专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]有机电极活性物质的制造方法-CN201880067716.X在审
  • 科野裕克;搅上健二;青山洋平 - 株式会社艾迪科
  • 2018-10-30 - 2020-06-02 - H01M4/60
  • 本发明的课题是提供一种电极活性物质,即使在电极活性物质是电极活性物质、并且使用了铝箔作为集电体的电极的情况下,也能够获得容量大、循环性的下降较少的非水电解质二次电池。本发明涉及一种有机电极活性物质的制造方法,其具有下述工序:将有机化合进行加热处理而获得有机化合的工序、和将所述有机化合用碱性化合进行处理的工序。所述有机化合优选是改性聚丙烯腈,所述碱性化合优选是氨。可以将所述有机化合粉碎后,用所述碱性化合进行处理,也可以将所述有机化合在含有所述碱性化合的介质中进行粉碎。
  • 有机电极活性物质制造方法
  • [发明专利]一种化合太阳能薄膜的处理方法-CN202110383661.7有效
  • 梁广兴;郑壮豪;范平;陈跃星;李甫;陈烁 - 深圳大学
  • 2021-04-09 - 2022-08-09 - H01L31/18
  • 本发明公开了一种化合太阳能薄膜的处理方法,所述薄膜用于制作太阳电池,其中,所述处理方法包括步骤:提供化合太阳能薄膜;提供单质薄膜,所述单质薄膜中的元素与所述化合太阳能薄膜中的元素相同;将所述单质薄膜与所述化合太阳能薄膜叠加,得到叠加膜层;在真空或惰性气氛下对所述叠加膜层进行加热处理,使单质薄膜中的元素进入到所述化合太阳能薄膜中。本发明提供的化合太阳能薄膜的处理方法简单方便,成本低,易于控制薄膜成分和薄膜生长方式,更容易实现产业化推广。
  • 一种化合物太阳能薄膜处理方法
  • [发明专利]一种基于化合的浪涌保护阵列及制备方法-CN202110314789.8有效
  • 王玉婵;袁一鸣;张文霞;戚飞;张楠;袁素真 - 重庆邮电大学
  • 2021-03-24 - 2023-02-17 - H02H9/04
  • 本发明涉及一种基于化合的浪涌保护阵列及制备方法,属于半导体技术领域。该述浪涌保护阵列包括:PN二极管、下电极、下加热电极、化合层、上电极、衬底和绝热材料层;PN二极管呈栓状,等间距阵列式排布在硅衬底上;下电极位于PN二极管之上;下加热电极位于下电极之上;化合层位于下加热电极之上;上电极位于化合层之上;上电极呈条状等间距排布,且与化合层相互垂直。化合层上部与上电极构成电性连接;化合层下部通过下加热电极与下电极构成电性连接。本发明利用化合所特有的阈值导通特性实现过电压保护,是一种过压保护响应速度极快,抑制过压能力极强的浪涌保护阵列。
  • 一种基于化合物浪涌保护阵列制备方法
  • [发明专利]寡聚与锂电池-CN201910112325.1在审
  • 陈崇贤;王復民;范国泰 - 陈崇贤
  • 2019-02-13 - 2020-04-21 - C08G73/06
  • 本发明提供一种寡聚与锂电池。所述寡聚由含至少一个乙烯性不饱和基的化合与亲核性化合进行聚合反应而得。所述含至少一个乙烯性不饱和基的化合选自由马来酰亚胺化合、丙烯酸酯化合、甲基丙烯酸酯化合、丙烯酰胺化合、乙烯酰胺化合及其组合所构成的族群。所述亲核性化合选自由单马来酰亚胺、三聚氰酸、乙内酰脲、乙内酰脲衍生物、乙内酰脲、乙内酰脲衍生物及其组合所构成的族群。
  • 寡聚物锂电池
  • [发明专利]一种限制结构相变存储器及其制作方法-CN201210328341.2有效
  • 任堃;饶峰;宋志棠 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2012-09-06 - 2012-12-19 - H01L45/00
  • 本发明提供一种限制结构相变存储器及其制作方法,所述限制结构相变存储器包括相变存储阵列、具有阈值电压开关特性的化合开关层、以及分别连接于相变存储阵列及化合开关层的字线及位线。所述化合开关层在达到阈值电压之前处于高电阻状态,起到关电路的作用,当电压超过阈值电压之后,材料进入低电阻态,起到开启电路的作用。这种化合做成薄膜之后仍然具有阈值电压开关特性,并且这类薄膜的制备工艺与现有的CMOS工艺兼容。利用化合材料薄膜作为选通开关的相变存储器的制备具有步骤少,工艺简单的特点。同时,利用化合薄膜制备的选通开关所占体积小,有利于提高芯片的存储密度,提高信息容量和降低成本。
  • 一种限制结构相变存储器及其制作方法
  • [发明专利]低含硫铁矿石的制造方法-CN201480035854.1有效
  • 日下英史;饭岛胜之;藤浦贵保 - 株式会社神户制钢所
  • 2014-06-23 - 2017-05-31 - C22B1/00
  • 本发明涉及浮选含有高于0.08%并在2%以下的铁矿石,制造含量被减少至0.08%以下的铁矿石的低含硫铁矿石的制造方法。在本发明的制造方法中,浮选时,(1)使用黄原酸盐化合和胺化合的盐作为捕收剂,或(2)使用黄原酸盐化合作为捕收剂,使用在水中释放离子的物质作为活性剂,或者(3)使用黄原酸盐化合和胺化合的盐作为捕收剂,使用在水中释放离子的物质作为活性剂。
  • 硫铁矿制造方法

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