“硅系 ”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果471466个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]晶体硅系太阳能电池及其制造方法-CN201780039785.5有效
发明人：足立大辅 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：一种晶体硅系太阳能电池，在晶体硅基板(1)的一个主面从晶体硅基板侧起依次具备本征硅系薄膜(21)和导电型硅系薄膜(22)。晶体硅基板在表面具有金字塔状的凹凸结构。设置于凹凸的顶部上的硅系薄膜的膜厚小于设置于凹凸的中腹部上的硅系薄膜的膜厚。优选设置于凹凸的谷部上的硅系薄膜的膜厚也小于设置于凹凸的中腹部上的硅系薄膜的膜厚。
晶体太阳能电池及其制造方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法、以及太阳能电池面板-CN201780031450.9在审
发明人：河崎勇人;吉河训太;中野邦裕;小西克典 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2017-02-08 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明所涉及的太阳能电池具备：导电型晶体硅基板(11)；和第一导电型硅系层(12)及第二导电型硅系层(13)，它们配置在导电型晶体硅基板(11)的一个主面上，第一导电型硅系层(12)与第二导电型硅系层(13)电绝缘，第二导电型硅系层(13)包括第一部分(13a)和第二部分(13b)，第一部分(13a)隔着第一本征硅系层(14)及第一导电型硅系层(12)而与导电型晶体硅基板(11)对置，第二部分(13b)隔着第二本征硅系层(15)而与导电型晶体硅基板(11)对置，第一本征硅系层(14)的厚度比第二本征硅系层(15)的厚度厚。
导电型硅导电型晶体本征硅硅基板太阳能电池对置太阳能电池面板电绝缘厚度比配置制造

[发明专利]一种晶体硅铸锭用籽晶及其制备方法和晶体硅及其制备方法-CN201610817314.X在审
发明人：陈红荣;徐云飞;胡动力;何亮 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2016-09-12 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体硅铸锭用籽晶，包括籽晶本体以及包覆在籽晶本体表面的硅系化合物膜，硅系化合物膜的熔点大于或等于硅的熔点。该硅系化合物膜可保护籽晶避免被杂质污染，在该籽晶上生长出来的晶体硅位错较少，少子寿命较高。另外，该籽晶可实现多次重复使用，大大降低了铸造晶体硅的成本。本发明还提供了该晶体硅铸锭用籽晶的制备方法，包括：提供籽晶本体，通过气相沉积法在籽晶本体表面沉积硅系化合物，形成硅系化合物膜，从而得到晶体硅铸锭用籽晶，或将籽晶本体置于反应室中，在800℃‑1400℃温度下，通入可与硅反应生成硅系化合物的气体，使气体与籽晶表面的硅反应生成硅系化合物，从而在籽晶本体表面形成硅系化合物膜，得到晶体硅铸锭用籽晶。
一种晶体铸锭籽晶及其制备方法

[发明专利]光电转换装置的制造方法-CN201180045445.6有效
发明人：吉见雅士;市川满;宇都俊彦;山本宪治 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明涉及制造结晶硅系光电转换装置的方法。本发明的结晶硅系光电转换装置在一导电类型单晶硅基板的一个面上依次具有一导电类型层侧本征硅系层和一导电类型硅系层，在上述一导电类型单晶硅基板的另一个面上依次具有相反导电类型层侧本征硅系层和相反导电类型硅系层在本发明中，上述一导电类型层侧本征硅系层的形成工序、和上述相反导电类型层侧本征硅系层的形成工序中的至少一者依次具有采用等离子体CVD法在上述一导电类型单晶硅基板上形成具有1nm～10nm膜厚的第1本征硅系薄膜层的工序、在以氢为主成分的气体气氛中进行等离子体处理的工序、采用等离子体CVD法在上述第1本征硅系薄膜层上形成第2本征硅系薄膜层的工序。
光电转换装置制造方法

[发明专利]光电转换装置的制造方法-CN201880042331.8在审
发明人：足立大辅 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明涉及在导电型单晶硅基板(1)的第一主面上依次具有本征硅系薄膜(12)和导电型硅系薄膜(15)的晶体硅系太阳能电池(100)的制造方法。在导电型单晶硅基板上形成本征硅系层后，一边向CVD腔室内导入氢气和含硅气体，一边进行将本征硅系层的表面暴露于氢等离子体的等离子体处理。等离子体处理时朝向CVD腔室内的氢导入量为含硅气体导入量的150～2500倍，通过等离子体处理，在纹理的谷部的本征硅系层上形成薄膜。
光电转换装置制造方法

