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[发明专利]磁记录元件以及磁记录装置-CN200510109730.6无效
发明人：森濑博史;中村志保;羽根田茂 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-09-12 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：自旋极化电子被注入其中的磁记录元件具有磁化方向由自旋极化电子根据该自旋极化电子的流动方向改变的层次，以及根据该磁化方向记录信息。磁记录元件包括其磁化方向由自旋极化电子的作用改变以及具有自旋极化度Pf的自由层FF。其磁化方向固定的固定层FP具有比自旋极化度Pf大的自旋极化度Pp。
记录元件以及装置

[发明专利]核自旋的超极化的方法-CN201580081853.5在审
发明人： F·杰勒兹克;M·皮勒尼奥;I·施瓦兹;陈琼;A·莱兹克 -专利权人：德国乌尔姆大学
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： G01R33/62 文献下载
摘要：一种在相对于极化结构体运动的一个以上的粒子中的核自旋的超极化方法，其中将极化结构体中的电子自旋的极化转移至粒子中的核自旋，其中对于距离极化结构体的表面20nm内的一个以上的运动粒子，由于分子运动导致的与最近的极化结构体电子自旋相互作用的相关时间大于核拉莫尔频率的倒数；极化结构体中的电子自旋极化超过热平衡；以及极化转移共振地进行。
极化结构核自旋电子自旋极化转移超极化粒子电子自旋极化分子运动运动粒子热平衡共振倒数

[发明专利]磁存储器以及写该磁存储器的方法-CN200410031295.5无效
发明人：佐藤利江;水岛公一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-03-26 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：一种磁存储器包括：一个配置用于自旋极化构成写入电流的电子的自旋极化单元；一个配置用于将构成写入电流的电子转换成热电子的热电子生成单元；以及一个由经过自旋极化单元自旋极化并经过热电子生成单元转换成热电子的写入电流进行磁化方向倒转处理的磁层
磁存储器以及方法

[发明专利]一套测量电子自旋注入和滤波的显微测量系统-CN200710178300.9无效
发明人：肖文波;郑厚植;李桂荣;刘剑;谭平恒;扬威;张飞 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-11-29 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明是一套测量电子自旋注入和滤波的显微测量系统。所述显微测量系统用渥拉斯顿棱镜作为光起偏器，把一束HeNe激光变成线偏振光，然后使线偏振光通过与其成45度夹角的光弹调制器，根据光学原理，偏振光变成50kHz调制的左右旋圆偏振光，圆偏振光照射样品，样品中产生自旋极化的电子；在反向电场的驱动下，铁磁金属向半导体中注入自旋极化电子，但是由于半导体在圆偏振光的照射下会有50％的自旋极化电子，从而会对注入的自旋极化电子产生磁阻效应；在正向电场的驱动下，半导体中光照产生的自旋极化电子向铁磁这边驱动，受铁磁中极化电子的影响，会滤除与其自旋方向相反的注入电子。
一套测量电子自旋注入滤波显微系统

[发明专利]基于高频脉冲光抽运的原子自旋系综极化率稳定控制方法-CN202211300768.1在审
发明人：杜鹏程;裴宏宇;全伟;范文峰;袁琳琳;蔡泽 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01S3/094 文献下载
摘要：基于高频脉冲光抽运的原子自旋系综极化率稳定控制方法，使用高频率、高功率的圆偏振共振激光脉冲对电子自旋系综进行极化，为保证电子自旋系综极化率相对稳定，计算了脉冲激光参数对电子自旋系综极化率的影响，将反馈光经光电探测器放大与低通滤波后得到的信号作为等效抽运率的反馈信号，采用比例积分微分控制策略，调节脉冲光的占空比或激光功率稳定等效抽运率与电子自旋系综纵向极化率。本方法能够抑制传统的高功率抽运对系统刻度系数的影响，又可实现电子自旋系综极化率的稳定控制，可用于光泵磁强计、SERF磁强计、SERF原子自旋陀螺等领域，有较强的拓展性与实用价值。
基于高频脉冲抽运原子自旋极化稳定控制方法

