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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]近红外响应的硅基雪崩光电探测器及其制作方法-CN201611096081.5在审
发明人：黄建;江海波;李睿智;黄烈云 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提出了一种近红外响应的硅基雪崩光电探测器，所述近红外响应的硅基雪崩光电探测器由衬底层、光敏区、雪崩区、保护环、截止环、增透膜、阳极接触层、反射镜层和阴极电极组成；本发明还提出了一种基于前述近红外响应的硅基雪崩光电探测器的制作方法，本发明的有益技术效果是：提供了一种近红外响应的硅基雪崩光电探测器，该探测器能够在不增加衬底层厚度和降低其他性能的条件下，获得较高的近红外响应率。
红外响应雪崩光电探测器及其制作方法

[发明专利]近红外硅基罗丹明荧光染料、制备方法及其在线粒体脊膜原位免洗成像中的应用-CN202011401937.1有效
发明人：高保祥;魏超;李世一;李新为;王旭 -专利权人：河北大学
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：本发明提供了近红外硅基罗丹明荧光染料、制备方法及其在线粒体脊膜原位免洗成像中的应用，近红外硅基罗丹明荧光染料结构式如式（I）所示。本发明近红外硅基罗丹明荧光染料合成步骤少，制备方法简单，产率高，所得近红外硅基罗丹明荧光染料紫外吸收强度好和荧光量子产率高，受生物自发荧光干扰小，生物毒性低，具有较好的生物相容性，抗光漂白能力强，能够长时间连续成像
红外罗丹荧光染料制备方法及其线粒体原位成像中的应用

[发明专利]硅基近红外发光薄膜材料的制备方法-CN200810147887.1无效
发明人：张建国 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2008-12-16 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：硅基近红外发光薄膜材料的制备方法，属于半导体光电子材料技术领域，特别涉及半导体硅基发光薄膜材料的制备方法。硅基近红外发光薄膜材料是在硅基片上利用三氧化二硼、三氧化二铝、三氧化二镓、三氧化二铟、磷的氧化物、砷的氧化物、锑的氧化物、铋的氧化物这8种材料中的一种或多种、二氧化硅以及可发近红外光的稀土离子混合的基础上氧空位缺陷发光中心是掺杂的稀土离子近红外发光的高效敏化剂。这种硅基近红外发光薄膜材料可应用于硅基光电集成。
硅基近红外发光薄膜材料制备方法

[发明专利]一种门控硅基可见近红外单光子探测装置-CN202111000717.2在审
发明人：马华平;凌茂珍;李常林;唐遵烈 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明涉及光电探测领域，特别涉及一种门控硅基可见近红外单光子探测装置，包括直流高压电源、射频变压器、高速CMOS驱动器、FPGA、高速比较器、人机交互界面、硅基可见近红外单光子探测器SAPD；直流高压电源串联电感及限流电阻后连接硅基可见近红外单光子探测器本发明能产生上升下降时间较短的大电压门控脉冲，在提高单光子探测效率的同时能有效降低暗计数及后脉冲概率，并能有效滤除门控脉冲前后沿引起的尖峰噪声，实现雪崩信号的计数，同时门控脉冲的宽度及幅度以及重复频率可以调节，针对不同的硅基可见近红外单光子探测器
一种门控可见红外光子探测装置

[发明专利]一种采用近红外光谱分析甲基乙烯基聚硅氧烷中乙烯基含量的方法-CN201410250250.0有效
发明人：刘根兰;程顺弟;刘雪梅;陈卫东 -专利权人：蓝星化工新材料股份有限公司江西星火有机硅厂
申请日： 2014-06-09 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： G01N21/359 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用近红外光谱分析甲基乙烯基聚硅氧烷中乙烯基含量的方法，先采用离心消泡进行样品预处理，建立近红外光谱模型分析甲基乙烯基聚硅氧烷中乙烯基的含量，与氧化还原法和气相色谱法相比，具有不破坏样品
一种采用红外光谱分析甲基乙烯基聚硅氧烷中含量方法

