专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果3886166个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种胚芽米的生产工艺-CN201310243129.0有效
  • 周国新 - 广西力拓农业开发有限公司
  • 2013-06-19 - 2013-09-11 - A23L1/185
  • 本发明公开了一种胚芽米的生产工艺,包括将糙米置于含有机化合物的溶液中进行浸泡处理,浸泡处理后将糙米在磁场中诱导发芽处理,发芽处理结束后依次进行钝化处、深冷熟化处、干燥处理、杀菌处理和包装处理;深冷熟化处是指将钝化处后的胚芽米置于低温环境进行静置熟化通过将糙米置于含有机化合物的溶液中进行浸泡处理,使得制得的胚芽米富含有机,长期食用可有效预防心脑血管疾病。另外通过磁场诱导发芽处理,可提高成品胚芽米中r-氨基酪酸和阿魏酸等营养成分的含量。
  • 一种胚芽生产工艺
  • [发明专利]一种富酒及其酿造方法-CN202310951597.7在审
  • 单台阶 - 山东子康月王生物有限公司;单台阶
  • 2023-07-31 - 2023-09-12 - C12G3/021
  • 本申请涉及一种富酒及其酿造方法,涉及酿酒技术领域,所述酿造方法包括富谷物及曲料准备、下沙、糙沙、蒸馏取酒、储藏和勾兑;所述糙沙的步骤包括:下窖发酵前,加入陨石并进行磁化处;所述磁化处的工作参数包括:磁场强度为900~1000mT,温度为48~53℃,时间为40~60min;所述富谷物中含量>0.3mg/kg。本发明在酱香型白酒酿造工艺基础上,通过在糙沙的步骤中加入陨石并进行磁化处,有利于促进有机的形成,从而得到了一种总含量为75.6~97.2ug/mL、有机含量占所述总的重量百分比为92.1%~98.5%的富酒。
  • 一种富硒酒及其酿造方法
  • [发明专利]一种酸泥增值化处的方法-CN202210270244.6在审
  • 杨坤;张利波;杨大锦 - 昆明理工大学
  • 2022-03-18 - 2022-06-14 - C22B7/00
  • 本发明涉及有色固废增值化技术领域,尤其涉及一种酸泥增值化处的方法。本发明中酸泥在通入氧气的条件下经微波焙烧得到铅渣和汞蒸气,实现铅高值化;汞蒸气经水冷凝,液固分离,得到高汞渣和含液,实现汞高值化;含液经还原剂还原得到粗和还原尾液,实现高值化;还原尾液返回冷却汞蒸气,循环2‑6次后,采用碱性物质控制pH值并通入空气以沉淀汞,固液分离得到含汞渣和沉淀后液,含汞渣返回微波焙烧提取汞和,沉淀后液冷却汞蒸气。本发明含汞酸泥在实现安全化处置的基础上,将铅、、汞分离,高铅渣和粗都可计价并提高汞的计价系数,实现危废酸泥的增值化处
  • 一种增值处理方法
  • [发明专利]一种后化处制备FeSe超导薄膜的方法-CN201010588275.3有效
  • 柴青林;华志强;王磊;屈飞;李弢 - 北京有色金属研究总院
  • 2010-12-07 - 2012-07-04 - C23C14/00
  • 本发明涉及一种后化处法制备FeSe超导薄膜的方法,该方法采用反应溅射沉积FeS薄膜,包括基片的表面处理;采用反应溅射薄膜沉积技术在基片上溅射、沉积FeS薄膜;将FeS薄膜与无定形单质同置于石英管中,真空密封;密封后的石英管放于加热炉中升温使之发生化反应,得到FeSe薄膜。利用本发明可以显著减小化处后产生的应力,减少因过大的畸变能产生的杂相、气孔和裂纹,更体现薄膜优异的超导性能。并且这种反应溅射与改进的细化处相结合的制备方法与常用的脉冲激光沉积法相比,在成本控制上有着很大优势,并且不受尺寸限制。
  • 一种后硒化处理制备fese超导薄膜方法
  • [发明专利]Cu(In,Al)Se2薄膜的制备工艺-CN201110425469.6无效
  • 周丽梅;武素梅;薛钰芝 - 大连交通大学
  • 2011-12-16 - 2012-06-27 - C03C17/22
  • Se2薄膜的制备工艺,包括如下步骤:(1)靶材的准备;(2)室温Cu-In-Al交替溅射沉积,在此过程中,通过控制溅射气压、溅射距离、溅射功率、不同的溅射顺序控制CIA预制层中各元素的比例;(3)退火处理;(4)化处:对退火后的预制层进行化处,在Se气氛中化形成黄铜矿结构的Cu(In,Al)Se2多晶薄膜。本发明采用常温下溅射沉积得到CIA预制层;继而对其进行退火和化处,获得黄铜矿结构的Cu(In,Al)Se2多晶薄膜,而且其在靶材的制备及磁控溅射设备的成本方面节约了成本,从而使Cu(In,Al)Se2
  • cuinalsesub薄膜制备工艺

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top