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[发明专利]一种碳化硅扩散焊接方法及碳化硅换热器-CN202110273937.6有效
发明人：冯付韬;任来超;蒋健安;余秀英;石景祯;付敏翔;丁旭;杨代坤;杨超;蒋卫波 -专利权人：杭州沈氏节能科技股份有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： B23K20/14 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅材料连接技术领域，具体涉及一种碳化硅扩散焊接方法及碳化硅换热器。碳化硅扩散焊接方法，包括：对碳化硅零件进行清洁，并将至少两个碳化硅零件按照待成型产品的构造叠放，并置于扩散焊接炉内；对扩散焊接炉内抽真空至炉内气压不大于10－2Pa或向扩散焊接炉内充入保护气体至炉内气压为0.2Mpa～0.5Mpa；对扩散焊接炉内进行升温，至炉内温度为2000℃～2400℃，并对碳化硅零件施加20MPa～25Mpa的压强，并保持恒温恒压至少50min；对扩散焊接炉进行降温至不高于300℃后开炉，即可得到碳化硅扩散焊接产品。得到的碳化硅产品内部无过渡层，碳化硅零件之间能够完全焊接融合。避免了碳化硅之间的过渡层对碳化硅产品的性能的影响。
一种碳化硅扩散焊接方法换热器

[实用新型]碳化硅加热装置-CN201822210222.2有效
发明人：李运平;杜建周;黄燕梅;陈盛泉;杜培远 -专利权人：盐城宇欣陶瓷科技有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： F27B9/24 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种碳化硅加热装置，属于碳化硅生产设备领域；主要用于在碳化硅生产过程中对原料进行加热从而反应生成碳化硅。上述碳化硅加热装置包括机架、加热炉、传送组件和驱动组件，机架用于给其它组件提供支撑，加热炉用于加热碳化硅原料，传送组件用于将碳化硅原料传送至加热炉内，并将生成的碳化硅传送至加热炉外；驱动组件用于驱动传送组件运动
加热炉加热装置碳化硅传送组件碳化硅生产碳化硅原料驱动组件加热传送反应生成碳化硅本实用新型设备领域生产效率装料卸料驱动支撑

[发明专利]碳化硅外延晶片的制造方法、碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅外延晶片的制造装置-CN201710287689.4在审
发明人：大野彰仁;滨野健一;金泽孝 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：得到能够对晶体缺陷少的碳化硅外延晶片进行制造的碳化硅外延晶片的制造方法、碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅外延晶片的制造装置。使在生长炉(1)的内壁附着的碳化硅进行氮化、氧化或者氮氧化而得到稳定化。接下来，将衬底(2)搬入至生长炉(1)内。接下来，将工艺气体导入至生长炉(1)内，在衬底(2)之上使碳化硅外延层进行生长而制造碳化硅外延晶片。
碳化硅外延晶片制造方法半导体装置

[实用新型]一种用于碳化硅生产后的降温装置-CN201822193430.6有效
发明人：赵杰;徐涛 -专利权人：天津市耀宇科技有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： C01B32/97 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于碳化硅生产后的降温装置，包括碳化硅生产炉、支撑件、水冷系统和风冷系统，所述碳化硅生产炉的外侧固定安装有支撑件，所述支撑件的一侧固定安装有水冷系统，且支撑件的顶端固定安装有风冷系统本实用新型通过设置支撑件，能够承载水冷系统和风冷系统，从而使水冷系统和风冷系统便于移动，完成对碳化硅生产炉的降温处理，通过设置水冷系统，能够对碳化硅生产炉进行喷水处理，从而使碳化硅生产炉的温度下降，达到降温的目的，通过设置风冷系统，能够打开电机，使电机带动扇叶进行转动，从而对碳化硅生产炉进行吹风，使碳化硅生产炉表面的温度下降，从而达到降温的目的。
一种用于碳化硅生产降温装置

[发明专利]一种碳化硅复合材料及其制备方法和应用-CN202210209107.1在审
发明人：李冰 -专利权人：青岛九鼎铸冶材料有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅复合材料，通过改变碳化硅的成型方式和加工方法，加强碳化硅的强度，改善碳化硅的孔隙率，增加碳化硅的应用领域，打破碳化硅无法在冲天炉上应用的技术壁垒。本发明还提供了一种碳化硅复合材料在冲天炉熔炼中的应用，本发明提供的方法可以提高冲天炉废钢的利用率，降低冲天炉对生铁的依赖，从而大幅度降低冲天炉的熔炼成本。使用本发明提供的碳化硅复合材料在冲天炉应用中能够稳定的降低冲天炉的炉内炉温，提升冲天炉的工作效率和使用寿命，且通过本发明提供的碳化硅复合材料的使用能够稳定均匀的控制铁水流动中石墨形核的速度和大小，起到稳定铸铁基体组织的作用
一种碳化硅复合材料及其制备方法应用

