伤较小，条状的形状记忆条与血管内壁接触效果好，使支架和血管之间相对固定。
形状记忆条支架形状记忆管体波形环生物可降解聚合物形状记忆层自膨胀式波峰外壁血管错位设置接触效果网状结构相邻波形血管内壁周向设置回缩率载药层自膨胀波谷内壁喷涂轴向制备损伤支撑

[发明专利]单向散热模组-CN201810133411.6在审
发明人：丁幸强 -专利权人：苏州天脉导热科技股份有限公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种单向散热模组，包括散热器和双程记忆连接件，双程记忆连接件紧贴热源设置、且设置在热源和散热器之间，双程记忆连接件能够记忆膨胀和记忆收缩，双程记忆连接件记忆膨胀时连接热源和散热器，双程记忆连接件记忆收缩时分离热源和散热器本发明的单向散热模组，散热器通过双程记忆连接件选择性的与热源连接，当热源加热双程记忆连接件达到膨胀临界温度时，双程记忆连接件膨胀使得散热器和热源连接，将热源产生的热量散发出去；当双程记忆连接件的温度低于收缩临界温度时，双程记忆连接件收缩使得散热器与热源断开，散热器对热源失去散热作用，起到对热源的保温效果；以此实现热源和散热器之间的单向传热散热。
热源散热器连接件双程收缩单向散热模组膨胀保温效果单向传热热量散发散热作用散热断开加热紧贴

[发明专利]一种教育心理学记忆判断演示装置-CN202211531531.4在审
发明人：杨雪 -专利权人：黔南民族幼儿师范高等专科学校
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G09B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种教育心理学记忆判断演示装置，包括盒体，所述盒体的内壁上端对称固定连接有两个与盒体上端平齐的封板，各所述封板的下端与盒体的内底壁固定连接有隔板，所述隔板内开设有活动槽，所述隔板将盒体隔成一个记忆槽和两个变换槽，且两个变换槽关于一个记忆槽对称分布，所述记忆槽的内底壁转动连接有两个转轴，且转轴的横截面为方形结构。本发明中的多个记忆带可在按照一定竖直方向排布以便不同年龄段的人员进行记忆，各记忆带的正反面可分别记载长期记忆内容与短期记忆内容，满足不同的记忆需要，记忆带的方式增加记忆内容，解决了现有技术中卡片记载记忆内容，不同记忆人群还需更换卡片的技术问题。
一种教育心理学记忆判断演示装置

[发明专利]静态随机存取记忆体的记忆胞的结构-CN200510093393.6有效
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-08-23 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： G11C11/41 文献下载
摘要：一种静态随机存取记忆体的记忆胞的结构，SRAM元件，其包括位于基板的深N井区中的SRAM记忆胞。SRAM记忆胞中的P井区占据少于约65％的SRAM记忆胞的面积。SRAM记忆胞区域的较长边对SRAM记忆胞较短边的比大于约1.8。SRAM记忆胞中的多个NMOS晶体管的主动区总面积占据少于约25％的SRAM记忆胞面积。SRAM记忆胞中的拉升晶体管通道宽度对SRAM记忆胞中的下拉晶体管通道宽度的比是大于约0.8。SRAM记忆胞进一步包括无硼的层间介电层、介电常数少于约3的金属层间介电层和厚度少于约20微米的聚亚酰胺层。本发明提供的记忆胞结构的系统减少、解决或避免发生在SRAM元件或其他记忆体元件中的软错误造成储存的数据受到毁损。
静态随机存取记忆体记忆结构

[实用新型]单向散热模组-CN201820232455.X有效
发明人：丁幸强 -专利权人：苏州天脉导热科技股份有限公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单向散热模组，包括散热器和双程记忆连接件，双程记忆连接件紧贴热源设置、且设置在热源和散热器之间，双程记忆连接件能够记忆膨胀和记忆收缩，双程记忆连接件记忆膨胀时连接热源和散热器，双程记忆连接件记忆收缩时分离热源和散热器本实用新型的单向散热模组，散热器通过双程记忆连接件选择性的与热源连接，当热源加热双程记忆连接件达到膨胀临界温度时，双程记忆连接件膨胀使得散热器和热源连接，将热源产生的热量散发出去；当双程记忆连接件的温度低于收缩临界温度时，双程记忆连接件收缩使得散热器与热源断开，散热器对热源失去散热作用，起到对热源的保温效果；以此实现热源和散热器之间的单向传热散热。
热源散热器连接件双程收缩单向散热模组膨胀本实用新型保温效果单向传热热量散发散热作用散热断开加热紧贴

