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[发明专利]蚀刻装置以及利用其的蚀刻方法-CN202111209852.8在审
发明人：赵原济;李德重 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供一种蚀刻装置以及利用其的蚀刻方法。蚀刻装置可以包括：喷嘴部，包括至少一个喷嘴，喷嘴包括：蚀刻溶液喷射口，向蚀刻对象物提供蚀刻溶液；蚀刻溶液回收口，回收蚀刻溶液；以及密封部，包围蚀刻溶液喷射口和蚀刻溶液回收口，并且防止蚀刻溶液的泄漏。蚀刻装置可以位于蚀刻对象物的下部来对蚀刻对象物的底面进行蚀刻。由此，对蚀刻对象物进行蚀刻的蚀刻溶液可以仅对蚀刻区域进行蚀刻。因此，可以提高蚀刻的准确度，并且可以提高蚀刻对象物的品质的完成度。
蚀刻装置以及利用方法

[发明专利]蚀刻气体以及蚀刻方法-CN202280019716.9在审
发明人：岩崎淳平;谷本阳祐 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供能够与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻具有氮化硅的蚀刻对象物的蚀刻气体以及蚀刻方法。一种蚀刻气体，含有亚硝酰氟，并且作为杂质含有硝酰氟，硝酰氟的浓度为0.0001质量ppm以上且100质量ppm以下。一种蚀刻方法，具备蚀刻工序，在所述蚀刻工序中使该蚀刻气体与具有蚀刻对象物和非蚀刻对象物的被蚀刻构件(12)接触，与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻蚀刻对象物，所述蚀刻对象物是蚀刻气体的蚀刻对象，所述非蚀刻对象物不是蚀刻气体的蚀刻对象蚀刻对象物具有氮化硅。
蚀刻气体以及方法

[发明专利]蚀刻气体及其制造方法、以及蚀刻方法、半导体元件的制造方法-CN202180069821.9在审
发明人：铃木淳 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种能够与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻含有硅的蚀刻对象物的蚀刻气体和蚀刻方法。蚀刻气体含有由通式C4HxFy表示并且通式中的x为1以上7以下、y为1以上7并且，蚀刻气体含有碳酰氟作为杂质，碳酰氟的浓度为100质量ppm以下。蚀刻方法具备蚀刻工序，蚀刻工序使蚀刻气体与具有蚀刻对象物和非蚀刻对象物的被蚀刻构件(12)接触，与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻蚀刻对象物，蚀刻对象物是蚀刻气体的蚀刻对象，非蚀刻对象物不是蚀刻气体的蚀刻对象蚀刻对象物含有硅。
蚀刻气体及其制造方法以及半导体元件

[发明专利]蚀刻气体及其制造方法、蚀刻方法以及半导体元件的制造方法-CN202180070335.9在审
发明人：铃木淳 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供能够与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻含有硅的蚀刻对象物的蚀刻气体以及蚀刻方法。蚀刻气体含有用通式C4HxFy表示且通式中的x为1以上且7以下、y为1以上且而且，蚀刻气体含有氟化氢作为杂质，氟化氢的浓度为100质量ppm以下。蚀刻方法具备蚀刻工序，在所述蚀刻工序中，使蚀刻气体与具有蚀刻对象物和非蚀刻对象物的被蚀刻构件(12)接触，与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻蚀刻对象物，所述蚀刻对象物是蚀刻气体的蚀刻对象，所述非蚀刻对象物不是蚀刻气体的蚀刻对象蚀刻对象物含有硅。
蚀刻气体及其制造方法以及半导体元件

