专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]超低量程荧光校准-CN201980014594.2在审
  • 雍顺祜 - 埃科莱布美国股份有限公司
  • 2019-03-01 - 2020-10-09 - G01N21/27
  • 荧光计可用于测量超低浓度的发荧光物质,诸如穿过反渗透膜进入渗透物流的超低浓度的荧光示踪剂。在一些实例中,可以通过基于荧光计测得的荧光反应,重置一些而非所有用于测定所述渗透物中的荧光示踪剂的浓度的校准参数来重新校准所述荧光计。例如,可以为所述荧光计原位重置或重新校准校准曲线的截距,即使所述荧光计尚未进行完全重新校准,也可能提供显著的精度提高。
  • 量程荧光校准
  • [发明专利]荧光探测器的校准方法及荧光探测器-CN202110246561.X在审
  • 刘树然;吴再辉;刘莹;安帅;昝明辉 - 郑州中科生物医学工程技术研究院
  • 2021-03-05 - 2022-09-09 - G01N21/64
  • 本发明涉及荧光探测器的校准,特别涉及荧光探测器的校准方法及荧光探测器。荧光探测器的校准方法包括以下步骤:步骤一、使用待校准荧光探测器检测校准用样品,得到检测值a;步骤二,若检测值a>设定值b,根据检测值,通过待校准荧光探测器的控制装置以闭环方式降低激发光源的光强,使检测得到的检测值=设定值b;若检测值a<设定值b,根据检测值,通过待校准荧光探测器的控制装置以闭环方式增加激发光源的光强,使检测得到的检测值=设定值b。荧光探测器能够根据检测值调整荧光探测器的激发光源,使激发光源的光强降低或增加;上述方案能够解决现有的荧光探测器校准时装配调试困难、CV值不易控制的问题。
  • 荧光探测器校准方法
  • [发明专利]一种碱性覆盖剂压片荧光分析方法-CN202110398450.0在审
  • 席云荣;刘秀秀;邵海秀;李金花 - 山东莱钢永锋钢铁有限公司
  • 2021-04-12 - 2021-07-09 - G01N23/223
  • 本发明涉及一种碱性覆盖剂压片荧光分析方法,包括以下步骤:碱性覆盖剂试样的磨制粒度≥180目,进入研钵研制的碱性覆盖剂试样定量为60±2克,研制时间为100秒;校准样品的制备,用于建立校准曲线的校准样品,校准样品为包含不同种类、不同含量的元素;制备校准样品样片,将灼烧后的校准样品利用压片机进行压制样片,压制压力为30吨,保压时间为30秒;校准曲线的建立,利用X射线荧光光谱仪分别测定制备校准样品样片中钙和硅元素的荧光强度值,利用理论系数进行元素之间的校正,建立元素含量与校正后荧光强度值的校准曲线;制备校准样品样片的方法制备待测样品样片,再利用X射线荧光光谱仪分析待测样品样片,获得镁和硅元素校正后的荧光强度值。
  • 一种碱性覆盖压片荧光分析方法
  • [发明专利]一种利用荧光胶温度计算高温老化LED芯片结温的方法-CN202210746556.X在审
  • 陈凡;毛志勇;刘寅傲;罗杰;陈龙;王昆黍 - 上海精密计量测试研究所
  • 2022-06-28 - 2022-10-21 - G01R31/26
  • 本发明实施例提供了一种利用荧光胶温度计算高温老化LED芯片结温的方法,包括步骤:通过热电偶测试的LED荧光胶温度校准红外法测试的LED荧光胶温度,确定校准P系数;确定LED芯片的温度敏感参数K系数;采用热电偶P系数校准后的红外法重新测定荧光胶温度,采用瞬态热阻法测试芯片结温;单独改变恒温炉温度,确定其对校准红外法荧光胶温度‑瞬态热阻法芯片结温曲线的影响;单独改变加热电流,确定其对校准红外法荧光胶温度‑瞬态热阻法芯片结温曲线的影响;将LED接入老化电路,采用校准红外法测试荧光胶温度,结合荧光胶温度‑芯片结温曲线,计算LED芯片结温。本发明无需测试荧光胶发射率,解决了传统方法不能快速精确测定高温老化LED芯片结温的不足。
  • 一种利用荧光温度计算高温老化led芯片方法

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