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[实用新型]一种锂电池绝缘膜叠片装置-CN201822236951.5有效
发明人：刘好川;陈阳 -专利权人：深圳市微秒控制技术有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01M10/0583 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种锂电池绝缘膜叠片装置，包括：放料机构，用于启动或者停止输出绝缘膜；张力控制机构，用于驱使绝缘膜保持预设张力；平移机构用于带动绝缘膜在叠片平台上往复平移，以令绝缘膜叠放于叠片平台上；下压机构用于压紧或者远离叠放后的绝缘膜；缓存机构，设于张力控制机构与平移机构之间，缓存机构用于：当下压机构压紧叠放后的绝缘膜时向放料机构收取绝缘膜，并且缓存机构收取的绝缘膜距离与叠放后的一层绝缘膜距离相同；当下压机构远离叠放后的绝缘膜并且平移机构开始平移时，缓存机构将其收取的绝缘膜向平移机构输出。本实用新型可降低绝缘膜张力的控制难度、提高绝缘膜张力控制效果、提高生产效率和以及提高生产品质。
绝缘膜叠放缓存机构平移机构张力控制机构本实用新型放料机构叠片压紧层绝缘膜叠片装置生产品质生产效率往复平移下压机构张力控制平移输出锂电池预设

[实用新型]一种膜连接结构及使用该膜连接结构的拼合绝缘膜-CN202120482648.2有效
发明人：黄育祥 -专利权人：苏州东达电子材料有限公司
申请日： 2021-03-07 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： F16B13/10 文献下载
摘要：本实用新型属于绝缘膜领域，尤其为一种膜连接结构及使用该膜连接结构的拼合绝缘膜，该膜连接结构包括绝缘膜卡合座，所述绝缘膜卡合座上开设有绝缘膜卡槽，所述绝缘膜卡槽内安装有用于卡合绝缘膜膜体的绝缘膜卡合条，所述绝缘膜卡合条的内部设有卡合条撑架，所述卡合条撑架的内侧螺接安装有用于将所述卡合条撑架撑起的撑架螺栓；对绝缘膜卡合条形成支撑，令绝缘膜卡合条能够紧贴在绝缘膜卡槽的内壁上，从而对安装在绝缘膜卡槽内的绝缘膜膜体进行固定，以达到较好的固定效果
一种连接结构使用拼合绝缘

[发明专利]圆柱电池-CN202211097635.9在审
发明人：齐彬伟;孙倩倩;张璐璐 -专利权人：中创新航科技股份有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01M50/107 文献下载
摘要：本发明涉及电池技术领域，提出了一种圆柱电池，包括：电池壳体；电芯，电芯设置于电池壳体内，电芯包括电芯主体和极耳部，极耳部由电芯主体的至少一侧延伸而出；第一绝缘膜，第一绝缘膜设置于电芯主体的外表面并与电芯连接；第二绝缘膜，第二绝缘膜设置于电芯主体的外表面，第二绝缘膜覆盖且连接第一绝缘膜，且第二绝缘膜的一端不低于电芯主体设置有极耳部的端面，第二绝缘膜的另一端与第一绝缘膜相重叠，以使得第二绝缘膜的部分与第一绝缘膜相重叠，第二绝缘膜压紧第一绝缘膜，提高第一绝缘膜对电芯主体的绝缘性能，对电芯主体的约束能力提升，避免第一绝缘膜松开导致绝缘失效且内部无预紧力影响电池整体能量密度，以此改善电池的使用性能。
圆柱电池

[实用新型]圆柱电池-CN202222390152.X有效
发明人：齐彬伟;孙倩倩;张璐璐 -专利权人：中创新航科技股份有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01M50/107 文献下载
摘要：本实用新型涉及电池技术领域，提出了一种圆柱电池，包括：电池壳体；电芯，电芯设置于电池壳体内，电芯包括电芯主体和极耳部，极耳部由电芯主体的至少一侧延伸而出；第一绝缘膜，第一绝缘膜设置于电芯主体的外表面并与电芯连接；第二绝缘膜，第二绝缘膜设置于电芯主体的外表面，第二绝缘膜覆盖且连接第一绝缘膜，且第二绝缘膜的一端不低于电芯主体设置有极耳部的端面，第二绝缘膜的另一端与第一绝缘膜相重叠，以使得第二绝缘膜的部分与第一绝缘膜相重叠，第二绝缘膜压紧第一绝缘膜，提高第一绝缘膜对电芯主体的绝缘性能，对电芯主体的约束能力提升，避免第一绝缘膜松开导致绝缘失效且内部无预紧力影响电池整体能量密度，以此改善电池的使用性能。
圆柱电池