[发明专利]电阻法碳化硅生长炉内部温场调节方法、系统及生长方法-CN202310890304.9有效
发明人：赵文超;陈建明;刘春艳;周元辉;杨洪雨;范子龙 -专利权人：苏州优晶光电科技有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅晶体生长的衍生技术领域，具体涉及电阻法碳化硅生长炉内部温场的实时调节方法、调节系统和生长方法。实时调节方法包括实时获取碳化硅生长炉中的碳化硅原料的泄漏量，根据所述碳化硅原料的泄漏量和第一预设关系，获取电阻法生长的碳化硅晶体块的厚度，所述碳化硅原料的泄漏量为所述生长炉内坩埚内部物料的重量减小量；根据所述碳化硅晶体块的厚度和第二预设关系，获取所述生长炉内坩埚上移后的高度，根据所述坩埚上移后的高度，使坩埚的位置上移。本发明的方法，能够实时有效控制碳化硅生长界面相对石墨发热体的位置，减少晶体缺陷的形成，提高晶体质量。
电阻碳化硅生长内部调节方法系统

[实用新型]碳化硅单晶生长设备-CN202223033516.5有效
发明人：许耿森;张洁 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于碳化硅单晶生长设备，其包括：坩埚组件，包括用于容纳碳化硅粉料和碳化硅籽晶并使碳化硅粉料在升华后凝结在碳化硅籽晶上的生长腔室；加热炉，用于容纳坩埚组件并对坩埚组件实施加热；多个测温单元，其沿着轴向间隔开地设在加热炉外且能伸入到加热炉内测量生长腔室内不同轴向位置的温度；控制系统，与加热炉和测温单元相连。该碳化硅单晶生长设备可以获取并展示生长腔室的轴向温度梯度变化，使得用户可以在控制系统中及时调整碳化硅单晶生长设备的运行参数，并准确控制生长腔室的温度场，提高碳化硅单晶生长质量和碳化硅锭的最终质量。
碳化硅生长设备

[发明专利]碳化硅外延晶片的制造方法及制造装置-CN201610638775.0有效
发明人：大野彰仁;酒井雅;三谷阳一郎;山本高裕;木村泰广;沟部卓真;富田信之 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：得到一种制造方法及制造装置，该制造方法及制造装置能够制造晶体缺陷少的碳化硅外延晶片，而不会损伤生长炉内的部件、晶片托架。将清除气体导入至生长炉(1)内而将附着于生长炉(1)的内壁面的树枝状碳化硅去除。在导入清除气体后，将碳化硅衬底(2)搬入至生长炉(1)内。将工艺气体导入至生长炉(1)内，在碳化硅衬底(2)之上使碳化硅外延层(9)生长而制造碳化硅外延晶片(10)。将具有大于或等于1.6E－4[J]的流体能量的清除气体导入至生长炉(1)内。
碳化硅外延晶片制造方法装置

[发明专利]一种高纯碳化硅原料的制备方法-CN201210202086.7有效
发明人：陈建军;王辉;孔海宽;忻隽;刘熙;肖兵;杨建华;施尔畏 -专利权人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2012-06-19 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：本发明提供一种高纯碳化硅原料的制备方法，所述方法包括如下步骤：提供高纯硅粉和高纯碳粉；所述高纯硅粉和高纯碳粉充分混合后放置于坩埚，于1400-2200℃的高温炉中形成一次碳化硅料，所述一次碳化硅料压碎后在氧化炉中经过600-1400℃的高温氧化，形成二次碳化硅料；所述二次碳化硅料在高真空炉中经过800-1600℃高温真空脱气，形成三次碳化硅料；所述三次碳化硅料经过湿法化学冶金处理，得到高纯碳化硅原料。
一种高纯碳化硅原料制备方法

[实用新型]一种新型燃气加热箱式渗碳炉后室-CN201220654505.6有效
发明人：朱斌;陈卫东;姜华 -专利权人：江苏金色工业炉制造有限公司
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： C23C8/20 文献下载
摘要：本实用新型公开一种新型燃气加热箱式渗碳炉后室，包括包括炉壳、炉衬和燃气加热管，所述炉壳的形状为长方体，所述炉衬设置在所述炉壳的内侧，所述炉衬包括炉底和炉顶，所述炉底上设置有导轨，还包括碳化硅导风板和搅拌风扇，所述碳化硅导风板设置在所述导轨的上方，所述碳化硅导风板的上方设置有所述搅拌风扇，所述燃气加热管设置在所述炉衬和所述碳化硅导风板之间。本实用新型的新型燃气加热箱式渗碳炉后室为方形结构，增加碳化硅导风板，即在U形燃气加热管与工件之间增加碳化硅导风板，使得加热罐先加热碳化硅导风板，然后碳化硅导风板在向工件均匀辐射热量，保证工件的受热均匀，
一种新型燃气加热箱式渗碳炉后室

[发明专利]一种碳化硅密闭炉尾气回收发电再利用的方法-CN201610789409.5有效
发明人：卓粤 -专利权人：卓粤
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： F27D17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅密闭炉尾气回收发电再利用的方法，该碳化硅密闭炉尾气回收发电再利用的方法具体步骤如下：S1碳化硅尾气降温收集、S2碳化硅尾气除尘、S3碳化硅尾气压力测试、S4碳化硅尾气调压、S5碳化硅尾气含量检测、S6碳化硅尾气储存、S7碳化硅尾气加压、S8尾气转换、S9尾气发电。本发明的加工过程区别于传统开放式碳化硅冶炼炉尾气直接放空的工艺，此工艺能使碳化硅尾气全部回收利用，且经过处理后，完能够做到全部回收再利用并满足电厂用气发电需求，可节约大量的标准煤，防止了对环境造成污染，
一种碳化硅密闭尾气回收发电再利用方法

