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[发明专利]一种气敏材料及其制备方法和应用-CN202110956193.8有效
发明人：杨黎;朱烨;郭胜惠;高冀芸;侯明 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种气敏材料及其制备方法和应用，属于气敏材料技术领域。本发明通过将Sn的金属盐与表面活性剂于去离子水中混合均匀，之后加入配位剂，并加入氢氧化钠调节溶液pH值为13，进行水热反应后将反应产物干燥得到花状结构SnO；再将所述花状结构SnO进行热处理得到气敏材料本发明所述气敏材料以比表面积较大的三维花状SnO2作为一级结构，存在于一级结构表面的二级结构Sn颗粒通过原位自生成得到，在进一步增大比表面积，使得本发明制得的Sn/SnO2多级结构气敏材料具有较好的气敏特性的同时，与一级结构SnO2形成一个整体，极大的提高了气敏材料的稳定性。
一种材料及其制备方法应用

[发明专利]一种用于室温下检测ppb级甲醛的紫磷烯/石墨烯气敏传感器及其制备方法和应用-CN202211714502.1在审
发明人：叶晓慧;陈萌瑧;齐明;强豪;郑希;杨智元;魏苗苗 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种在室温下检测ppb级甲醛的紫磷烯/石墨烯气敏传感器及其制备方法和应用。通过化学气相转移法(CVT)制备紫磷块状样品，然后激光剥离法将紫磷块状样品加工成紫磷烯。通过化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯。采用真空抽滤法将紫磷烯和石墨烯制备成紫磷烯/石墨烯复合材料。在紫磷烯/石墨烯复合材料上涂上导电银胶并接银线，制备成用于室温下检测ppb级甲醛的紫磷烯/石墨烯气敏传感器。采用含量为37％的甲醛溶液配制成不同ppb级的甲醛蒸汽。并组装了气敏测试平台，检测紫磷基气敏传感器对甲醛具有很大的吸附性。
一种用于室温检测 ppb 甲醛紫磷烯石墨烯气敏传感器及其制备方法应用

[实用新型]微型旁热式气敏元件-CN88216621.2无效
发明人：韩文述 -专利权人：抚顺市氧气厂
申请日： 1988-07-07 - 公布日： 1989-09-20 - 主分类号： H01L49/00 文献下载
摘要：本实用新型是涉及一种微型旁热式气敏元件。该元件由气敏件和管座连接而成，其气敏件由加热极、绝缘层、气敏层以及工作电极构成。采用本实用新型的气敏元件体积小、响应速度快，应用范围广，可取代大型气敏元件，并且生产成本低，成品率高达95％。本气敏元件用于分析仪器上做定量分析元件，可检测到ppb级的杂质浓度，是开发气敏色谱，开发低浓度检测、检漏、报警、监控以及开发用电脑来识别各种气味的关键性元件。
微型旁热式气敏元件

[发明专利]纳米级气敏传感器的形成方法-CN201711127757.7有效
发明人：杨勇;梁艳;俞挺;徐铿;崔澳;许科宏;卢勇治;杨用龙;袁彩雷 -专利权人：江西师范大学
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种纳米级气敏传感器的形成方法，包括：对第三气敏层进行回刻蚀，使得第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层环绕电隔离层；形成覆盖第一介质层、第二气敏层和第三气敏层的第三介质层；在第三介质层上形成掩膜，刻蚀第三介质层和第一介质层直至暴露出衬底；侧向刻蚀去除位于第一气敏层下方的第一介质层，使得第一气敏层悬空；形成开口；在开口内填充第四介质层；侧向回刻蚀第三介质层和第一介质层，露出第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层；形成环包第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层的第一导电层。
纳米级气敏传感器形成方法

[发明专利]一种基于钙钛矿结构ZnSnO3-CN201910712687.4有效
发明人：沈岩柏;殷尧禹;赵思凯;周鹏飞;李昂;高淑玲;魏德洲;张云海;魏可峰 -专利权人：东北大学
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于钙钛矿结构ZnSnO3纳米球的异丙醇气敏元件及其制备方法，属于半导体金属氧化物气敏元件技术领域。所述气敏元件主要由电极元件和均匀涂覆在电极元件上的ZnSnO3纳米球组成，所述ZnSnO3纳米球直径为500±50nm，所述ZnSnO3纳米球为钙钛矿结构，所述气敏元件的异丙醇浓度检测范围为500ppb～500ppm。基于钙钛矿结构ZnSnO3纳米球的ppb级异丙醇气敏元件具有ppb级检测、响应恢复迅速、可逆性好、高选择性，在200℃工作温度条件下时获得对异丙醇气体的最大灵敏度，是具有良好发展前景的异丙醇气敏元件。
一种基于钙钛矿结构 znsno base sub

