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[发明专利]聚偏氟乙烯复合材料表面的溴化处理方法-CN201811031354.7在审
发明人：刘少辉;王娇;丁俊;郝好山;赵利敏;程泽宇 -专利权人：河南工程学院
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： C08J7/14 文献下载
摘要：本发明提供了聚偏氟乙烯复合材料表面的溴化处理方法，采用液相法结合气相法对聚偏氟乙烯复合材料表面进行溴化处理，溴化处理后大幅度改善聚偏氟乙烯复合材料的表面粗糙度，通过溴化氢浓度、及溴化处理时间可以控制复合材料表面的粗糙程度，同时通过气相法溴化处理可以促使聚偏氟乙烯复合材料接枝上溴键，促使聚偏氟乙烯链发生环化，提高复合材料的绝缘性，从而提高复合材料的耐击穿场强。
溴化处理聚偏氟乙烯复合材料复合材料气相法场强复合材料表面表面粗糙度聚偏氟乙烯绝缘性耐击穿液相法溴化氢环化接枝粗糙

[发明专利]一种高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料的制备方法-CN201711290938.1有效
发明人：刘晓旭;李彦鹏;李娜;闫凯;岳东 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：一种高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料的制备方法，它涉及一种聚偏氟乙烯复合材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有聚偏氟乙烯的介电常数低的问题。方法：一、制备二维层状TiC纳米片；二、复合，得到碳化钛纳米片质量分数为5％～20％的高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料。本发明制备的高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料可应用于微电子加工、集成电路、高效率储能元件领域；本发明制备的高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料的介电常数为9.8～19.1。本发明可获得一种高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料。
一种高介电性能聚偏氟乙烯碳化纳米复合材料制备方法

[发明专利]一种聚偏氟乙烯/聚酰亚胺复合材料的制备方法-CN202111021035.X在审
发明人：周雨薇 -专利权人：大同共聚（西安）科技有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C08L79/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚偏氟乙烯/聚酰亚胺复合材料的制备方法，属于高分子复合材料领域。该复合材料的制备方法为先将聚偏氟乙烯在加热的状态下于N‑甲基乙酰胺中完全溶解，然后加入制备聚酰亚胺的原料二元胺单体和四羧酸二酸酐，在室温下反应制备得到聚偏氟乙烯/聚酰胺酸的混合溶液，将该溶液在烘箱中烘至溶剂挥发完全，然后在于马弗炉中，于高温下脱水进行亚胺化反应得到聚偏氟乙烯/聚酰亚胺复合材料。本发明通过原位制备聚酰亚胺来改善聚偏氟乙烯的性能，聚偏氟乙烯/聚酰亚胺复合材料。聚偏氟乙烯均匀分散在聚酰亚胺基体中，所制备的复合材料热分解温度高于470℃。
一种聚偏氟乙烯聚酰亚胺复合材料制备方法

[发明专利]一种石墨烯掺杂聚偏氟乙烯复合材料-CN201510226253.5有效
发明人：李爱妹;齐梦斐;胡娟;朱伟华;谢平;权红英;陈德志 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2015-05-06 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯与聚合物介电复合材料,即不同含氧量的石墨烯掺杂聚偏氟乙烯的复合材料。该复合材料中各成份所占的质量比为石墨烯0.5‑3%，聚偏氟乙烯97‑99.5%。本发明将不同含氧量石墨烯掺杂到聚偏氟乙烯中，在频率100Hz条件下掺杂有低含氧量石墨烯的聚偏氟乙烯复合材料的介电常数最高可达83。本发明提供了一种不同含氧量石墨烯与聚偏氟乙烯介电复合材料；同时提供了一种通过改变石墨烯的含氧量调节石墨烯与聚偏氟乙烯介电复合材料介电性能的方法。
一种石墨掺杂聚偏氟乙烯复合材料

[发明专利]一种多孔聚偏氟乙烯-碳纳米管复合材料及其制备方法-CN201410822004.8有效
发明人：杜飞鹏;沈天涵;谢岁岁;张芳;鄢国平;李亮;郭庆中;张桥 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔聚偏氟乙烯‑碳纳米管复合材料及其制备方法，将碳纳米管在超声分散作用下均匀分散于聚偏氟乙烯基体中，形成导电网络结构，并利用不良溶剂的挥发作用，以及碳纳米管与聚偏氟乙烯的相分离作用，在聚偏氟乙烯基体成膜过程中造孔，制得多孔的聚偏氟乙烯基体。聚偏氟乙烯基体的多孔结构使制得的多孔聚偏氟乙烯‑碳纳米管复合材料成为热的不良导体；碳纳米管在聚偏氟乙烯基体中形成的导电网络结构可有效提高多孔聚偏氟乙烯‑碳纳米管复合材料的电导率和塞贝克系数。制得的多孔聚偏氟乙烯‑碳纳米管复合材料表现出优异的热电性能。
一种多孔聚偏氟乙烯纳米复合材料及其制备方法