[发明专利]蚀刻方法及蚀刻装置-CN201210382207.0有效
发明人：秋山政宪;松尾达彦 -专利权人：开美科技股份有限公司
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：一种蚀刻方法，具备：第1蚀刻工序，将蚀刻液从一流体喷嘴（20）喷射而喷附于蚀刻对象物（1）的蚀刻对象面，从而将蚀刻对象面蚀刻；以及第2蚀刻工序，将蚀刻液与气体混合后从二流体喷嘴（30）喷射，将蚀刻液喷附于在第1蚀刻工序中被蚀刻后的蚀刻对象面，从而将蚀刻对象面进一步蚀刻。在第2蚀刻工序中，将与第1蚀刻工序相比液滴微小的蚀刻液以比第1蚀刻工序强的冲击力喷附于蚀刻对象面。
蚀刻方法装置

[实用新型]具有精修蚀刻功能的蚀刻机-CN201821549048.8有效
发明人：陈德和 -专利权人：东莞宇宙电路板设备有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种具有精修蚀刻功能的蚀刻机，包括用于将线路板进行蚀刻的第一蚀刻部分、用于将线路板再次进行精修蚀刻的第二蚀刻部分、用于将将线路板自第一蚀刻部分输送至第二蚀刻部分的传输机构，第一蚀刻部分包括用于容置第一蚀刻药水的第一蚀刻缸和安装于第一蚀刻缸上方的喷淋架系统；第二蚀刻部分包括用于容置蚀刻速率比第一蚀刻药水蚀刻速率低的第二蚀刻药水的第二蚀刻缸、以及安装于第二蚀刻缸位置的精修蚀刻装置，传输机构依次穿过第一蚀刻部分和第二蚀刻部分，以将经第一蚀刻部分蚀刻后的线路板输送至第二蚀刻部分进行精修蚀刻本实用新型提供的具有精修蚀刻功能的蚀刻机，蚀刻制作的PCB板线型底部毛边少，残铜率低，线型侧蚀量小。
蚀刻精修线路板蚀刻机药水本实用新型传输机构容置蚀刻装置喷淋架速率比残铜侧蚀毛边穿过制作

[实用新型]一种用于钛网蚀刻的可翻板蚀刻机-CN202320879302.5有效
发明人：徐新涛 -专利权人：广德均瑞电子科技有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于钛网蚀刻的可翻板蚀刻机，包括有钛网蚀刻机，钛网蚀刻机的本体设置为钛网蚀刻腔，钛网蚀刻腔的外表面包裹设置有蚀刻腔保温罩；钛网蚀刻腔的中部安装设置有钛网蚀刻台，钛网蚀刻台的中部开设有钛网蚀刻槽，钛网蚀刻槽内部放置有钛网蚀刻架，钛网蚀刻槽的中部开设有蚀刻连通槽，钛网蚀刻架于蚀刻连通槽内安装设置有连接钛网蚀刻架的蚀刻架连接杆；本实用新型通过蚀刻液循环实现蚀刻时蚀刻液浓度的稳定和均一，而提高蚀刻的工作效率，通过控制蚀刻液的蚀刻温度，进而对蚀工作效率进行补强，通过程控高精度地实现钛网蚀刻翻板调整，控制钛网双面蚀刻，进而控制整个蚀刻过程的均一性和工作效率，能提升钛网蚀刻精度和准确度。
一种用于蚀刻可翻板

[发明专利]蚀刻治具、蚀刻装置及蚀刻方法-CN202011585283.2在审
发明人：张续朋;杨彦伟;刘宏亮 -专利权人：芯思杰技术（深圳）股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明涉及半导体蚀刻技术领域，具体涉及一种蚀刻治具、蚀刻装置及蚀刻方法。蚀刻装置包括蚀刻治具以及蚀刻机，蚀刻机包括蚀刻液缸以及喷嘴，蚀刻治具位于蚀刻液缸内，并能够在蚀刻液缸内旋转，喷嘴位于蚀刻治具的上方，且喷嘴用于喷洒蚀刻液，蚀刻治具包括治具本体，治具本体上开设有凹槽，凹槽的内壁形成用于放置待蚀刻晶片的蚀刻区域蚀刻方法包括将待蚀刻晶片放置在蚀刻装置内，使蚀刻治具在蚀刻液缸内旋转，以及将喷嘴打开对待蚀刻晶片喷洒蚀刻液，多余的蚀刻液会从排液口流出。针对如InP/InGaAs非标准晶片碎片时，该蚀刻治具也同样适用，旋转时的离心力和凹槽的侧壁起到限位作用，满足非标准晶片的蚀刻工艺需求。
蚀刻装置方法

