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[发明专利]硅基复合负极材料的制备方法-CN202010604043.6有效
发明人：张健;赵前进;徐斌 -专利权人：瑞声科技（南京）有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基复合负极材料的制备方法，该方法包括：将硅基原材料处理，得到纳米硅基颗粒；将所述纳米硅基颗粒进行导电化处理，得到导电性纳米硅基颗粒；以所述导电性纳米硅基颗粒为内核，以高分子材料为外壳，搭建使得所述导电性纳米硅基颗粒可在所述外壳内进行体积变化的构壳结构，所述构壳结构即为所述硅基复合负极材料。本发明的硅基复合负极材料依次通过纳米化处理、导电化处理以及构壳结构搭建，可以实现导电性纳米硅基颗粒在外壳的内部空间中进行体积变化，从而改善其循环性能，使得该硅基复合材料具有良好的倍率性能和循环稳定性。
复合负极材料制备方法

[发明专利]一种氮掺杂改性硅/石墨/石墨烯复合材料的制备方法-CN202011049524.1有效
发明人：隋艳伟;冯泉涛;肖彬;孟冬梅 -专利权人：江苏福瑞士电池科技有限公司;中国矿业大学
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开一种氮掺杂改性硅/石墨/石墨烯复合材料的制备方法，先制备改性纳米硅粉，再由改性纳米硅粉制备改性纳米硅/石墨复合材料，同时制备氧化石墨烯粘稠溶液，最后制得氮掺杂改性硅/石墨/石墨烯复合材料。本发明采用阳离子型强电解质对纳米硅进行了表面改性，增大了纳米硅的静电斥力，改善分散性能，阻止了局部团聚，同时采用石墨和石墨烯作为纳米硅的基底，减缓了纳米硅负极在循环过程中的体积膨胀，采用尿素作为氮源对改性硅/石墨/石墨烯复合材料进行掺杂，有利于增加材料的导电性能，有利于获得电化学性能优良的氮掺杂改性硅/石墨/石墨烯复合材料。
一种掺杂改性石墨复合材料制备方法

[发明专利]一种纳米碳片‑硅纳米线复合结构场发射阴极的制备方法-CN201510152591.9有效
发明人：邓建华;程国安;汪凡洁 -专利权人：天津师范大学
申请日： 2015-04-02 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米碳片‑硅纳米线复合结构场发射阴极的制备方法，属于纳米材料的制备和应用领域。其主要包括以下制备工艺以用金属催化腐蚀法在洁净硅单晶片上制备的硅纳米线阵列为基底；在基底上利用微波等离子体增强化学气相沉积法生长纳米尺度的碳片；最后以所获得的纳米碳片‑硅纳米线复合结构为阴极组装场电子发射器本方法所制备的纳米碳片‑硅纳米线复合结构，碳片直径大多为60‑100纳米，边缘层数一般为2‑5层，在硅纳米线表面密集分布。纳米碳片‑硅纳米线复合结构作为场发射阴极材料时具有比单纯硅纳米线阵列更低的开启场和更大的场发射电流密度，有很高的应用价值。
一种纳米复合结构发射阴极制备方法

[发明专利]一种圆片级制备硅纳米线阵列场效应管的方法及其结构-CN201611152254.0在审
发明人：李铁;杨勋;王跃林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种圆片级制备硅纳米线阵列场效应管的方法，所述方法包括：提供(111)型SOI硅片，包括底层硅、氧化层及顶层硅；并在顶层硅表面形成氮化硅掩膜层，而后通过半导体工艺在(111)型SOI硅片上制备出硅纳米线阵列，再将硅纳米线阵列中每条硅纳米线表面的氮化硅掩膜层作为栅介质层，并在其上制作栅极，同时在硅纳米线阵列两端制作源、漏极，并通过隔离沟道将源、漏极进行物理隔离，最终形成硅纳米线阵列场效应管。通过本发明提供的圆片级制备硅纳米线阵列场效应管的方法及其结构，解决了现有技术中基于硅片制备硅纳米线阵列时无法实现高可控性及高一致性的问题。
一种圆片级制备纳米阵列场效应方法及其结构