[发明专利]光电转换装置的制造方法-CN201680075001.X有效
发明人：宇都俊彦;吉见雅士 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：在导电型单晶硅基板(1)上依次具有本征硅系薄膜(12)和导电型硅系薄膜(15)的晶体硅系太阳能电池的制造中，在导电型单晶硅基板上形成本征硅系薄膜后，一边向CVD腔室内导入氢气和含硅气体，一边进行使本征硅系薄膜的表面暴露于氢等离子体的等离子体处理等离子体处理时的向CVD腔室内的氢导入量为含硅气体导入量的150～2500倍。
光电转换装置制造方法

[发明专利]硅系薄膜和硅系薄膜的形成方法-CN200780022462.1有效
发明人：山下雅充;岩出卓;田口贡士;山崎光生 -专利权人：东丽工程株式会社
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：本发明提供硅系薄膜和硅系薄膜的形成方法，该硅系薄膜和该硅系薄膜的形成方法不会对形成于基板上的电子器件造成损害且装置构成不会变得庞大，并且能够改善硅系薄膜在基板上的密合性，不易生成裂纹和剥离。本发明的硅系薄膜的形成方法是通过CVD法在基板(K)上形成具有绝缘功能或阻隔功能的硅系薄膜的硅系薄膜形成方法，该方法包括如下步骤：使用含有氢元素的气体和含有硅元素的气体在所述基板(K)上通过等离子体CVD法形成第1薄膜(11)的步骤；使用含有氮元素的气体和含有硅元素的气体通过等离子体CVD法形成第2薄膜(12)的步骤；和使用含有氧元素的气体和含有硅元素的气体通过等离子体CVD法形成第3薄膜(13)的步骤
薄膜形成方法

[发明专利]聚硅氧烷系交联剂、利用该交联剂制得的乙烯基系接枝共聚物粉体及其制备方法-CN201610786181.4有效
发明人：潘杰辉;何宇;何显新;王兴强;石建伟 -专利权人：广州熵能创新材料股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： C08G77/20 文献下载
摘要：本发明提供一种聚硅氧烷系交联剂、利用该聚硅氧烷系交联剂制备乙烯基系接枝共聚物粉体的制备方法、由该方法制得的乙烯基系接枝共聚物粉体、以及含有该乙烯基系接枝共聚物粉体的树脂组合物。上述聚硅氧烷系交联剂通过二甲基硅氧烷类单体、乙烯基硅氧烷类单体、任选的硅氧烷系支化剂以及任选的封头剂聚合而得到，包括乙烯基含量为0.01～3质量％的双封乙烯基聚硅氧烷和多乙烯基聚硅氧烷中的至少一种，并且该聚硅氧烷系交联剂的质均分子量为
聚硅氧烷系交联剂利用乙烯基接枝共聚物及其制备方法

[发明专利]一种防返碱铝硅系浇注料及其制备方法-CN202210947506.8有效
发明人：范昌龙;殷波;郑益锋;毛旭敏;蒋旭;吴威 -专利权人：宜兴摩根热陶瓷有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明公开了一种防返碱铝硅系浇注料，包括骨料和基质料，骨料为铝硅系耐火颗粒，基质料包括铝硅系耐火细粉、镁铝水滑石细粉、硅微粉、硅溶胶、纯铝酸钙水泥；铝硅系耐火颗粒、铝硅系耐火细粉、镁铝水滑石细粉、硅微粉本发明还公开了一种防返碱铝硅系浇注料的制备方法。本发明所用的原料来源广泛，将原料混合均匀后加入水，搅拌均匀，振动成型，经养护和干燥后，制得防返碱铝硅系浇注料，整体制备工艺简单。
一种防返碱铝硅系浇注料及制备方法

[发明专利]一种硅系太阳能电池和其制备方法与制备装置以及其表面结构-CN201410182303.X有效
发明人：刘生忠;刘雅慧 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种硅系太阳能电池表面结构包括在硅系太阳能电池表面上形成的凹坑和坐落在凹坑内的金属颗粒。还提供采用本发明所述表面结构的一种量子效率高的硅系太阳能电池，以及一种操作简单，成本低廉能够制备该硅系太阳能电池的方法，包括如下步骤制备反应溶液，制备金属颗粒，刻蚀得到如本发明所述的硅系太阳能电池。还提供一种硅系太阳能电池的制备装置，包括用于加热硅系太阳能电池片的加热装置，用于将反应溶液喷涂到被加热硅系太阳能电池片上的喷涂装置，用于容纳刻蚀液的容纳装置。本发明是通过内部坐落金属颗粒的凹坑改变硅系太阳能电池表面的织态结构，产生协同作用，当光线照射到金属颗粒时产生表面等离子体共振效应，提高转换效率。
一种太阳能电池制备方法装置及其表面结构