[发明专利]制备高β晶型聚偏氟乙烯-石墨烯复合材料的方法-CN201610503189.5有效
发明人：蒋世春;郭慧龙;王本平;尚英瑞;李景庆;王秀奎 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备β晶型聚偏氟乙烯‑石墨烯复合材料的方法。将聚偏氟乙烯、石墨烯熔融共混，采用熔融模压法制备聚偏氟乙烯/石墨烯复合材料片材，以5μm/s为恒定拉伸速率拉伸复合材料片材，在应变大于20％阶段得到高β晶型含量的聚偏氟乙烯/石墨烯复合材料。本发明的方法要求简单、操作便利，为高效制备高β晶型含量的聚偏氟乙烯/石墨烯符合材料提供了一种简单易行的方法。
制备晶型聚偏氟乙烯石墨复合材料方法

[发明专利]一种γ型聚偏氟乙烯/聚己二酸丁二醇酯复合材料及其制备方法-CN201810617855.7有效
发明人：王海军;刘坤 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：一种γ型聚偏氟乙烯/聚己二酸丁二醇酯复合材料，包括占总质量30%~70%的聚偏氟乙酸PVDF、及占总质量30%~70%的聚己二酸丁二醇酯PBA。其中，聚偏氟乙酸为γ型聚偏氟乙酸，此外还可能包括部分α型聚偏氟乙酸。所述复合材料的制法为：将聚偏氟乙烯、及聚己二酸丁二醇酯溶解在足量的DMF中；完全溶解后制取聚偏氟乙烯/聚己二酸丁二醇酯复合薄膜；将聚偏氟乙烯/聚己二酸丁二醇酯复合薄膜加热熔融以消除热历史，然后迅速降温至155℃~160℃，恒温培养至完全重结晶，得到具有γ型聚偏氟乙烯的聚偏氟乙烯/聚己二酸丁二醇酯复合材料。这种复合可生物降解材料的制作工艺简单科学，成本低廉，流程可控。
一种型聚偏氟乙烯己二酸丁二醇酯复合材料及其制备方法

[发明专利]一种亲水性聚偏氟乙烯复合材料-CN201710297891.5在审
发明人：邱鸿浩 -专利权人：成都博美实润科技有限公司
申请日： 2017-04-29 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： B01D71/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种亲水性聚偏氟乙烯复合材料，主要包括聚偏氟乙烯、两亲性共聚物和良溶剂，采用两亲性共聚物在良溶剂中共混改性聚偏氟乙烯，采用相反转法制备聚偏氟乙烯复合材料，操作简单。两亲性共聚物包括疏水链段和亲水链段，两亲性共聚物的疏水链段与聚偏氟乙烯的相容性较好，有效解决与聚偏氟乙烯共混过程中相容性差的问题，两亲性共聚物的亲水链段富集在聚偏氟乙烯的表面可以显著改善聚偏氟乙烯的亲水性，制备得到亲水性的聚偏氟乙烯复合材料，可以扩大聚偏氟乙烯在水处理领域的应用。
一种亲水性聚偏氟乙烯复合材料

[发明专利]一种极性相聚偏氟乙烯/深共晶溶剂复合薄膜及其制备方法-CN202011534352.7有效
发明人：王海军;袁慕华 -专利权人：肇庆复利新材料有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：一种极性相聚偏氟乙烯/深共晶溶剂复合薄膜材料。所述复合材料的制法为：将聚偏氟乙烯溶解在足量的N,N‑二甲基甲酰胺中；配制深共晶溶剂与聚偏氟乙烯共混（深共晶溶剂包括氯化胆碱/甘油、氯化胆碱/乙二醇、氯化胆碱/尿素、氯化胆碱/草酸）形成聚偏氟乙烯/深共晶溶剂复合薄膜；将偏氟乙烯/深共晶溶剂复合薄膜通过溶液浇铸法、旋涂法和热压法，得到具有高含量极性相聚偏氟乙烯的偏氟乙烯/深共晶溶剂复合材料。这种复合材料的制作工艺简单，成本低廉，流程可控。
一种极性相聚乙烯深共晶溶剂复合薄膜及其制备方法

[发明专利]聚偏氟乙烯基导电复合材料及PTC元件-CN202010559011.9有效
发明人：曹清华;赵鑫建;郁益根;赵电;刘正平;黄定兵;吴国臣;张伟 -专利权人：上海维安电子有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚偏氟乙烯基导电复合材料及PTC元件。所述的聚偏氟乙烯基导电复合材料，以聚偏氟乙烯(PVDF)基体，具有正温度系数（PTC）效应，环境温度25℃下的电阻率不大于10Ω.cm，包含：所述的PVDF为第一组分聚合物，占所述聚偏氟乙烯基导电复合材料的体积分数的本发明还包括利用所述聚偏氟乙烯基导电复合材料制备的PTC元件及其制备方法。由本发明聚偏氟乙烯基导电复合材料制备的PTC元件具有突出的电阻再现性，良好的耐电压性能和环境可靠性。
聚偏氟乙烯基导电复合材料 ptc 元件