[发明专利]自动补蚀刻方法和装置-CN202110500757.7有效
发明人：田乐;张国庆;张博维;杨军 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本公开涉及半导体技术领域，公开了一种自动补蚀刻方法和装置，该自动补蚀刻方法包括：接收第一蚀刻机台发出的报警信号，终止对第一蚀刻机台内晶圆的蚀刻；接收第一蚀刻机台内的运行参数，当运行参数超过设定阈值时，将晶圆退出第一蚀刻机台；获取已经进行蚀刻的已蚀刻时长，当已蚀刻时长小于制程时长时，确定对晶圆进行补蚀刻；根据已蚀刻时长、制程时长、第一蚀刻机台的蚀刻参数以及第二蚀刻机台的蚀刻参数确定补蚀刻制程，并将晶圆转入第二蚀刻机台按照补蚀刻制程进行补蚀刻该自动补蚀刻方法避免颗粒物、聚合物掉落在晶圆上对晶圆造成污染导致的报废；避免影响蚀刻进行，保证工作效率；而且确定补蚀刻制程确保补蚀刻的准确性。
自动蚀刻方法装置

[发明专利]一种超薄材料蚀刻装置-CN202110918298.4在审
发明人：田爱民 -专利权人：昆山元天电子有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄材料蚀刻装置，包括第一蚀刻槽、第二蚀刻槽、料卷传送机构、第一喷淋机构和第二喷淋机构，所述第一蚀刻槽和第二蚀刻槽并排设置，所述料卷传送机构用以传送并承托待蚀刻材料依次进入所述第一蚀刻槽和第二蚀刻槽而使得待蚀刻材料在所述第一蚀刻进行正面蚀刻、在所述第二蚀刻槽内进行反面蚀刻。本发明通过喷淋机构进行喷淋，蚀刻完一面再蚀刻另一面，无残留蚀刻液存留，提高了蚀刻精度；本发明通过料卷传送机构可以使得蚀刻材料能够具有承托的进入至第一蚀刻槽和第二蚀刻槽内进行蚀刻，不会出现起皱现象，蚀刻均匀；此外，本发明提供的蚀刻装置无需夹板夹持，不会导致待蚀刻材料的张力不均匀，因此蚀刻均匀。
一种超薄材料蚀刻装置

[实用新型]一种超薄材料蚀刻装置-CN202121869988.7有效
发明人：田爱民 -专利权人：昆山元天电子有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超薄材料蚀刻装置，包括第一蚀刻槽、第二蚀刻槽、料卷传送机构、第一喷淋机构和第二喷淋机构，所述第一蚀刻槽和第二蚀刻槽并排设置，所述料卷传送机构用以传送并承托待蚀刻材料依次进入所述第一蚀刻槽和第二蚀刻槽而使得待蚀刻材料在所述第一蚀刻进行正面蚀刻、在所述第二蚀刻槽内进行反面蚀刻。本实用新型通过喷淋机构进行喷淋，蚀刻完一面再蚀刻另一面，无残留蚀刻液存留，提高了蚀刻精度；本实用新型通过料卷传送机构可以使得蚀刻材料能够具有承托的进入至第一蚀刻槽和第二蚀刻槽内进行蚀刻，不会出现起皱现象，蚀刻均匀；此外，本实用新型提供的蚀刻装置无需夹板夹持，不会导致待蚀刻材料的张力不均匀，因此蚀刻均匀。
一种超薄材料蚀刻装置