[发明专利]一种连续制备高纯碳硅纳米材料的方法-CN202010074377.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：金雪莉
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料技术领域，涉及一种连续制备高纯碳硅纳米材料的方法，包括如下步骤：(1)将烃类气体和含硅类气体输入到发热体中，在发热体内对含烃类气体和含硅类气体进行热分解，生成碳、硅离子和氢离子，所述发热体采用等离子体弧产生热能；(2)将分解出的碳、硅离子于发热体内生成高纯度碳硅复合或/和混合体纳米材料；(3)将生成的高纯碳硅复合或/和混合体纳米材料极速进入第一冷却容器,得到稳定成形纳米尺寸的高纯碳硅材料。本发明提供的连续制备高纯碳硅纳米材料的方法，实现了碳硅纳米材料的工业化制备，大幅度提高了碳硅纳米材料的纯度。
一种连续制备高纯纳米材料方法

[发明专利]一种硅纳米生物传感器及制备方法和病毒检测方法-CN202011000188.1在审
发明人：郭雪峰;苏鼎凯;柯国骏 -专利权人：江苏元上分子工程研究中心有限公司;北京大学;北京未名元上分子技术有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种硅纳米生物传感器及制备方法和病毒检测方法，该硅纳米生物传感器由用于制备芯片的绝缘硅片制备，包括：硅纳米柱层；硅纳米柱层包含：由多个横向放置的硅纳米柱构成的硅纳米柱阵列；且每个硅纳米柱的两端分别镀有金属电极；所述硅纳米柱上修饰有用于连接生物大分子的桥连分子；所述桥连分子为活泼脂或Ni2+探针或马来酰亚胺；所述桥连分子上连接的生物大分子为：病毒抗原或病毒抗体或核酸探针由于本发明实施例提供的硅纳米生物传感器是由用于制备芯片的绝缘硅片制备的，使得检测性能更加稳定，更易推广使用。而且，该硅纳米生物传感器的桥连分子能够连接多种生物大分子，因此能够实现对不同病毒的检测。
一种纳米生物传感器制备方法病毒检测

[发明专利]一种导电有机物/硅纳米线太阳能电池的制备方法及其产品-CN201510010189.7有效
发明人：余学功;沈鑫磊;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种导电有机物/硅纳米线太阳能电池的制备方法，以氧化铝为模板，结合金属辅助化学蚀刻法制备硅纳米线，800～1000℃下，经热氧化处理60～800min，在硅纳米线表面生成氧化硅，再浸泡氢氟酸溶液至氧化硅去除完全；将处理后的硅纳米线浸泡在四甲基氢氧化铵水溶液中，取出后，在表面旋涂导电有机物，再经热处理得到成结硅纳米线；再分别在成结硅纳米线正面和背面沉积银、铝作为电极，得到所述的导电有机物/硅纳米线太阳能电池。本发明提供了一种导电有机物/硅纳米线太阳能电池的制备方法，制备得到排列有序且直径可控的硅纳米线，进而制备电池效率显著提高的导电有机物/硅纳米线太阳能电池。
一种导电有机物纳米太阳能电池制备方法及其产品

[发明专利]基于硅纳米砖阵列的圆偏振涡旋光起偏器及制备方法-CN201810937133.X有效
发明人：陶金;武霖;郑国兴;刘子晨;尤全;邱英 -专利权人：武汉邮电科学研究院有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明公开了基于硅纳米砖阵列的圆偏振涡旋光起偏器及制备方法，起偏器包括透明的衬底和硅纳米砖阵列，硅纳米砖阵列包括分布在衬底上的多个朝向相同的硅纳米砖，硅纳米砖阵列由N个阵列单元组成，N≥3；同一阵列单元内的硅纳米砖几何参数相同，不同的阵列单元内的硅纳米砖几何参数不同；以硅纳米砖的长、宽和高分别为X、Y和Z轴建立坐标系，线偏振光通过硅纳米砖后在X、Y轴方向上的相位分别为phix和phiy，硅纳米砖的几何参数使得│phix‑phiy
基于纳米阵列偏振涡旋光起偏器制备方法