[发明专利]铜掺杂多孔硅基氧化钨室温气敏元件的制备方法-CN201310314006.1无效
发明人：胡明;李明达;曾鹏;闫文君;马双云 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： G01N27/416 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜掺杂多孔硅基氧化钨室温气敏元件的制备方法，是在多孔硅基氧化钨气敏材料中掺杂铜得到纳米复合气敏材料，采用直流反应磁控溅射法制备的铜薄膜厚度为4～16nm。本发明提供了一种可在室温工作，且对超低浓度（ppb级）的氮氧化物气体具有高选择性、高灵敏度探测的气敏元件；该气敏元件体积小，低成本，使用方便，制备方法简单，容易操作，易于实现工艺生产。
掺杂多孔氧化钨室温元件制备方法

[发明专利]气敏材料及制备方法、气体传感器的制作方法-CN201911350736.0在审
发明人：王国栋;孙旭辉;吴庆乐;张书敏;练丹丹 -专利权人：苏州慧闻纳米科技有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种气敏材料及其制备方法、气体传感器的制作方法，涉及气体传感器技术领域。所述气敏材料为一种或多种金属氧化物掺杂的SnO2/ZnO材料，所述金属氧化物占所述气敏材料的质量百分比为1‑4％。本发明提供的用于检测硫化氢气体的气敏材料对硫化氢气体的检测限可以达到ppb级。
材料制备方法气体传感器制作方法

[发明专利]用于检测氨气的气敏材料的制备方法及气体传感器-CN201911261883.0在审
发明人：徐红艳;孙旭辉;吴庆乐;杨宵 -专利权人：苏州慧闻纳米科技有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于检测氨气的气敏材料的制备方法及气体传感器，制备方法包括以下步骤：称取羧基化碳纳米管，并加入溶剂，以形成第一混合液；向第一混合液中加入分散剂，并进行超声分散处理，以形成第二混合液；对第二混合液进行离心沉降，离心沉降处理后的上层液体为气敏材料；其中，分散剂包括曲拉通和十二烷基硫酸钠，分散剂占羧基化碳纳米管的质量百分比为2％‑55％，气敏材料在室温下可检测到ppb级的氨气气体。本发明的制备方法，通过添加曲拉通和十二烷基硫酸钠作为分散剂，既能解决气敏材料的分散性问题，同时又不影响气敏材料的本身的测试性能，通过该制备方法制备的气敏材料可以在室温下检测到ppb级的氨气气体。
用于检测氨气材料制备方法气体传感器

[发明专利]气体传感器及其气敏膜的制造方法-CN202011392870.X在审
发明人：陈学志;郭鹏飞;陆原;李立伟 -专利权人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开一种气体传感器及其气敏膜的制造方法，所述气体传感器包括：基底；以及设置于所述基底上的多个感测单元，每个感测单元包括：微加热器；设置于所述微加热器表面的活化区；以及形成于所述活化区的气敏膜，所述气敏膜包括多个柱状结构本发明采用反应溅射生成气敏膜，所制得的气敏膜厚度均匀，厚度可控，具有较大的表面积，且可实现整片晶圆级的沉积模式，适合大规模量产。
气体传感器及其气敏膜制造方法

[发明专利]一种硅基MEMS气体传感器芯片的制备方法及应用-CN202111240173.7在审
发明人：段国韬;张征;张彦林;吕国梁 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基MEMS气体传感器芯片的制备方法及应用，包括：S1、在硅晶圆基片上表面沉积绝缘材料，得到悬臂支撑层；S2、在悬臂支撑层表面晶圆级沉积金属形成加热电极；S3、在加热电极表面晶圆级沉积绝缘层；S4、在绝缘层表面晶圆级制备腐蚀窗口和测试电极；S5、在测试电极表面晶圆级沉积粘结层；S6、在粘结层表面整体制备气敏薄膜；S7、在腐蚀窗口处通入腐蚀液，对气敏薄膜所在区域下方的硅晶圆基片进行湿法腐蚀后，得到气体传感器晶圆；S8、对气体传感器晶圆进行划片处理，得到硅基MEMS气体传感器芯片；其中，粘结层与气敏薄膜的材料相同。本发明所得的气体传感器芯片兼具高稳定和高灵敏等优良气敏性能，实现了硅基气体敏感薄膜的兼容制造。
一种 mems 气体传感器芯片制备方法应用

