专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]母猪产后哺乳栏舍-CN201520753109.2有效
  • 张子君;姜佳佳;杨剑忠 - 浙江开盛生态农业发展有限公司
  • 2015-09-25 - 2016-02-03 - A01K1/03
  • 本实用新型公开了一种母猪产后哺乳栏舍,包括依次连接的左栏杆、前栏杆、右栏杆,设于左栏杆和右栏杆上部的顶部栏杆,设于左栏杆和右栏杆后端上的栏舍门;右栏杆与左栏杆为对称结构;所述左栏杆包括上纵杆,下纵杆,设于下纵杆上的可相对下纵杆转动的U形缓冲管,设于U形缓冲管上的若干条锁链,各条锁链的自由端均与地面连接,设于与U形缓冲管位置相对应的上纵杆和下纵杆之间的竖向限位杆,设于U形缓冲管下部的下纵杆上的纵向限位杆
  • 母猪产后哺乳期
  • [实用新型]隧道上部溶洞的防护结构-CN201922486304.4有效
  • 姜冰;王方立;韩晓东;葛浪潮;夏江南;韩春鹏;唐代新;赵胜;陶坡;陈勇丰 - 中交路桥华南工程有限公司
  • 2019-12-30 - 2020-10-27 - E21D11/10
  • 本申请公开一种隧道上部溶洞的防护结构:混凝土护拱,紧贴隧道初期支护设置,并且与隧道初期支护的外轮廓一致;外层护拱,紧贴所述混凝土护拱设置,并且与所述混凝土护拱的外轮廓一致;混凝土缓冲层,紧接所述外层护拱设置,在预设的高度内填充所述外层护拱和溶洞内壁所限定的空腔内;砂质缓冲层,紧贴所述混凝土缓冲层,在预设的高度内填充所述混凝土缓冲层顶部和溶洞内壁所限定的空腔内;混凝土挡墙,从溶洞底部沿溶洞侧壁延伸至溶洞顶部的地表本申请提供一种施工效率高,施工过程风险低,能够合理处治隧道上部空腔溶洞并使结构安全稳定的防护结构,提高隧道工程施工质量,加快施工进度,保证施工期的安全和运营的稳定。
  • 隧道上部溶洞防护结构
  • [实用新型]一种能够与多种瓶盖配套的豆腐乳压片-CN202121583052.8有效
  • 李润和 - 安徽兴之润包装有限公司
  • 2021-07-10 - 2022-01-04 - B65D51/26
  • 本实用新型涉瓶盖、包装技术领域领域,具体涉及一种能够与多种瓶盖配套的豆腐乳压片,包括包括腐乳阻挡器、弹簧缓冲结构、伸缩结构、固定盘和连接盘,连接盘上表面粘接在瓶盖内顶面上,固定盘位于连接盘下方,固定盘固定安装在腐乳容器口内,且和连接盘转动连接,伸缩结构位于固定盘下方,且和固定盘滑动连接,弹簧缓冲结构固定安装在伸缩结构下方,腐乳阻挡器位于弹簧缓冲结构下方,该能够与多种瓶盖配套的豆腐乳压片,通过设计腐乳阻挡器,解决了腐乳运输过程晃动影响瓶中腐乳质量与保质的问题,通过设计伸缩结构和弹簧缓冲结构,解决了压片无配套的安装结构,且压片长短固定,不具备弹性,无法根据腐乳在瓶内的高度来调节的问题。
  • 一种能够多种瓶盖配套豆腐乳压片
  • [发明专利]一种广告排管理方法及系统-CN202111393281.8在审
  • 黄孟怀 - 卡莱特云科技股份有限公司
  • 2021-11-23 - 2022-02-22 - G06Q30/02
  • 本发明涉及广告排领域,尤其涉及一种广告排管理方法及系统,方法包括:接收申请排用户的排申请请求;判断排申请请求是否满足预设的排申请条件;若排申请请求满足预设的排申请条件,为排申请请求生成唯一的排编号,将排申请请求的排编号以及排申请请求的待排时间段作为一条排信息存储至排表中,将排申请请求的排编号以及待排广告终端的终端ID作为一条排期终端对应信息存储至排期终端关系表中,系统包括接收模块、判断模块以及排模块,本发明提供的方法及系统,能够有效解决排冲突问题,提高广告排效率。
  • 一种广告管理方法系统
  • [发明专利]一种InAs/GaSb超晶格生长方法-CN202210049044.8有效
  • 胡雨农;周朋;邢伟荣;刘铭 - 中国电子科技集团公司第十一研究所
  • 2022-01-17 - 2023-03-03 - C30B25/14
  • 本发明公开了一种InAs/GaSb超晶格生长方法,包括:在Sb源提供的Sb束流保护下,基于GaSb衬底生长缓冲层;打开As源针阀至第一开度,将生长氛围从Sb束流保护转变为As束流保护,其中,所述第一开度大于所需的目标开度,所述目标开度对应于所需的As束流,以及在第一开度的As束流保护氛围下浸润预设时长后,降低As针阀开度至所述目标开度;执行第一周的InAs/GaSb超晶格生长;在所述第一周结束前,将As源针阀开启至所述目标开度,以在As束流保护保护下,执行第二周的InAs/GaSb超晶格生长。
  • 一种inasgasb晶格生长方法

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