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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]太阳能电池-CN200810066749.0有效
发明人：孙海林;姜开利;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2008-04-18 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池，该太阳能电池包括一背电极、一硅片衬底、一掺杂硅层和一上电极。所述硅片衬底包括相对设置的一第一表面和一第二表面。所述背电极设置于所述硅片衬底的第一表面，且与该硅片衬底第一表面欧姆接触。所述硅片衬底的第二表面设置有多个间隔设置的凹孔。所述掺杂硅层形成于所述硅片衬底第二表面的凹孔的内表面。所述上电极设置于所述硅片衬底的第二表面。该上电极包括一碳纳米管复合结构。
太阳能电池

[发明专利]太阳能电池-CN200810066504.8无效
发明人：孙海林;姜开利;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2008-04-03 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池，该太阳能电池包括一背电极、一硅片衬底、一掺杂硅层和一上电极。所述背电极设置于所述硅片衬底的下表面，且与该硅片衬底表面欧姆接触。所述硅片衬底的上表面形成有多个间隔设置的凹孔。所述掺杂硅层形成于所述硅片衬底上表面的凹孔的内表面。所述上电极设置于所述硅片衬底的上表面。该上电极包括多个线状碳纳米管结构。
太阳能电池

[发明专利]一种硅片衬底表面预处理方法及其应用-CN202211334890.0在审
发明人：翁俊;刘繁;汪建华;汪淏;刘小波;张昕煦;扬子 -专利权人：武汉莱格晶钻科技有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明涉及硅片衬底表面预处理方法，以硅片作为衬底，在其表面进行图形化；对前述所得衬底进行磁控溅射镀钼处理；对前述所得衬底进行光刻胶去胶处理；将前述所得衬底浸入金刚石粉悬浊液中进行超声震荡处理，以在衬底表面形成划痕缺陷；对前述所得衬底进行清洗干燥，即得目标物。一种如上述硅片衬底表面预处理方法所制备的硅片衬底应用于生产自支撑金刚石膜。有益效果是：通过对硅衬底表面进行图形化处理，形成排布规则的网格形核区域，然后将钼过渡层规则的沉积在硅衬底表面，并利用金刚石粉悬浊液，在经过图形化的硅片表面形成均匀的划痕缺陷，提高硅片表面金刚石形核的密度及其均匀性
一种硅片衬底表面预处理方法及其应用

[发明专利]太阳能电池-CN200810065797.8有效
发明人：孙海林;姜开利;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2008-03-07 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池，该太阳能电池包括一背电极、一硅片衬底、一掺杂硅层和一上电极。所述背电极设置于所述硅片衬底的下表面，且与该硅片衬底表面欧姆接触。所述硅片衬底的上表面形成有多个间隔设置的凹孔。所述上电极设置于所述硅片衬底的上表面。该上电极包括一碳纳米管结构。
太阳能电池

[发明专利]一种MEMS压力敏感芯片及其制作方法-CN201010152893.3有效
发明人：沈绍群;周刚;王树娟;郭玉刚 -专利权人：无锡市纳微电子有限公司
申请日： 2010-04-22 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：其包括硅片、基底、敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件，其特征在于：所述基底具体为衬底硅片，所述衬底硅片的上表面和下表面的中心部分均开有浅槽，所述衬底硅片的上表面为二氧化硅（SiO2）的氧化层，所述硅片的底面键合于所述衬底硅片的上表面。
一种 mems 压力敏感芯片及其制作方法

[发明专利]太阳能电池-CN200810066750.3在审
发明人：孙海林;姜开利;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2008-04-18 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池，该太阳能电池包括一背电极、一硅片衬底、一本征隧道层和一碳纳米管结构。所述硅片衬底包括相对设置的一第一表面和一第二表面。所述背电极设置于所述硅片衬底的第一表面，且与该硅片衬底的第一表面欧姆接触。所述本征隧道层设置于所述硅片衬底的第二表面，且与该硅片衬底的第二表面接触。
太阳能电池

[发明专利]硅基衬底的加工方法-CN201910980307.5有效
发明人：王丛;高达;王经纬;刘铭;刘兴新;于小兵;周立庆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明提出了一种硅基衬底的加工方法，包括：获取硅片；对硅片进行化学处理，以在硅片表面形成氢钝化层；对硅片进行脱附工艺处理，以去除氢钝化层。根据本发明实施例的硅基衬底的加工方法，在对硅片进行化学处理后，在硅片的表面形成氢钝化层，可以有效保护硅片。而且，氢钝化层的脱附温度相对较低，从而有效降低避免了硅片高温脱附钝化层而导致硅片弯折损伤和引入杂质的问题，而且，在选择硅片时，优化硅片筛选标准，从而有效降低了硅基衬底的平整度，提高了硅基衬底的加工质量，
衬底加工方法

[实用新型]一种MEMS压力敏感芯片-CN201020166950.9有效
发明人：沈绍群;周刚;王树娟;郭玉刚 -专利权人：无锡市纳微电子有限公司
申请日： 2010-04-22 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：其包括硅片、基底、敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件，其特征在于：所述基底具体为衬底硅片，所述衬底硅片的上表面和下表面的中心部分均开有浅槽，所述衬底硅片的上表面为二氧化硅（SiO2）的氧化层，所述硅片的底面键合于所述衬底硅片的上表面。
一种 mems 压力敏感芯片