[发明专利]一种过共晶铝硅系合金及其制备方法-CN202210653316.5在审
发明人：毛丰;魏世忠;郭俊良;陈冲;张程;王晓东;江涛;张坡;熊美;肖利强;潘昆明;王长记;李秀青 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种过共晶铝硅系合金及其制备方法，属于有色金属材料加工制备技术领域。本发明的过共晶铝硅系合金的制备方法，包括以下步骤：将过共晶铝硅系合金的前驱体熔体以300～550℃/s速率进行冷却，即得；所述前驱体熔体含有质量分数为0.4～0.7％的变质元素铕。本发明的过共晶铝硅系合金的制备方法，通过加入化学变质剂铕以及通过快速冷却处理过共晶铝硅系合金的前驱体熔体，可以同时实现初晶硅的细化球化以及共晶硅的纤维化，进而提高制备的过共晶铝硅系合金的强度、塑性和韧性与快速凝固相比，本发明的过共晶铝硅系合金的制备方法通过加入化学变质剂铕，可以避免使用要求较高的设备，而且可以得到细化球化的初晶硅。
一种共晶铝硅系合金及其制备方法

[发明专利]锂铝硅系填料组合物、锂铝硅系填料及其制备方法、玻璃封接材料及其应用-CN202111476493.2在审
发明人：余丹阳;张新宙;秦国斌;梁小兵;卢克军;张宁 -专利权人：北京北旭电子材料有限公司;北旭(湖北)电子材料有限公司;上海彤程电子材料有限公司;彤程新材料集团股份有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C03C1/00 文献下载
摘要：本申请提供一种锂铝硅系填料组合物、锂铝硅系填料及其制备方法、玻璃封接材料及其应用，属于封接材料领域。锂铝硅系填料按质量百分比计包括10％～15％的LiO2、37％～50％的Al2O3以及35％～48％的SiO2；锂铝硅系填料的膨胀系数为‑80×10‑7/℃～50×10‑7/℃；该锂铝硅系填料可以不含铅。玻璃封接材料包括硼铅玻璃粉、钛酸铅填料以及如第二方面的锂铝硅系填料；在玻璃封接材料中使用该锂铝硅系填料可以降低钛酸铅系填料的用量，且能降低膨胀系数和密度。
锂铝硅系填料组合及其制备方法玻璃材料应用

[发明专利]一种硅系填料改性氟橡胶母料、制备方法及其应用-CN202210388971.2在审
发明人：黄子岸;马玉聪;吴爱民 -专利权人：超能材料科技（大连）有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： C08J3/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅系填料改性氟橡胶母料、制备方法及其应用，属于橡胶材料技术领域。将微纳米级硅系填料分散于无水乙醇和去离子水混合液中，超声混匀后调节PH值，然后加入改性剂实现硅系填料与氟橡胶的有机桥接，反应产物洗涤、离心、干燥后得到改性硅系填料；改性后的硅系填料与氟橡胶混合后进行混炼，混炼后块料分割形成颗粒，得到硅系填料改性氟橡胶母料，该母料柔韧性和耐低温性能显著提高。本发明制备的硅系填料改性氟橡胶母料不仅能够克服普通填料在橡胶中分散不均的问题，进一步将制备的硅系填料改性氟橡胶母料应用于氟橡胶中，可以赋予氟橡胶复合材料优异的耐低温性能和力学性能，且生产工艺简单，成本低
一种填料改性氟橡胶制备方法及其应用

[发明专利]具有通过等离子CVD法形成的蒸镀膜的塑料成形品-CN200780033290.8无效
发明人：山田幸司;家木敏秀;蓝原武志 -专利权人：东洋制罐株式会社
申请日： 2007-07-26 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明的塑料成形品在塑料基板表面形成有通过等离子CVD法形成的蒸镀膜，该蒸镀膜包含有机硅系蒸镀层和硅氧化物系蒸镀层，所述有机硅系蒸镀层形成于塑料基板1的表面侧、不含氧，所述硅氧化物系蒸镀层形成于有机硅系蒸镀层上
具有通过等离子 cvd 形成镀膜塑料成形

[发明专利]UV-LED用聚倍半硅氧烷系密封材料组合物及用于它的磷酸系催化剂的使用-CN201580005745.X在审
发明人：吉川岳;高岛正之 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2015-01-20 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明涉及磷酸系催化剂的作为UV‑LED用聚倍半硅氧烷系密封材料的固化促进剂的使用，所述UV‑LED用聚倍半硅氧烷系密封材料的固化物的260nm下的光的透射率为65％以上，并提供含有聚倍半硅氧烷系密封材料和磷酸系催化剂的UV‑LED用聚倍半硅氧烷系密封材料组合物。
uv led 用聚倍半硅氧烷系密封材料组合用于磷酸催化剂使用

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条