[发明专利]室温检测低浓度甲醛的气敏材料及其制备方法、甲醛气体传感器-CN201710439837.X有效
发明人：孙旭辉;徐红艳;张平平 -专利权人：苏州慧闻纳米科技有限公司
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种室温检测低浓度甲醛的气敏材料及其制备方法、甲醛气体传感器，属于气敏传感器技术领域。该气敏材料为：贵金属纳米颗粒和功能化石墨烯二元复合材料，其中，所述贵金属纳米颗粒和功能化石墨烯的质量比为1:0.1‑30；其中，所述气敏材料能够在室温下检测到浓度为ppb级的甲醛气体。因此，与传统的甲醛气敏材料相比，本发明的气敏材料和包含该气敏材料的甲醛气体传感器，其不需要高温工作环境，极大降低了功耗以及成本，节省了资源，使甲醛气体传感器应用领域更加广泛。
气敏材料甲醛气体传感器贵金属纳米颗粒功能化石墨烯二元复合材料高温工作环境传感器基片低浓度甲醛气敏传感器甲醛气体室温检测产业化传统的甲醛气质量比功耗制备检测

[发明专利]一种基于微滴预混和转印的气敏膜的并行合成装置及合成方法-CN201610899309.8有效
发明人：张顺平;雷涛;张春雷 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： B41J3/407 文献下载
摘要：本发明属于气敏膜合成技术领域，更具体地，涉及一种基于微滴预混和转印的气敏膜的并行合成装置及合成方法，该气敏膜并行合成装置包括限位载物台、控制模块、三维滑台、微滴预混模块和微滴转印模块，微滴预混模块采用阵列蠕动泵和阵列微滴针头相结合来实现气敏原材料预混，微滴转印模块采用气密自动微量进样器、图像定位摄像头和预制定位膜的基片共同协调实现转印过程中的定量微滴和气敏膜的精准定位定形。本发明还公开了气敏膜的制备方法。本发明能够实现不同材料不同组份气敏材料的定量均匀混合，精准快速地制备多种气敏膜，同时能够避免打印过程中的堵塞问题，且适用于尺寸不大于1μm的纳米气敏原材料悬浊液的nL级定量微滴预混转印。
一种基于微滴预混和气敏膜并行合成装置方法

[发明专利]压力富集式低量气体挥发物电子鼻探测系统-CN201410406146.6在审
发明人：周志艳;徐赛;陆华忠;兰玉彬;罗锡文;陈盛德;闫梦露 -专利权人：华南农业大学
申请日： 2014-08-18 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本发明涉及压力富集式低量气体挥发物电子鼻探测系统，包括气敏传感器单元、气流控制机构及控制单元，所述气流控制机构设有用于富集被测气体挥发物的气室，所述气敏传感器单元设置在所述气室内；所述控制单元分别与气敏传感器单元、气流控制机构连接，气室内的气压受控于控制单元。本发明将气室内的被测气体控制在2个标准大气压以上，提高了待检测的互益素等气体挥发性物质与气敏传感器反应部件的接触反应浓度，降低了电子鼻系统对气敏传感器灵敏度的要求，增加了气敏传感器的可选择性，降低了成本，解决了传统电子鼻系统因互益素等气体挥发性物质浓度低需要采用ppb级气敏传感器从而造价昂贵的技术问题。
压力富集式低量气体挥发物电子探测系统

[发明专利]集成温湿度传感器的硅基气体敏感芯片及其制作方法-CN201610551147.9有效
发明人：王成杨;金建东;李玉玲;丁文波;齐虹;田雷;王明伟;夏露;郑丽;王亚彬 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十九研究所
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：集成温湿度传感器的硅基气体敏感芯片及其制作方法，涉及环境监测技术，目的是为了解决现有硅基芯片没有集成气敏单元的问题。本发明将多个气敏单元、温敏单元和湿敏单元均集成在一个N型单晶硅片上，相邻两个单元之间均设置有横截面为矩形的第二级隔热通孔，每个气敏单元中，每相邻两根电极引线之间均设置有横截面为梯形的第一级隔热通孔，所述矩形和梯形的四个角均采用圆弧过渡上述芯片能够同时对环境的温湿度指标进行监测，并能够监测多种气体，二级隔热能够满足不同单元的不同工作温度要求。
集成温湿度传感器气体敏感芯片及其制作方法

[实用新型]集成温湿度传感器的硅基气体敏感芯片-CN201620737570.3有效
发明人：王成杨;金建东;李玉玲;丁文波;齐虹;田雷;王明伟;夏露;郑丽;王亚彬 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十九研究所
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：集成温湿度传感器的硅基气体敏感芯片，涉及环境监测技术，目的是为了解决现有硅基芯片没有集成气敏单元的问题。本实用新型将多个气敏单元、温敏单元和湿敏单元均集成在一个N型单晶硅片上，相邻两个单元之间均设置有横截面为矩形的第二级隔热通孔，每个气敏单元中，每相邻两根电极引线之间均设置有横截面为梯形的第一级隔热通孔，上述芯片能够同时对环境的温湿度指标进行监测，并能够监测多种气体，二级隔热能够满足不同单元的不同工作温度要求。
集成温湿度传感器气体敏感芯片

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