[发明专利]一种利用光诱导界面电子自旋极化实现旋光的方法-CN201210495648.1有效
发明人：闫存极;韩立;顾文琪 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： G02B27/28 文献下载
摘要：一种利用光诱导界面电子自旋极化实现旋光的方法，利用入射线偏振光在界面上发生光学全反射所产生的倏逝波与位于该界面上能够实现电子自旋极化的功能层中所包含的由表面等离激元金属材料构成的具有纳米特征尺寸的结构发生相互作用，激发表面等离激元，使共振跃迁的表面自由电子在表面等离激元金属材料构成的结构的表面有效磁场中发生自旋进动，形成共同的自旋磁矩分量，从而在能够实现电子自旋极化的功能层中产生电子自旋极化，电子自旋极化可造成反射光相对于入射光的偏振面旋转现象，并且在能够实现电子自旋极化的功能层上施加电场或磁场可进一步控制该旋光现象。
一种利用光诱导界面电子自旋极化实现方法

[实用新型]一种基于拓扑绝缘体的自旋极化电子源-CN202121730654.1有效
发明人：杨秀富;肖绍铸;何少龙 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01J37/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于拓扑绝缘体的自旋极化电子源，包括：圆偏振光生成部件、设有玻璃视窗的真空壳体和设于真空壳体内的拓扑绝缘体及静电透镜；所述圆偏振光生成部件生成左旋或右旋的圆偏振光，所述圆偏振光通过玻璃视窗进入真空壳体内，斜照射于所述拓扑绝缘体的表面激发自旋极化电子，所述静电透镜的光轴与拓扑绝缘体表面圆偏振光入射点处的法线方向重合，所述自旋极化电子通过静电透镜得到自旋极化电子束。本实用新型的自旋极化电子源结构简单，满足高效率获得束斑较小的自旋极化电子束的实验需求。
一种基于拓扑绝缘体自旋极化电子

[发明专利]一种光学激发产生自旋极化电子和自旋电流的方法-CN201210495644.3有效
发明人：闫存极;韩立;顾文琪 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种利用光学激发产生自旋极化电子和自旋电流的方法，利用光学全反射在界面上所产生的倏逝波与位于该界面上产生自旋极化电子和自旋电流的功能层所包含的由表面等离激元金属材料构成的具有纳米特征尺寸的结构发生相互作用，激发表面等离激元，使共振跃迁的表面自由电子在表面等离激元金属材料构成的结构的表面有效磁场中发生自旋进动，形成共同的自旋磁矩分量，从而在产生自旋极化电子的功能层中产生了自旋极化电子，进而伴随着表面等离激元在表面（或界面）的传播而形成自旋电流。
一种光学激发产生自旋极化电子电流方法

[发明专利]一种基于电子顺磁共振的电子自旋极化率三维分布测量方法-CN202211339559.8在审
发明人：范文峰;裴宏宇;蔡泽;全伟;杜鹏程 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01R33/12 文献下载
摘要：一种基于电子顺磁共振的电子自旋极化率三维分布测量方法，使用纵向均匀磁场线圈与纵向梯度磁场线圈对电子自旋极化率的横向分布进行区分，在x方向施加振荡磁场与电子自旋发生电子顺磁共振，改变纵向匀强磁场的大小，使距离x轴不同位置的电子自旋与振荡磁场发生共振，其共振信号旋光角的振幅与共振点的相对极化率大小成正比，通过测量不同空间位置的共振信号反应电子自旋极化率的三维分布，不用施加高斯量级的大磁场使原子能级产生劈裂，有利于测量高温度、大压强下的电子自旋极化率三维分布。
一种基于电子顺磁共振电子自旋极化三维分布测量方法

[发明专利]电子自旋费米接触场与极化率的精确测定方法-CN202310020244.5在审
发明人：杜鹏程;裴宏宇;贾一凡;高航;李进 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G01R33/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子自旋费米接触场与极化率的精确测定方法。在z向施加十倍于核自旋费米接触场的自旋耦合系综解耦磁场，利用核自旋构造敏感纵向磁场的单轴磁强计，通过检测核自旋的进动频率测量纵向磁场。圆偏振抽运激光的旋向由σ+转化为σ‑，测量核自旋在两种抽运激光下的进动频率差，转化为纵向磁场的变化量，即两倍的电子自旋费米接触场将电子自旋费米接触场的测量转化为核自旋进动频率的测量，与传统的测量方法相比有更高的测量精度。电子自旋的极化率与其费米接触场呈线性关系，可对电子自旋极化率做精确计算。本方法可用于原子自旋陀螺仪、核磁共振陀螺仪等仪器的电子自旋费米接触场测量与电子自旋极化率测量。
电子自旋费米接触极化精确测定方法