[发明专利]一种锂离子电池用硅碳复合负极材料及其制备方法-CN201310359739.7有效
发明人：岳敏;郑德立;李胜;何鹏;任建国;黄友元 -专利权人：深圳市贝特瑞新能源材料股份有限公司
申请日： 2013-08-16 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅碳复合负极材料及其制备方法。所述硅碳复合负极材料由内至外依次包括纳米硅/石墨颗粒、第一碳包覆层和有机裂解碳层；其中，所述纳米硅/石墨颗粒是以石墨为体积膨胀缓冲基底的内核，包覆纳米硅颗粒层，形成球状或类球状的复合颗粒；所述第一碳包覆层为碳纳米管和/或无定形碳，所述碳纳米管和/或无定形碳穿插于纳米硅颗粒间隙形成的空隙网络中和/或包覆在纳米硅颗粒层外，使纳米硅被紧密地包裹于碳纳米管之间和/或碳纳米管与石墨基底之间，同时有效提升材料离子传导率；所述有机裂解碳层为所述硅碳复合负极材料的最外包覆层该硅碳复合负极材料具有优异的循环性能、倍率充放电性能以及较低的体积膨胀效应。
一种锂离子电池用硅碳复合负极材料及其制备方法

[发明专利]一种纳米硅/石墨烯锂离子电池负极材料及其制备方法-CN201310307450.0有效
发明人：张麟德;张明东 -专利权人：深圳粤网节能技术服务有限公司
申请日： 2013-07-20 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米硅/石墨烯锂离子电池负极材料及其制备方法，所述负极材料包括纳米硅和石墨烯，其中，纳米硅粒子粒度为10～100nm，纳米硅与石墨烯的质量比1：5～10，其制备方法包括下列步骤：电子溶液的制备，四氯化硅液相还原成纳米硅，氧化石墨烯胶样溶液的制备，氧化石墨烯胶样溶液负载于纳米硅，以及复合电极材料半成品的干燥及烧结。本发明通过液相还原的方式获得粒度更可控的纳米硅粒子后，再通过更换溶剂析出胶体的方式使石墨烯被还原的同时形成胶层，吸附在已有的纳米硅胶核上，得到的纳米硅具有更好的尺度和结构，可以高效地在分子尺度上将石墨烯和纳米硅结合，得到的硅碳材料循环性能稳定，具有优异的导电性能。
一种纳米石墨锂离子电池负极材料及其制备方法

[发明专利]阳极氧化铝模板中一维硅纳米结构的制备方法-CN200410010510.3无效
发明人：王昕;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2004-12-29 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： C01B33/029 文献下载
摘要：本发明公开了一种阳极氧化铝模板中一维硅纳米结构的制备方法。首先利用等离子体化学沉积方法结合多孔氧化铝的空间限制作用低温生长一维硅纳米结构，包括硅纳米线和硅纳米管。然后将模板置入等离子体增强化学沉积反应室，以高氢稀释硅烷为生长气源，在300℃条件下控制气体流量生长硅纳米线或硅纳米管。本发明合成温度低、时间短、原料价廉、操作简单，在无需引入催化剂的条件下得到硅纳米线和硅纳米管，避免污染。其中通过模板的空间限制作用，使所得的硅纳米线和硅纳米管直径一致，在20～100nm之间可调，长度随生长时间延长而增加。
阳极氧化铝模板中一维硅纳米结构制备方法