[发明专利]一种高介电性能聚偏氟乙烯复合材料的制备方法-CN202011162944.0在审
发明人：付伟;王道军;王玉龙 -专利权人：合肥通融新型材料科技有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C04B26/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电性能聚偏氟乙烯复合材料的制备方法，涉及高分子领域，包括以下步骤：(1)聚偏氟乙烯的溶解；(2)高介电陶瓷粉的加入；(3)混合粒料的制备；(4)聚偏氟乙烯复合材料的制备；本发明制备方法将高介电陶瓷粉和柔性聚合物聚偏氟乙烯材料协同制备而成的复合材料
一种高介电性能聚偏氟乙烯复合材料制备方法

[发明专利]一种碳纳米管/石墨烯/聚偏氟乙烯介电复合材料及其制备方法-CN202110821721.9在审
发明人：孟繁玲;方晨宇;孟凡博 -专利权人：吉林大学
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01G4/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管/石墨烯/聚偏氟乙烯介电复合材料及其制备方法，是以聚偏氟乙烯为基体，以石墨烯和碳纳米管为导电填料，石墨烯、碳纳米管和聚偏氟乙烯的三相复合而成，石墨烯、碳纳米管和聚偏氟乙烯的质量比为：1：1：1000～1：1：16，以聚偏氟乙烯为基质，导电填料的重量百分比为0.1～3％。制备方法包括氧化石墨烯的制备、碳纳米管的表面改性和碳纳米管/石墨烯/聚偏氟乙烯介电复合材料的制备。本发明复合材料的介电常数相比纯聚偏氟乙烯和石墨烯/聚偏氟乙烯、碳纳米管/聚偏氟乙烯的二元体系有了较大增长，并在较低的渗透阈值下保持了相对低的介电损耗。
一种纳米石墨聚偏氟乙烯复合材料及其制备方法

[发明专利]一种铁钛铌/聚偏氟乙烯高介电复合材料及其制备方法-CN201510395538.1有效
发明人：侯育冬;付靖;韦俏伊;郑木鹏;朱满康;严辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：一种铁钛铌/聚偏氟乙烯高介电复合材料及其制备方法，属于介电复合材料制备技术领域。按一定体积比分别称取铁钛铌和聚偏氟乙烯粉体，先把聚偏氟乙烯加入N,N‑二甲基甲酰胺中超声，并加热搅拌，使聚偏氟乙烯完全融入N,N‑二甲基甲酰胺中；然后把铁钛铌粉体加入聚偏氟乙烯中超声搅拌，把得到的悬浊液倒入玻璃皿中把铁钛铌/聚偏氟乙烯复合薄膜放入热压模具中，用粉末压片机进行压片，即可得到铁钛铌/聚偏氟乙烯高介电复合材料。本发明方法制备的铁钛铌/聚偏氟乙烯电介质复合材料同时具有较高的介电常数和较好的加工性能，特别适用于嵌入式电容器等电子器件。同时，本发明操作方法简单，制备周期短，能耗和成本低，污染少。
一种铁钛铌聚偏氟乙烯高介电复合材料及其制备方法

[发明专利]一种铌酸钾/聚偏氟乙烯高介电复合材料的制备方法-CN201210404713.5有效
发明人：侯育冬;葛海燕;朱满康;刘晶冰;王如志;张铭;宋雪梅;汪浩;严辉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：一种铌酸钾/聚偏氟乙烯高介电复合材料的制备方法，属于介电复合材料技术领域。将聚偏氟乙烯加入DMF中，超声20~40min，得到聚偏氟乙烯的浓度为10~50wt%的透明溶液A；将铌酸钾加入到透明溶液A中，超声5~20min，把得到的悬浊液倒入玻璃皿中，置于80~120°C下烘干成膜，即可得到铌酸钾/聚偏氟乙烯复合薄膜B，铌酸钾与聚偏氟乙烯质量比为1∶9~5∶5；将铌酸钾/聚偏氟乙烯复合薄膜B折叠后放入热压模具中，然后将磨具放在粉末压片机上热压成型。本发明的复合材料介电常数较高、介电损耗较低、制备工艺简单、绿色环保的高介电常数聚合物基复合材料的制备方法。
一种铌酸钾聚偏氟乙烯高介电复合材料制备方法

[发明专利]一种具有高介电常数的聚合物-钾盐复合材料的制备方法-CN201010581345.2无效
发明人：朱基亮;王明松;李绪海;朱建国;肖定全 -专利权人：四川大学
申请日： 2010-12-09 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高介电常数聚合物-钾盐复合材料及其制备方法。该方法是将聚合物聚偏氟乙烯与钾盐按设计的体积分数比计算出所需用量，然后用有机溶液溶解聚偏氟乙烯，在溶解后的聚偏氟乙烯液体中加入钾盐并超声振荡至钾盐均匀分散在所述聚偏氟乙烯液体中，得复合液体，接着加入酒精使PVDF从有机溶液中析出，并抽滤得到复合材料粉体；将制得的复合材料粉体经冷压成型后加温处理成复合材料样品，再在其样品表面溅射金电极，即制得具有相对介电常数高达105～106的聚合物聚偏氟乙烯-钾盐复合材料
一种具有介电常数聚合物钾盐复合材料制备方法

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