[实用新型]用于眼镜片的小型蚀刻机及蚀刻组件-CN202123139736.1有效
发明人：杨风林 -专利权人：潍坊市坊子区蕴德眼镜销售有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： B29C37/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及镜片加工设备技术领域，尤其为一种用于眼镜片的小型蚀刻机及蚀刻组件，包括外壳，所述外壳上设有蚀刻组件，所述蚀刻组件至少包括一蚀刻膜，所述外壳内还设有用于输送蚀刻液到蚀刻组件上的泵组件，所述蚀刻膜上开有用于蚀刻液透过的蚀刻槽本实用新型通过泵组件配合蚀刻组件，将蚀刻液从蚀刻膜的蚀刻槽中渗出对镜片进行蚀刻，对镜片进行蚀刻图文，其结构简单，操作方便，相较于传统的蚀刻机不仅成本低廉，并且蚀刻效果好，便于推广和使用。
用于眼镜片小型蚀刻组件

[发明专利]一种闪存的存储单元开口的蚀刻方法-CN201310370318.4在审
发明人：于法波;冯骏 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2013-08-22 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存的存储单元开口的蚀刻方法，包括：第一蚀刻步骤，测量存储单元开口的第一高度，根据第一高度、第一蚀刻目标高度和第一蚀刻速率计算第一蚀刻时间，然后根据第一蚀刻时间进行第一蚀刻；第二蚀刻步骤，测量存储单元开口经过第一蚀刻后的第二高度，根据第二高度、第二蚀刻目标高度和第二蚀刻速率计算第二蚀刻时间，然后根据第二蚀刻时间进行第二蚀刻。本发明通过在第一蚀刻和第二蚀刻前分别测量待蚀刻晶圆的高度，然后根据目标高度和蚀刻速率计算出蚀刻时间，避免了多次蚀刻的叠加结果所造成的影响，提高蚀刻厚度的稳定性。
一种闪存存储单元开口蚀刻方法

[实用新型]一种滑动蚀刻设备-CN202220611532.9有效
发明人：凌洁 -专利权人：成都拓米智能系统技术有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种滑动蚀刻设备，包括圆筒状蚀刻仓、一个或至少两个蚀刻喷淋板以及蚀刻篮具，所述圆筒状蚀刻仓内壁设有以圆筒状蚀刻仓中心为圆心的环形蚀刻板滑行轨道，蚀刻篮具安装在圆筒状蚀刻仓中心位置，用于装载需要蚀刻的玻璃基板；所述一个或至少两个蚀刻喷淋板滑动安装在环形蚀刻板滑行轨道，并沿轨道滑行；蚀刻喷淋板上设有若干个蚀刻喷头，用于喷淋蚀刻液至蚀刻篮具。本实用新型提出的滑动蚀刻设备能够在蚀刻时将蚀刻液的均匀喷淋，提高玻璃基板的蚀刻平整度；可根据需求调整装载玻璃基板的数量，提高生产效率，节省蚀刻液用量，避免浪费资源，节省成本。
一种滑动蚀刻设备

[实用新型]一种蚀刻装置及电路板加工系统-CN201920679901.6有效
发明人：王文剑;张培全;陈国忠 -专利权人：深圳市实锐泰科技有限公司
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种蚀刻装置及电路板加工系统，该蚀刻装置包括蚀刻箱体；储液箱体；用于存储蚀刻液；输液管路，分别与储液箱体及蚀刻箱体连通，以向蚀刻箱体输送蚀刻液；收集管路，分别与蚀刻箱体及储液箱体连通，以将蚀刻箱体内完成蚀刻后的蚀刻液输送至储液箱体；其中，出液箱体内设有过滤机构，过滤机构用于过滤完成蚀刻后的蚀刻液，以使得完成蚀刻后的蚀刻液中的杂质被过滤后才注入输液管路，提高蚀刻液的使用寿命及使用效率，提高待蚀刻件的蚀刻品质及蚀刻效率。
蚀刻蚀刻液储液箱体过滤机构蚀刻装置输液管路过滤电路板加工使用寿命使用效率收集管路箱体连通连通存储申请

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