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[发明专利]可光致交联的旋光近晶液晶化合物-CN95116915.7无效
发明人：Ｓ·凯利;Ｋ·施密特 -专利权人：罗列克股份公司
申请日： 1995-08-30 - 公布日： 2002-04-17 - 主分类号： C09K19/42 文献下载
摘要：本发明涉及旋光的、铁电的、近晶的可光致交联的式I化合物和含有这些化合物的液晶混合物以及它们以交联态在光学元件中的应用，其中A1、A2各自独立地表示可交联的致旋光的残基。A3表示旋光的、致旋光的残基。
可光致交联旋光近晶液晶化合物

[实用新型]一种具有电控极化率的可变波长二维旋光器件-CN201920995783.X有效
发明人：吴雅苹;周江鹏;张纯淼;吴志明;康俊勇 -专利权人：厦门大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本实用新型公开一种具有电控极化率的可变波长二维旋光器件，包括电致伸缩基片、与电致伸缩基片底面连接的第一和第二导电电极、层叠设置在电致伸缩基片上表面的增强光吸收层、第一透明导电电极、III‑VI族硫属化物二维材料、BN二维材料绝缘层、以及第二透明导电电极；该器件在圆偏光激发下可产生具有可控圆偏振极化率的旋光效应，通过在与电致伸缩基片连接的第一和第二导电电极之间施加适当电压可调控该旋光的圆偏振极化率，且通过在第一和第二透明导明电极之间施加适当电压可使该旋光波长从紫外到红外的宽波段范围内连续可调
一种具有极化可变波长二维器件

[发明专利]基于电致旋光效应的互易型电压/电场传感器光路系统-CN202211634852.7在审
发明人：杨娅姣;曾令强;马云龙;谭金权;龙娅;赵冬颖;赵立凯;马嫒;刘朝阳;王明;于朋娇;魏辰刚;张鑫 -专利权人：北京航天时代光电科技有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01R15/24 文献下载
摘要：本发明公开了基于电致旋光效应的互易型电压/电场传感器光路系统，本发明利用以PbMoO4晶体为例的四方晶系、4/m点群晶体的电致旋光效应实现对电压场变化的敏感测量集成传感单元包含光纤准直器、金属电极片I、敏感晶体、金属电极片II、反射镜和陶瓷基座等，是电致旋光效应的发生单元，同时具备光路径调整作用。本发明光路系统实现了光路的互易型设计，提高了系统的测量精度和抗干扰能力。
基于电致旋光效应互易型电压电场传感器系统

[发明专利]反射式电致变色液晶显示器-CN200910130572.0无效
发明人：王志源;江显伟;王文俊 -专利权人：胜华科技股份有限公司
申请日： 2009-04-03 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： G02F1/153 文献下载
摘要：本发明揭示一种反射式电致变色液晶显示器，包括一第一基板、一第二基板、一第一电致变色液晶混合物层、一第一电极层以及一第二电极层。第二基板平行于第一基板，且第一电致变色液晶混合物层配置于第一基板与第二基板之间。第一电致变色液晶混合物层包括多个液晶分子、一旋光剂以及一高分子混合物，其中液晶分子以及旋光剂分布于高分子混合物的一固化结构中。第一电极层配置于第一基板与第一电致变色液晶混合物层之间，而第二电极层配置于第二基板与第一电致变色液晶混合物层之间。第一电致变色液晶混合物层反射出一第一反射光，而第一反射光的波长随着第一电极层与第二电极层之间的一第一电场改变。
反射式电致变色液晶显示器

[发明专利]光隔离器-CN202111072589.2在审
发明人：邓剑钦;吉贵军;卢建南;张大鹏 -专利权人：珠海光库科技股份有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G02F1/09 文献下载
摘要：本发明提供一种光隔离器，包括第一输入组件、第二输入组件、第一输出组件、第二输出组件、磁致旋光晶体、第一光路调整PBS棱镜、第二光路调整PBS棱镜和旋光半波片，通过输入/输出PBS棱镜对光纤进行偏振分合光，并通过第一/第二光路调整PBS棱镜将光路调整，继而是光线汇聚在第一光路从磁致旋光晶体穿过并实现相应的旋光，使得不同端口输入的光线均从该磁致旋光晶体穿过，在从对应的不同端口输出，从而大大提高磁致旋光晶体的利用效率，磁致旋光晶体由于只需要沿第一光路布置即可，继而磁致旋光晶体可制作的相对较小，不需要全面积覆盖，因而可大大降低成本，也有利于提高晶体消光比ER的均匀性。
隔离器