[发明专利]一种真空镀膜测试用衬底以及真空镀膜的测试方法-CN202211514512.0在审
发明人：林锦山;廖培灿;黄天福 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H02S50/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种真空镀膜的测试方法，它包括如下步骤，A、选取硅片作为衬底；B、对硅片的测试面进行化学抛光；C、在硅片的测试面上形成衬底膜层；D、将硅片送入待测设备中，在衬底膜层上形成待测膜层；E、使用椭偏仪，录入硅片和衬底膜层的信息，以进行膜层测试并拟合计算测试结果；所述衬底膜层最外层的折射率与待测膜层的折射率的差值大于0.5。本发明的目的在于提供一种真空镀膜测试用衬底以及真空镀膜的测试方法，尺寸、材质同实际生产用硅片相当，提高实验监测的准确性，解决使用抛光晶圆衬底成本高、消耗大的问题。
一种真空镀膜测试衬底以及方法

[发明专利]基于宽禁带a-SiOx及低温SiO₂钝化的背接触N型电池的制备方法-CN201210038591.2在审
发明人：高华;汪建强;王博;谢卿;徐蛟 -专利权人：上海超日太阳能科技股份有限公司
申请日： 2012-02-21 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及基于宽禁带a-SiOx及低温SiO2钝化的背接触N型电池的制备方法，其特征在于：以N型硅片作为电池片的衬底，进行以下步骤，对硅片衬底清洗制绒；以三氯氧磷为扩散源对硅片衬底扩散，使形成N+/N前表面场；对硅片衬底进行二次清洗；在硅片衬底采用湿法的方式形成SiO2/a-SiNx叠层结构；在硅片衬底正面沉积a-SiOx/a-SiNx层；丝网印刷背面电极；经烧结，形成硅电池板。
基于宽禁带 siox 低温 sio sub 钝化接触电池制备方法

[发明专利]基本无生长缺陷的外延硅片-CN99806946.9无效
发明人： L·穆勒斯塔格诺;L·菲;J·C·霍尔泽;H·W·科博;R·J·法尔斯特 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 1999-10-13 - 公布日： 2001-08-08 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明的目的与一组安装在硅片盒、硅片舟或其他硅片载体内的外延硅片有关。每个硅片包括一片单晶硅衬底,该衬底含有一个以硅自－填隙原子为主要本征点缺陷、且基本无聚集填隙原子缺陷的轴对称区;还包含一层外延层,该外延层淀积于该衬底表面、且基本不含有因生长外延层的衬底表面存在聚集硅自
基本生长缺陷外延硅片

[发明专利]一种基于硅硅键合的高精度压力传感器的制造方法-CN201610730665.7有效
发明人：李颖;张治国;郑东明;梁峭;祝永峰 -专利权人：沈阳仪表科学研究院有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅硅键合的高精度压力传感器的制造方法，它包括敏感硅片层及衬底硅片层，其技术要点是：在敏感硅片层背面连接有衬底硅片层，所述敏感硅片层和衬底硅片层采用硅硅键合工艺形成压力密封腔。所述的衬底硅片层采用和敏感硅片层同质的单晶硅材料，中心具有导压通孔；本发明的压力传感器的敏感硅片层及衬底硅片层都采用单晶硅材料为基底制作，并通过硅硅键合工艺实现气密性连接，形成“硅‑硅”同质材料结构的压力密封腔
一种基于硅硅键合高精度压力传感器制造方法

[实用新型]一种玻璃微熔压力传感器-CN201921582209.8有效
发明人：陈君杰 -专利权人：陈君杰
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G01L9/04 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种玻璃微熔压力传感器，该玻璃微熔压力传感器包括衬底和惠斯通电桥，所述衬底的两端设置有第一电子元件和第二电子元件，所述衬底的中部间隙设置有第一硅片和第二硅片，所述第一硅片与第一电子元件相连接，所述第二硅片与第二电子元件相连接，所述第一硅片、第二硅片与衬底之间均设置有玻璃粉，所述第一硅片、第二硅片均通过玻璃粉微熔实现第一硅片、第二硅片与衬底的紧密贴合连接。
一种玻璃压力传感器

[发明专利]具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片及其制成方法-CN201010278735.2有效
发明人：李乐 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-09-10 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明提出一种具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片，用于在绝缘体上硅衬底上制作器件，绝缘体上硅衬底依次包括衬底层、氧化掩埋层、单晶硅顶层和层间介质层，具有散热结构的绝缘体上硅衬底硅片包括金属接触孔，金属接触孔贯穿层间介质层、单晶硅顶层和氧化掩埋层，与衬底层接触。这种绝缘体上硅衬底硅片的制作方法也一并提出。本发明所揭露的绝缘体上硅衬底硅片，在SOI衬底中形成金属接触孔，消除了氧化掩埋层对于热量的阻挡，增大SOI衬底的导热能力。
具有散热结构绝缘体衬底硅片及其制成方法

[发明专利]一种背电极太阳能电池结构及其制造方法-CN201110400796.6无效
发明人：饶祖刚;沈浩平;丛培金;王云峰;杜春倩;王志刚 -专利权人：天津中环半导体股份有限公司
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：该背电极太阳能电池采用单晶衬底硅片，在硅片背面一侧通过掺杂形成与衬底硅片具有相同导电类型的第一半导体区域；与衬底硅片具有相反导电类型的第二半导体区域和与衬底硅片具有相同导电类型的第三半导体区域，交替形成在第一半导体区域内，第二半导体区域与第一半导体区域间形成PN结；金属电极分别从第二、第三半导体区域的电极引出区引出并与引出区形成欧姆接触；在硅片的表面一侧加工出绒面，通过掺杂形成与衬底硅片具有相同导电类型的第四半导体区域该结构及其制造方法可以减少衬底硅片体内载流子的复合，提高电池的转换效率，制造过程简单，易于实现。
一种电极太阳能电池结构及其制造方法

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