[发明专利]一种硅基APD红外敏感增强的方法-CN201410034337.4有效
发明人：孙芳魁 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种硅基APD红外敏感增强的方法，属于光电探测器件制造领域。所述方法在SF6气体氛围下对硅基APD的衬底进行飞秒辐照掺杂工艺。本发明利用飞秒激光在SF6气体氛围下辐照硅片使得其在近红外区域的红外敏感度显著增强，在1064nm波段的量子探测效率从原来13%提高到30%，拓展了硅基APD吸收光子的截止波长，可使硅基APD器件在近红外微弱信号探测
一种 apd 红外敏感增强方法

[发明专利]一种利用超短脉冲激光制备硅基表面陷光结构的方法-CN201210052373.4有效
发明人：周明;李保家;张伟;唐万羿;马明;蔡兰 -专利权人：江苏大学
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： B23K26/18 文献下载
摘要：本发明涉及硅基表面陷光结构，特指一种利用可见/近红外超短脉冲激光诱导制备硅基表面陷光结构的方法，可适用于晶体硅和薄膜硅等硅基材料。本发明的目的是克服在先技术上的不足，提供一种利用超短脉冲激光诱导制备硅基表面陷光结构的方法，无需气体或液体作为环境介质，通过表面贴膜法来实现硅基表面结构成形。
一种利用超短脉冲激光制备表面结构方法

[发明专利]实现近红外到可见光转换的上转换器件及其制备方法-CN201910959406.5有效
发明人：张秀娟;揭建胜 -专利权人：苏州英凡瑞得光电技术有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种实现近红外到可见光转换的上转换器件及其制备方法，上转换器件包括：硅基探测器，用于红外光的吸收；OLED发光器件，设在所述硅基探测器上以将所述硅基探测器吸收的红外光以可见光的形式上转换成像本发明的实现近红外到可见光转换的上转换器件具有较高的成像分辨率、高相应速度和高上转换效率，该上转换器件可以实时将700nm‑1200nm的近红外光以可见光的形式成像，且该上转换器件成本低、体积小。
实现红外可见光转换器件及其制备方法

[发明专利]一种近红外增强型硅基四象限光电探测器及其制备方法-CN201711297583.9在审
发明人：王延超;王稞;杨海贵;王笑夷;高劲松 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明涉及光电探测技术领域，具体公开一种近红外增强型硅基四象限光电探测器及其制备方法。本发明的四象限光电探测器的由4个完全相同的上下表面都具有锥形微结构的PIN结构单元组成，PIN结构包括作为I型层的本征硅衬底，上表面具有锥形微结构的P型层，下表面具有锥形微结构的N型层；上下表面锥形微结构可以非常有效地提高PIN结构对近红外光的吸收，因而本发明所述的四象限光电探测器克服了传统硅探测器近红外响应弱的缺点，具有较高的近红外光电响应，满足激光定位、跟踪等众多领域对硅基近红外光电探测器件的需求。
一种红外增强型硅基四象限光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种硅基铁电异质结光电探测器及其制备方法和应用-CN202310479723.3在审
发明人：陈思怡;陈明明;朱高雅;陈思学;程培宇 -专利权人：江苏大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基铁电异质结光电探测器及其制备方法和应用，属于信息技术领域；本发明通过在Si硅衬底表面上制备铁电薄膜材料，然后在Si硅衬底和铁电薄膜材料上沉积薄金属电极来构建硅基铁电异质结光电探测器；所述硅基铁电异质结光电探测器能够实现紫外‑可见‑近红外宽光谱和波长可选择光探测的目的，其在300‑900nm宽光谱和300‑340nm紫外/380‑900nm可见光‑近红外波长下均可进行可选择光探测，具有很强的工业实用性
一种硅基铁电异质结光电探测器及其制备方法应用