[实用新型]光隔离器-CN202122216638.7有效
发明人：邓剑钦;吉贵军;卢建南;张大鹏 -专利权人：珠海光库科技股份有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G02F1/09 文献下载
摘要：本实用新型提供一种光隔离器，包括第一输入组件、第二输入组件、第一输出组件、第二输出组件、磁致旋光晶体、第一光路调整PBS棱镜、第二光路调整PBS棱镜和旋光半波片，通过输入/输出PBS棱镜对光纤进行偏振分合光，并通过第一/第二光路调整PBS棱镜将光路调整，继而是光线汇聚在第一光路从磁致旋光晶体穿过并实现相应的旋光，使得不同端口输入的光线均从该磁致旋光晶体穿过，在从对应的不同端口输出，从而大大提高磁致旋光晶体的利用效率，磁致旋光晶体由于只需要沿第一光路布置即可，继而磁致旋光晶体可制作的相对较小，不需要全面积覆盖，因而可大大降低成本，也有利于提高晶体消光比ER的均匀性。
隔离器

[发明专利]一种适用于大功率光隔离器的法拉第旋转器-CN201310150964.X有效
发明人：胡姝玲;陆乔乔;王鑫龙;耿伟彪;章博 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： G02F1/095 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于大功率光隔离器的法拉第旋转器，该法拉第旋转器包括有热补偿晶体、半波片、铁环、第一磁致旋光晶体、第二磁致旋光晶体、第一磁体和第二磁体，第一磁致旋光晶体、热补偿晶体、半波片和第二磁致旋光晶体沿Z轴正向顺次排布，热补偿晶体和半波片的外部套接有铁环，第一磁致旋光晶体的外部套接有第一磁体，第二磁致旋光晶体的外部套接有第二磁体。将本发明设计的法拉第旋转器应用于光隔离器时，使得光隔离器能够满足上百瓦的大功率要求，隔离度至少提高3dB。
一种适用于大功率隔离器法拉第旋转

[发明专利]光纤隔离器及其使用方法-CN201711395056.1在审
发明人：邓剑钦 -专利权人：珠海光库科技股份有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： G02F1/095 文献下载
摘要：本发明提供一种光纤隔离器及其使用方法,光纤隔离器在沿光路方向设置有准直器、第一偏振分光元件、偏振旋光元件、磁致旋光组件和第二偏振分光元件，第一偏振分光元件用于输出沿第一偏振分光光路传输的第一偏振分光，第一偏振分光元件用于输出沿第二偏振分光光路传输的第二偏振分光,第一偏振分光光路经过第一磁致旋光元件,第二偏振分光光路经过第二磁致旋光元件,第二偏振分光元件用于输出正向合束光,通过分离设置的第一磁致旋光元件和第二磁致旋光元件，有效提高通光孔径使用率，不仅大大降低磁致旋光元件的成本，而且由于单独设置的，在实际调试使用中，相比于一根大直径的旋光晶体更加具备灵活性，继而有利于提高调试精度和隔离度。
光纤隔离器及其使用方法

[实用新型]光纤隔离器-CN201721823057.7有效
发明人：邓剑钦 -专利权人：珠海光库科技股份有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： G02F1/095 文献下载
摘要：本实用新型提供一种光纤隔离器,光纤隔离器在沿光路方向设置有准直器、第一偏振分光元件、偏振旋光元件、磁致旋光组件和第二偏振分光元件，第一偏振分光元件用于输出沿第一偏振分光光路传输的第一偏振分光，第一偏振分光元件用于输出沿第二偏振分光光路传输的第二偏振分光,第一偏振分光光路经过第一磁致旋光元件,第二偏振分光光路经过第二磁致旋光元件,第二偏振分光元件用于输出正向合束光,通过分离设置的第一磁致旋光元件和第二磁致旋光元件，有效提高通光孔径使用率，不仅大大降低磁致旋光元件的成本，而且由于单独设置的，在实际调试使用中，相比于一根大直径的旋光晶体更加具备灵活性，继而有利于提高调试精度和隔离度。
磁致旋光偏振分光元件偏振分光光路光纤隔离器偏振分光输出调试本实用新型单独设置方向设置分离设置通光孔径旋光晶体旋光元件传输隔离度合束光准直器使用率光路正向

[发明专利]一种环形谐振腔激光器-CN200810071023.6有效
发明人：吴砺;凌吉武;郭磊;孙玉;彭永进;杨建阳;马英俊;陈卫民 -专利权人：福州高意通讯有限公司
申请日： 2008-05-12 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01S3/083 文献下载
摘要：本发明公开了一种环形谐振腔激光器，其包括后腔镜与有磁致旋光效应激光增益介质构成环形光路，有磁致旋光效应激光增益介质设在磁场H中，其设有一个入射和出射的端面与三个反射面，入射和出射的端面居中设有光路阻断材料，其遥对后腔镜的反射面镀有高反射膜，偏振起偏器和波片设在环形光路内，当波片设在有磁致旋光效应激光增益介质的激光出射光路上时，为1/2波片，当波片设在有磁致旋光效应激光增益介质的激光入射以及出射光路上时，为1/4波片，利用磁致旋光效应、波片、偏振起偏器共同作用对环形光路中一个方向传播的光进行偏振损耗，实现单向环形谐振。
一种环形谐振腔激光器

