专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]疏水碳酸钙颗粒-CN201280034220.5有效
  • D·甘滕贝恩;J·舍尔科普夫;P·A·C·甘恩 - OMYA国际股份公司
  • 2012-07-10 - 2014-04-23 - D21C9/08
  • 本发明涉及用于减少在造纸或制浆方法中产生的水性介质中的沥青的方法,包括以下步骤:a)提供包含在造纸或制浆方法中产生的沥青的水性介质;b)提供研磨碳酸钙和/或沉淀碳酸钙;c)提供疏水剂,其选自具有5-24个碳原子的脂族羧酸;d)使步骤b)的研磨碳酸钙和/或沉淀碳酸钙与步骤c)的疏水剂接触以得到疏水研磨碳酸钙和/或疏水沉淀碳酸钙;以及e)使步骤a)提供的水性介质与得自于步骤d)的疏水研磨碳酸钙和/或疏水沉淀碳酸钙接触;涉及疏水研磨碳酸钙和/或疏水沉淀碳酸钙用于减少水性介质中的沥青量的用途,并且涉及疏水研磨碳酸钙和/或疏水沉淀碳酸钙以及疏水研磨碳酸钙和/或疏水沉淀碳酸钙与沥青的复合材料
  • 疏水碳酸钙颗粒
  • [发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202110054109.3在审
  • 松永浩一 - 东京毅力科创株式会社
  • 2021-01-15 - 2021-07-27 - G03F7/16
  • 基板处理装置具备:疏水处理部,其构成为进行疏水处理,在该疏水处理中通过疏水处理用的疏水气体的蒸镀来在基板的表面形成疏水膜;紫外线照射部,其构成为通过向基板的背面中的去除区域照射紫外线,来去除在疏水处理中形成于去除区域的疏水膜;以及树脂膜形成部,其构成为在去除了疏水膜后的去除区域形成氟树脂膜。
  • 处理装置方法
  • [发明专利]亲水性材料的疏水方法-CN202010058411.1有效
  • 老川幸夫;堀池重吉;儿山浩崇 - 株式会社岛津制作所
  • 2020-01-19 - 2022-02-25 - B01D15/10
  • 本发明涉及提供一种在亲水性材料表面的羟基(‑OH)引入疏水性基团的亲水性材料的疏水方法。亲水性材料的疏水方法包括:在作为反应促进剂有氨基酸存在的条件下,使需进行疏水的亲水性材料与含有疏水性基团的甲硅烷基化剂反应,在亲水性材料表面引入含有疏水性基团的甲硅烷基。通过所述方法制造疏水的硅胶柱填料。进一步,将进行了所述疏水的硅胶柱填料填充至色谱柱中来制造疏水的硅胶柱。
  • 亲水性材料疏水方法
  • [发明专利]分子探针及其制备方法和用途-CN202011238140.4有效
  • 张洪;梁硕;任珉 - 张洪
  • 2020-11-09 - 2022-08-30 - A61K49/04
  • 本发明涉及一种用于易损性动脉斑块中巨噬细胞的CT(computed tomography,CT)特异性分子探针的疏水改性物,所述疏水改性物通过对具有结构式(I)的化合物进行疏水改性而得到,其中至少2个所述末端羟基被疏水性化合物所改性,所述疏水性化合物通过甲硫氨酸与有机酸反应得到,以所述疏水改性物的分子总数量计,分子直径为100~200nm的疏水改性物的比率为总数量的90%以上。
  • 分子探针及其制备方法用途
  • [发明专利]疏水处理装置、疏水处理方法以及存储介质-CN201010262548.5有效
  • 新村聪;福冈哲夫;北野高广 - 东京毅力科创株式会社
  • 2010-08-24 - 2011-03-30 - H01L21/00
  • 本发明提供一种药液的气化效率高、且能向基板供给高浓度的疏水气体、还能抑制药液发生变质的疏水处理装置、疏水处理方法以及存储介质。疏水处理装置包括:气化面形成部,其表面位于气化室内;气化面加热部件,其用于加热该气化面形成部;药液供给口,其用于将疏水处理用的药液供给到上述气化面形成部的表面上;气体导入口,其用于将载气导入上述气化室内;引出口,其用于引出疏水气体;处理容器,其用于将自上述引出口供给的疏水气体供给到基板上。利用该结构能够将高浓度的疏水气体供给到基板上,且由于在不进行处理时所贮存的药液不会与载气接触,因此能够抑制药液变质。
  • 疏水处理装置方法以及存储介质

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