[发明专利]半导体器件、制造半导体器件的方法以及电子装置-CN201210219006.9有效
发明人：冈治成治 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：绝缘层形成在栅电极上和位于其周围的半导体衬底上。绝缘层具有第一绝缘膜和低透氧绝缘膜。第一绝缘膜例如为NSG膜并且低透氧绝缘膜例如为SiN膜。此外，第二绝缘膜形成在低透氧绝缘膜上。第二绝缘膜例如为BPSG膜。在形成绝缘膜之后通过利用氧化气氛的处理来提高垂直MOS晶体管的耐TDDB性。此外，由于绝缘层具有低透氧绝缘膜，因此，能够抑制垂直MOS晶体管的阈值电压的波动。
半导体器件制造方法以及电子装置

[实用新型]电池-CN202221652365.9有效
发明人：许久凌;张勇杰;张璐璐 -专利权人：中创新航科技股份有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01M50/593 文献下载
摘要：电池包括：电池壳体；电芯，电芯设置在电池壳体内，电芯包括电芯主体和极耳部，极耳部由电芯主体的侧面延伸而出；第一绝缘膜，第一绝缘膜覆盖电芯主体的至少部分；第二绝缘膜，第二绝缘膜独立于第一绝缘膜设置，第二绝缘膜覆盖于第一绝缘膜的上表面，且覆盖极耳部的至少部分设置，第一绝缘膜位于电芯主体和第二绝缘膜之间，从而可以使得第一绝缘膜和第二绝缘膜实现对电芯和电池壳体的绝缘。
电池

[发明专利]液晶显示装置的制造方法和液晶显示装置的制造装置-CN201610319185.1在审
发明人：仙波昌平;里吉务 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：该液晶显示装置(10)具有：覆盖薄膜晶体管(15)的漏极电极(19)的有机绝缘膜(22)；在该有机绝缘膜(22)上形成的公共电极(23)；以覆盖该公共电极(23)的方式在有机绝缘膜(22)上形成的无机绝缘膜(24)；和在该无机绝缘膜(24)上形成的像素电极(25)，在液晶显示装置中，使用相同的掩模膜(28)对无机绝缘膜(24)和有机绝缘膜(22)进行蚀刻，在同一对准下形成贯通无机绝缘膜(24)的无机绝缘膜贯通孔(29)和贯通有机绝缘膜(22)的有机绝缘膜贯通孔(30)，无机绝缘膜贯通孔(29)和有机绝缘膜贯通孔(30)构成接触孔(31)。
液晶显示装置制造方法装置

[实用新型]一种对接稳定的FFC传输线-CN201921086110.9有效
发明人：糜振根 -专利权人：嘉兴市航旗电器有限公司
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01B7/17 文献下载
摘要：本实用新型涉及信号传输线的技术领域，它涉及一种对接稳定的FFC传输线，包括由复数根导线平行并排设置构成的导电层、置于导电层上下两侧的绝缘膜，所述导电层两端头分别延伸出绝缘膜的端部且裸露于绝缘膜外，导电层裸露于绝缘膜外的两端分别为未部和对接部，绝缘膜包括上绝缘膜层及下绝缘膜层，绝缘膜和导电层末部同端的部分上剥离下绝缘膜层构成导电层可见，该部分的上绝缘膜层贴设有补强板，绝缘膜和对接部同端的部分同时剥离上绝缘膜层和下绝缘膜层构成导电层镂空，对接部的端头上贴有保护膜
一种对接稳定 ffc 传输线