[发明专利]基于光子频率上转换的太赫兹成像器件、转换方法-CN201210287273.X有效
发明人：刘惠春;杨耀;张月蘅 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2012-08-13 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L31/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光子频率上转换的太赫兹成像器件，包括太赫兹上转换器件和硅基成像器件，其中，太赫兹上转换器件用于将太赫兹二维图像信号转换为近红外或者可见光二维图像信号;硅基成像器件用于将转换得到的近红外或者可见光二维图像信号进行接收探测它基于红外光子频率上转换的原理，将红外光信号转换为近红外光子，然后利用硅基成像器件实现探测和成像，这一方法能够大大降低太赫兹成像的技术难度和成本。
基于光子频率转换赫兹成像器件方法

[发明专利]一种近红外下转换发光材料制备方法及其应用-CN201810376826.6有效
发明人：时秋峰;边晓敏;黄平;崔彩娥;王磊;田跃 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C09K11/85 文献下载
摘要：本发明涉及一种近红外下转换发光材料的制备方法和应用，该发光材料的化学组成式为K2Y0.99‑XCe本发明的近红外下转换发光材料采用水热法制备，可被中心位于290nm的紫外光激发，在1000nm处发射近红外光，可被硅基太阳能电池吸收，提高硅基太阳能电池的对近紫外光的利用率，具有实际应用价值。
一种红外转换发光材料制备方法及其应用

[发明专利]一种硅基氮化镓器件的近结散热方法-CN202111248653.8有效
发明人：刘超;陈航 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基氮化镓器件的近结散热方法，包括步骤：对生长在硅衬底上的GaN层Ⅰ和硅衬底进行刻蚀，在GaN层Ⅰ上形成平行排列的V形缺口，每个V形缺口的底部设置有狭缝，所述狭缝垂直延伸至硅衬底内部；利用XeF2对硅衬底内部的狭缝进行进一步刻蚀，形成冷却通道；继续在GaN层Ⅰ上外延生长GaN层Ⅱ和功能层；对硅衬底背面进行刻蚀形成若干个矩形凹槽a和若干个矩形凹槽b，矩形凹槽a和矩形凹槽b交替周期排列；之后与载片键合，在载片底部设置冷却液的进口和出口；向冷却通道中注入冷却液，实现硅基氮化镓器件的散热。本发明的方法在近结区域附近引入高热导率的冷却液，有效解决了硅基氮化镓器件的散热问题。
一种氮化器件散热方法

[发明专利]一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法-CN201610543354.X有效
发明人：黄宏军;李双双;左晓姣;董福宇;袁晓光 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C25D11/10 文献下载
摘要：一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法，其特征在于经过表面除污、碱性腐蚀、化学抛光等预处理，之后采用硫酸140～160g/L、硫酸铝2～4g/L、硫酸镍2～4g/L、草酸4～10g/L、酒石酸15～25g/L、磺基水杨酸5～20g/L的复合电解液在室温下选取带梯形波脉冲信号电流进行阳极氧化，之后在沸水中进行封孔处理。本发明的有益之处在于：本发明的一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化膜的方法提高了成膜速度、常温氧化、能耗低，而且所制备的近共晶铝硅合金阳极氧化膜的孔致密均匀，硬度较高，耐蚀性能好。
一种用磺基水杨酸制备近共晶铝硅合金阳极氧化方法

[发明专利]一种钛薄膜的应用以及使用该钛薄膜的硅基光波导-CN201610411852.9在审
发明人：罗杰;赖耘;侯波 -专利权人：苏州大学张家港工业技术研究院
申请日： 2016-06-14 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： G02B1/113 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛薄膜的应用以及使用该钛薄膜的硅基光波导，钛薄膜用于减少甚至完全消除近红外波段的电磁波的反射。本发明将钛薄膜作为近红外波段的电磁波的减反膜，具有宽带(1000nm～2200nm)、宽角度、超薄的性质，同时制备简单，制备成本较低，因其超薄性可以减轻减反装置的重量，节省减反装置的成本，且携带方便；此外，要实现对不同电介质材料的减反效果，只需要调节钛薄膜的厚度即可，具有广泛的应用；另外，本发明的硅基光波导由于其端面覆盖了一层钛薄膜，大大减弱了硅基光波导端面的反射，从而使得硅基光波导中的驻波也大大变弱，
一种薄膜应用以及使用硅基光波导

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