[实用新型]一种记忆合金圈密封装置-CN201620916074.4有效
发明人：张国亮 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： F16J15/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种记忆合金圈密封装置，该装置主要包括外筒、记忆合金圈和端盖，记忆合金圈分为外记忆合金圈和内记忆合金圈。升温相变时，记忆合金圈变为高温相形状，外记忆合金圈的形状整体收缩，内记忆合金圈的形状整体涨大，可对薄壁外筒装置内的液体或气体介质实现密封作用。降温相变时，记忆合金圈变为低温相形状，外记忆合金圈的形状整体涨大，内记忆合金圈的形状整体收缩，可对密封装置进行自由拆卸。密封状态下，外记忆合金圈和内记忆合金圈在薄壁外筒内外表面上产生的合力理论值为零，可以避免薄壁外筒单侧受力变形带来的泄漏风险。本实用新型的记忆合金圈密封装置密封寿命长，且不会降低薄壁外筒装置内的介质密封效果。
一种记忆合金密封装置

[实用新型]带气囊结构的记忆海绵垫-CN202021278059.4有效
发明人：王继祥 -专利权人：苏州市天利海绵有限公司
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： A47C27/15 文献下载
摘要：本实用新型公开了带气囊结构的记忆海绵垫，包括从上至下依次分布的记忆海绵垫顶层、记忆海绵垫底层和记忆海绵垫中层，所述记忆海绵垫顶层与记忆海绵垫中层可拆分设置，所述记忆海绵垫底层和记忆海绵垫中层固定连接，所述记忆海绵垫中层与记忆海绵垫底层之间固定设有一层调节气囊层本实用新型涉及一种海绵垫，特别涉及带气囊结构的记忆海绵垫，属于记忆海绵技术领域。本实用新型通过在记忆海绵垫上端设置一层可拆分的海绵垫，方便对记忆海绵垫的上端面进行清洗更换；本实用新型通过设置调节气囊层，可以对海绵垫上端的硬度做出调整，方便调节海绵垫上端的硬度，实用效果强。
气囊结构记忆海绵

[发明专利]电池保护装置、盖板组件及电池-CN201610325429.7在审
发明人：鲁鹏;蒋露霞;胡世超;杨珂利;王信月;程晗 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01M2/34 文献下载
摘要：本发明提供一种电池保护装置、盖板组件及电池，该电池保护装置包括盖板本体及温度记忆元件，所述温度记忆元件的一端与所述第二电极端子电连接，所述温度记忆元件具有低温记忆形态及高温记忆形态，所述温度记忆元件的另一端在所述低温记忆形态及高温记忆形态下分别与所述盖板本体断开和接触，所述温度记忆元件能够在电池内部温度高于预设温控阀值时由低温记忆形态变形至高温记忆形态。该电池保护装置，当电池内部温度超过温度记忆元件的预设温度阀值时，在第一电极端子与第二电极端子之间形成短路，利用盖板本体及温度记忆元件等结构的阻抗消耗电池残余能量，降低电池起火或爆炸的风险。
电池保护装置盖板组件

[发明专利]一种词汇记忆装置-CN202011351237.6在审
发明人：李志富 -专利权人：李志富
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G09B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种词汇记忆装置，包括晃动机构与搅拌装置，可以将词汇词汇进行记忆后，放入箱体中将其打乱，学生需要不断的提高自己的词汇单词记忆量或掌握量，大量的单词都需要学习者记忆，单词的记忆不能速成也没捷径可走，而死记硬背又是学习词汇单词的弊端，目前普遍的辅助记忆的方法是将需要背诵的单词、术语或短语抄写在纸片或者卡片上并随身携带，以便随时查看，强化记忆，但是此种方法显然不足以加强记忆，记忆方法效果不好，本发明可以加强对词汇记忆的增强有利于学生的学习记忆，提高学习效率，实现在单词球上书写帮助记忆，加深词汇的记忆效果，教学方便快捷，教学方式灵活多变，提高学生的接受能力。
一种词汇记忆装置

[发明专利]一种生物仿脑存储方法及系统-CN202110541146.7有效
发明人：孙建辉;卢文军 -专利权人：山东师范大学
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G06N3/04 文献下载
摘要：本公开提供了一种生物仿脑存储方法及系统，其中，生物仿脑存储方法用于记忆存储器，记忆存储器包括长时程记忆存储单元和短时程记忆存储单元，包括：获取预设时隙内待存储的记忆特征出现的频数，以及各记忆特征对应的时间戳；将频数大于预设长时程频数阈值的记忆特征按照时间戳的顺序从长时程记忆存储单元的起始地址开始依次存储；以及，将频数小于或等于长时程频数阈值的记忆特征按照时间戳的顺序从短时程记忆存储单元的起始地址开始依次存储这样，可以实现在内存空间大小受限的记忆存储器中存储数据，并且在进行数据更新时，减少记忆存储器内部非更新特征数据的移动能耗，降低记忆存储器引起的功耗开销。
一种生物存储方法系统