[实用新型]贴膜料带-CN201620331764.3有效
发明人：王艺;沈兵 -专利权人：艾柯豪博（苏州）电子有限公司
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： B32B3/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种贴膜料带，包括料带(1)，料带(1)上设置有多组贴膜单元，多组贴膜单元呈一排设置在料带上，每组贴膜单元的上表面通过贴膜机同时贴附有绝缘膜一(4)、绝缘膜二(5)，绝缘膜一(4)、绝缘膜二(5)设置在料带的相对两面，每组贴膜单元上设置有多个定位基准孔(2)和两条贴膜记号线(3)，绝缘膜一的底边缘与左右走向的贴膜记号线对齐，绝缘膜二(5)的右边缘与上下走向的贴膜记号线(3)对齐，绝缘膜一(4)、绝缘膜二(5)以及料带(1)通过冲压成型。本实用新型在原材料料带上直接冲孔及贴绝缘膜一和绝缘膜二，这样绝缘膜一和绝缘膜二就都是在同一个平面上，膜与屏蔽罩贴合更牢固，提高了生产效率。
贴膜料带

[发明专利]固态图像传感器和成像系统-CN201110079810.7有效
发明人：泽山忠志 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2011-03-31 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了固态图像传感器和成像系统，包括光电转换元件的固态图像传感器包括：第一绝缘膜，第一绝缘膜布置在半导体基板上并且具有布置在相应元件上的开口；绝缘体部分，所述绝缘体部分具有高于第一绝缘膜的折射率的折射率并且布置在相应开口内；第二绝缘膜，第二绝缘膜布置在所述绝缘体部分的上表面和第一绝缘膜的上表面上；和第三绝缘膜，第三绝缘膜具有低于第二绝缘膜的折射率的折射率，并且被与第二绝缘膜的上表面接触地布置，其中令λ是入射光的波长，n是第二绝缘膜的折射率，并且t是第二绝缘膜在第一绝缘膜的上表面上的区域的至少一部分中的厚度，满足关系t＜λ/n。
固态图像传感器成像系统

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN03148279.1有效
发明人：南幅学;福岛大;竖山佳邦;矢野博之 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-07-01 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括半导体基板、层间绝缘膜以及在层间绝缘膜中形成的埋入布线，其中，层间绝缘膜包括在基板上形成的并且相对介电常数小于2.5的第一绝缘膜，以及为覆盖第一绝缘膜而形成的并且相对介电常数大于第一绝缘膜的相对介电常数的第二绝缘膜第二绝缘膜的底部在数个点埋入在第一绝缘膜中。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]包括阻挡金属和涂布膜的半导体器件及其制造方法-CN200810109142.6无效
发明人：寺本知惠理 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2008-05-23 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：提供在衬底上的互连层；提供在衬底上且提供在互连层上以覆盖该互连层的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜包括氧化硅膜；提供在第一绝缘膜上的第二绝缘膜，所述第二绝缘膜包括氧氮化硅膜或氮化硅膜；和提供在第二绝缘膜上的绝缘的涂布膜
包括阻挡金属涂布膜半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN01125722.9无效
发明人：松永範昭 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2001-08-23 - 公布日： 2003-01-01 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：抑制水分浸入芯片的半导体器件,具备第1绝缘膜;在上述第1绝缘膜内形成的第1布线;在上述第1布线和上述第1绝缘膜上形成的层间绝缘膜;在上述层间绝缘膜内形成并介以第1连接部与上述第1布线导通的第2布线;在上述第2布线和上述层间绝缘膜上形成的钝化膜。上述第1绝缘膜、钝化膜的至少一方是以SION为主的膜、或以SIN为主的膜、或者这些膜的叠层膜,上述层间绝缘膜为低介电常数膜。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN02127669.2有效
发明人：菊地修一;木绵正明 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2002-08-07 - 公布日： 2003-03-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：特征在于在具有在半导体衬底上由用选择氧化法形成的第1栅绝缘膜和用热氧化法形成的第2栅绝缘膜组成的栅绝缘膜，形成跨过该第1栅绝缘膜和第2栅绝缘膜那样的栅电极形成的半导体器件中，上述第2栅绝缘膜，用膜厚度厚的栅绝缘膜10A，和膜厚度薄的栅绝缘膜12构成。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置-CN201580033176.X有效
发明人：冈崎健一;肥塚纯一;神长正美;井口贵弘 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2015-06-09 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的一个方式是一种包括氧化物半导体膜的半导体装置，包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上方的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上方的第二绝缘膜；第二绝缘膜上方的第三绝缘膜，其中，第二绝缘膜包含氧与硅，第三绝缘膜包含氮与硅，并且，在第二绝缘膜与第三绝缘膜的界面附近包含铟。
半导体装置以及包括显示装置