[发明专利]一种室温热激发自旋极化电流源及其实现方法-CN202010708265.2有效
发明人：廖志敏;王安琦;向鹏展 -专利权人：北京大学
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L35/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种室温热激发自旋极化电流源及其实现方法。本发明通过在拓扑半金属中引入温度梯度，实现热激发自旋极化电流的产生和监测；通过改变加热端的位置来改变电子的热扩散方向，能够实现对自旋极化方向的有效调控；通过改变栅极电压的方式调节电子的自旋极化率；本发明能够稳定工作到室温，解决了传统自旋极化电流源工作温度偏低的问题；纳米尺寸的器件结构和简单便捷的制备工艺也方便未来自旋电子学器件的大规模集成；而且不同于传统电荷流激发自旋流的方法，热激发自旋极化电流源利用温度差来控制热流、电荷流和自旋流，能够将电子元器件集成中产生的热量进行回收循环使用，是一种低能耗高功效的环保型器件。
一种温热激发自旋极化电流及其实现方法

[发明专利]量子磁性存储器-CN01810324.3无效
发明人： E·C·汉纳;M·A·布朗 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2001-03-13 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： G11B5/00 文献下载
摘要：提供一种采用自旋极化电子束在磁性介质上存储数据的系统。该系统包括自旋极化电子束源和距离该源为选择距离设置的存储介质。最终层叠结构形成自旋相关电子陷阱，增加了处于第一自旋状态的射束电子和处于第二自旋状态的电子之间的耦合。电子光学系统引导自旋极化电子束源到多个存储位置。
量子磁性存储器

[发明专利]用自旋极化电子存储数据的方法和设备-CN95195255.2无效
发明人：托马斯·D·赫特;斯考特·A·哈尔平 -专利权人：特拉斯通公司
申请日： 1995-09-21 - 公布日： 1997-11-05 - 主分类号： G11B11/10 文献下载
摘要：一种数据存储器件，它包括一个衬底、一个衬底上的数据存储层以及一个自旋极化电子源。数据存储层包含固定数目原子层的磁性材料，它为数据存储层提供垂直于数据存储层表面的磁性各向异性。在数据存储层中存储数据的方法是提供一种具有电子磁场的自旋极化电子，其极化方向对应于第一和第二数据值中的一个数据值，此电子具有数据存储层中不成对电子的波长特性，它使材料出现磁矩；将自旋极化电子引导到数据磁场，以便将电子磁场的极化方向赋予数据磁场。从数据存储层读取数据的方法是将自旋极化电子以第二波长引导到数据磁场，并探测自旋极化电子受数据磁场的偏转或吸引。或者借助于将自旋极化电子引导到数据磁场，使磁性介质产生二次电子，然后探测二次电子的某些特性，从而从数据存储层读取数据。
自旋极化电子存储数据方法设备

[发明专利]自旋电子装置、双工器、收发器和电信装置-CN201780088815.1在审
发明人： R·多兰斯;F·谢赫 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：自旋电子装置包括第一铁磁层。第一铁磁层包括第一磁极化方向。此外，自旋电子装置包括第二铁磁层。第二铁磁层包括与第一方向相对的第二磁极化方向。此外，自旋电子装置包括长自旋寿命层。此外，自旋电子装置包括设置在第一铁磁层和长自旋寿命层之间的第一隧道势垒层。此外，自旋电子装置包括设置在第二铁磁层和长自旋寿命层之间的第二隧道势垒层。
自旋电子铁磁层自旋磁极化方向隧道势垒层电信装置方向相对收发器双工器

[发明专利]基于瞬态响应计算提升SERF原子自旋陀螺仪响应速度的方法-CN202111580141.1有效
发明人：全伟;裴宏宇;杜鹏程;范文峰;姜丽伟;段利红 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G01C19/58 文献下载
摘要：基于瞬态响应计算提升SERF原子自旋陀螺仪响应速度的方法，通过利用SERF原子自旋陀螺仪的磁场响应标定系统参数，利用系统参数构建SERF原子自旋陀螺仪的状态空间矩阵，在SERF原子自旋陀螺仪工作时采集输出信号，计算电子横向极化率，利用电子横向极化率解算核子横向极化率，使用瞬态电子、核子横向极化率信息构建状态向量，解算角速度输入，能够极大程度地提高SERF原子自旋陀螺仪转动输入下的响应速度，克服双轴耦合问题，
基于瞬态响应计算提升 serf 原子自旋陀螺仪速度方法

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