[发明专利]基于晶体劈干涉与峰值检测电路的光学电流传感器应力线双折射补偿方法-CN202211638052.2在审
发明人：徐启峰 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明提出一种基于晶体劈干涉与峰值检测电路的光学电流传感器应力线双折射补偿方法，针对温度变化与震动在磁光薄膜和传输光纤中产生应力线双折射，并与法拉第磁致旋光角混叠一起难以分离与补偿的问题。本发明基于晶体劈干涉实现光学电流传感器能够线性解调法拉第磁致旋光角；当存在应力线双折射时，光学电流传感器的输出为法拉第磁致旋光角与应力线双折射的线性叠加；利用峰值检测电路确定待测交流电流的峰值，此时法拉第磁致旋光角为90°，光学电流传感器输出信号与法拉第磁致旋光角之差即为应力线双折射，可以将其检测出来并予以补偿。
基于晶体干涉峰值检测电路光学电流传感器应力双折射补偿方法

[发明专利]旋合模式的双稳态动作执行器及电致通透屏和体-CN201610143743.3在审
发明人：杨斌堂 -专利权人：杨斌堂
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H02K7/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种旋合模式的双稳态动作执行器及电致通透屏和体，包括沿一排布方向依次布置的多个旋合单元；旋合单元包括第一磁体、第二磁体、传动组件903、动作执行组件；当动作执行组件位于第二稳态位置时，所述多个旋合单元的动作执行组件拼接为一挡片且能够通过多个挡片片段，在同一稳态位置下拼合为一完整的挡片，以实现小面积遮挡组成大面积遮挡的效果，本发明应用范围广泛，可应用于开关、光强控制、阀门等需要两个工位位置切换的驱动控制领域，例如，可以用于制作电致通透屏或通透体，还可以控制流体、波、的流向、透光或近光、远光之间的切换驱动。
模式双稳态动作执行通透

[实用新型]旋合模式的双稳态动作执行器及电致通透屏和体-CN201620194286.6有效
发明人：杨斌堂 -专利权人：杨斌堂
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H02K7/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种旋合模式的双稳态动作执行器及电致通透屏和体，包括沿一排布方向依次布置的多个旋合单元；旋合单元包括第一磁体、第二磁体、传动组件903、动作执行组件；当动作执行组件位于第二稳态位置时，所述多个旋合单元的动作执行组件拼接为一挡片且能够通过多个挡片片段，在同一稳态位置下拼合为一完整的挡片，以实现小面积遮挡组成大面积遮挡的效果，本实用新型应用范围广泛，可应用于开关、光强控制、阀门等需要两个工位位置切换的驱动控制领域，例如，可以用于制作电致通透屏或通透体，还可以控制流体、波、的流向、透光或近光、远光之间的切换驱动。
模式双稳态动作执行通透

[发明专利]旋涂、可光致图案形成的层间介电材料的应用以及使用这种材料的中间半导体器件结构-CN200480016988.5有效
发明人： W·李;G·S·桑德胡 -专利权人：微米技术股份有限公司
申请日： 2004-05-11 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一种使得可光致图案形成的旋涂材料能够在此前不能使用的波长下用于形成半导体器件结构的罩层。所述可光致图案形成的旋涂材料以层的形式施涂在半导体基片上。在可光致图案形成的层上形成罩层和光刻胶层。罩层吸收或反射辐射，保护可光致图案形成的层不受使光刻胶层形成图案时所用的第一波长的辐射。所述可光致图案形成的旋涂材料当暴露于第二波长的辐射之下时可以转化为二氧化硅基材料。
旋涂可光致图案形成层间介电材料应用以及使用这种中间半导体器件结构

[发明专利]用于尾旋翼裕度识别的系统和方法-CN201810362167.0有效
发明人：克里斯托弗·M·博思韦尔;罗伯特·厄尔·沃沙姆二世;金成均;布朗东·杰斯里·托马斯 -专利权人：贝尔直升机德事隆公司
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： B64C27/82 文献下载
摘要：公开了用于尾旋翼裕度识别的系统和方法。在实施方式中，旋翼飞行器包括：尾旋翼桨叶；尾旋翼致动器，其耦接至尾旋翼桨叶以使得尾旋翼桨叶的桨距根据尾旋翼致动器的当前延伸而变化；飞行员飞行控制装置，其电耦接至尾旋翼致动器；以及飞行控制计算机，其电耦接至尾旋翼致动器和飞行员飞行控制装置，所述飞行控制计算机被配置成：确定尾旋翼致动器的当前延伸；确定尾旋翼致动器的当前延伸是否在尾旋翼致动器的最大延伸的裕度内；以及响应于尾旋翼致动器的当前延伸在尾旋翼致动器的最大延伸的裕度内而向飞行员指示第一告警
用于尾旋翼裕度识别系统方法

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