[实用新型]一种高效的碳化硅冶炼出料设备-CN201921992130.2有效
发明人：黄应生 -专利权人：新疆鑫能天源碳化硅有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效的碳化硅冶炼出料设备，包括机体，所述机体的顶端固定连接有碳化硅冶炼炉，且碳化硅冶炼炉的底部延伸至机体的内部，所述碳化硅冶炼炉的底端固定连接有排料管，所述排料管的中间位置固定连接有漏料阀本实用新型中，碳化硅冶炼炉中的碳化硅成型后，启动漏料阀使碳化硅通过排料管落入机体内的筛料网架中，接着通过第一电机支架上的双向电机带动两侧的凸轮转动，进而通过凸轮带动连接杆在连接架上做运动，通过晃动使固定块上的弹性支撑板使得筛料网架随着连接杆做往复运动，从而将符合同一规格标准的碳化硅通过接料架落入运输带上，以便统一碳化硅的规格，提升碳化硅的产品质量。
一种高效碳化硅冶炼设备

[发明专利]一种增材制造碳化硅陶瓷炉排及其制备方法-CN201911073378.3在审
发明人：郭岱东;邬国平;谢方民;于明亮;杨连江;林超;方友祥;熊礼俊;徐斌;刘海军;蔡宁宁 -专利权人：宁波伏尔肯科技股份有限公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种增材制造碳化硅陶瓷炉排及其制备方法，该炉排以碳化硅陶瓷或碳化硅陶瓷复合材料为主要材质，具有优异的机械性能和高温力学性能。本发明还公开了这种碳化硅陶瓷炉排的制备方法，包括炉排设计绘制、原料制备、坯体制造、坯体预处理、炉排终烧等步骤。采用本发明所述方法制备的碳化硅陶瓷炉排，可以延长炉排的使用寿命、提高炉排焚烧炉的焚烧温度、提高综合经济效益好，有巨大的应用前景。
炉排碳化硅陶瓷制备坯体机械性能碳化硅陶瓷复合材料高温力学性能综合经济效益预处理炉排焚烧炉使用寿命原料制备制造焚烧绘制应用

[发明专利]一种碳化硅籽晶的粘接方法以及碳化硅单晶晶锭的制备方法-CN201811609801.2在审
发明人：张晓洪;宋东波;程海英;钮应喜;袁松;刘锦锦 -专利权人：芜湖启迪半导体有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅籽晶的粘接方法以及碳化硅单晶晶锭的制备方法。所述碳化硅籽晶的粘接方法为：将碳化硅粉末、碳粉、硅粉，并添加粘结剂混合均匀得到混合粉末，并将其覆于碳化硅晶片上，并在混合粉末上放置碳化硅籽晶，在高温1500℃至2000℃惰性气氛下，使得籽晶与碳化硅晶片粘结紧密，得到碳化硅粘接籽晶，且不引入任何杂质；利用该方法得到的碳化硅粘接籽晶在碳化硅晶体生长炉中，通过PVT法生长碳化硅单晶晶锭时，导热迅速、传热均匀，能够得到高质量的碳化硅单晶晶锭。该方法增加了原料投料空间和投料量，从而增大了单个晶锭的尺寸，增加了单个晶锭的晶片产出，减少了碳化硅晶体生长炉运行成本。
晶锭粘接碳化硅单晶碳化硅籽晶籽晶碳化硅晶片碳化硅晶体混合粉末生长炉碳化硅制备导热碳化硅粉末传热均匀原料投料运行成本投料量粘结剂硅粉晶片碳粉粘结生长引入

[发明专利]一种制备纳米晶碳化硅/非晶态碳化硅/石墨复合负极材料的方法-CN201010120764.6无效
发明人：张少波;张泽森;张洪涛 -专利权人：张少波;张泽森;张洪涛
申请日： 2010-03-05 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01M4/1393 文献下载
摘要：本发明提供一种制备锂离子电池纳米晶碳化硅/非晶态碳化硅/石墨复合负极材料的方法，它由纳米晶碳化硅、非晶态碳化硅和石墨组成,其中纳米晶碳化硅和非晶态碳化硅含量为50～100％，余量为石墨。一种纳米晶碳化硅/非晶态碳化硅/石墨复合负极材料的制备可以通过如下步骤实现：(一)配制混合溶胶；(二)搅拌；(三)凝胶化处理；(四)将得到的凝胶置于坩埚内，把盛有凝胶的坩埚放在气氛反应炉中，抽真空；(五)向气氛反应炉内通入氩气；(六)在惰性气氛中烧结；(七)冷却到室温，即得到纳米晶碳化硅/非晶态碳化硅/石墨的混合物。
一种制备纳米碳化硅晶态石墨复合负极材料方法

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