[发明专利]一种硅碳复合材料、其制备方法和用途-CN202010598006.9有效
发明人：赵晓锋 -专利权人：蜂巢能源科技有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅碳复合材料、其制备方法和用途。所述方法包括如下步骤：(1)将报废太阳能板进行机械力处理，得到纳米硅，然后将所述纳米硅进行化学腐蚀，得到多孔纳米硅；(2)制备含有所述多孔纳米硅和硅烷偶联剂的分散液，将所述分散液过滤；(3)在惰性气氛下，将步骤(2)过滤得到的固体产物煅烧，得到硅碳复合材料。本发明通过采用低成本的报废太阳能硅板进行处理得到多孔纳米硅，之后与硅烷偶联剂在高温条件下反应制备出硅碳复合材料，硅烷偶联剂与纳米硅之间产生协同效应，即纳米硅表面硅烷偶联剂表面水解生成硅羟基，所述硅碳复合材料吸附电子生成结构稳定的复合体
一种复合材料制备方法用途

[发明专利]负极材料、负极极片及其制备方法-CN201910693006.4在审
发明人：李柏翰;翁炳志;葛春明;陈柏文 -专利权人：徐克铭
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本申请提供一种硅氧化物与非晶碳层包覆以多层石墨烯为载体的纳米硅的负极材料，包括多层石墨烯、纳米硅、硅氧化物与非晶碳层、以及多个缓冲孔洞。多层石墨烯作为载体。纳米硅吸附于多层石墨烯上。多层石墨烯与纳米硅作为核心。硅氧化物与非晶碳层包覆多层石墨烯与纳米硅。缓冲孔洞形成于硅氧化物与非晶碳层上，用以提供缓冲空间。通过以硅氧化物与非晶碳层包覆以多层石墨烯为载体的纳米硅，制备出高品质的负极材料。
负极材料及其制备方法

[发明专利]一种基于硅光热电效应的光电转换器及其制作方法-CN201910119771.5在审
发明人：管志强;刘维康;徐红星 -专利权人：武汉大学
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明涉及光电转换技术，具体涉及一种基于硅光热电效应的光电转换器及其制作方法，包括硅纳米结构、电极和衬底；硅纳米结构至少有一个维度的尺寸是1~300纳米，电极与硅纳米结构接触，硅纳米结构设置于衬底之上。硅的纳米结构可以抑制声子的散射过程，降低电子‑声子散射作用，产生同晶格温度脱耦的载流子温度，电学连通的电极同硅的纳米结构形成欧姆接触，以降低肖特基接触导致的光伏效应影响。通过硅纳米结构中光致热载流子的温度梯度来驱动光电响应，通过调控金属/硅电极接触势垒和硅的掺杂极性与浓度来强化光热电效应，通过光‑热‑电多物理场输运仿真，确认了基于硅纳米结构光热电效应的光电转换机制的存在
硅纳米结构光热电电极光电转换器纳米结构衬底载流子转换器光电转换技术光电转换效率肖特基接触电学连通多物理场光电响应光电转换光伏效应接触势垒欧姆接触热载流子散射过程声子散射温度梯度硅电极晶格声子输运脱耦维度制作掺杂金属驱动调控

[发明专利]一种磁旋转弧等离子体制备纳米硅球、纳米硅线的方法-CN202011475909.4有效
发明人：杨启炜;闻光东;吴剑骅;张铭;李如龙;徐响;任其龙 -专利权人：衢州晶洲科技发展有限公司;浙江大学衢州研究院
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁旋转弧等离子体制备纳米硅球、纳米硅线的方法，包括步骤：(1)工作气体通入等离子体炬内，经起弧后在外加磁场的作用下形成磁旋转弧等离子体；(2)以微米级的多晶硅粉体作为原料，以输送气体作为载气通入等离子炬，穿过步骤(1)所形成的磁旋转弧等离子体高温区熔融气化；(3)经步骤(2)处理后的产物随载气进入冷却室，通过喷嘴喷入淬冷气体进行冷却降温，得到纳米硅粉；所述纳米硅粉微观形貌为纳米硅球或纳米硅线。本发明方法以微米级的多晶硅粉体作为原料，能够制备出形貌可控的纳米硅球及纳米硅线，工艺简单、安全环保、过程连续可控、成本低廉，适用于纳米硅粉的大规模工业化生产。
一种旋转等离子体制备纳米方法