专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种干蚀刻装置顶盖及干蚀刻装置-CN201710934433.8有效
  • 崔珠峰 - 武汉华星光电技术有限公司
  • 2017-09-28 - 2020-02-07 - H01J37/32
  • 本发明公开了一种干蚀刻装置顶盖及一种干蚀刻装置,该干蚀刻装置顶盖包括:磁场产生装置,所述磁场产生装置设置于所述干蚀刻机台顶盖中,用于控制所述干蚀刻装置的工艺腔室中的等离子运动;电场屏蔽层,所述电场屏蔽层设置于所述磁场产生装置靠近所述工艺腔室的一侧,用于屏蔽所述磁场产生装置的自感电场。通过上述方式,本发明能够降低磁场产生装置产生的电场对工艺腔室中的等离子运动的干扰。
  • 一种蚀刻装置顶盖
  • [发明专利]半导体器件-CN201611264115.7有效
  • 孙晓峰;秦仁刚 - 无锡华润上华科技有限公司
  • 2016-12-30 - 2020-08-18 - H01L23/60
  • 本发明涉及一种半导体器件,包括衬底、衬底上的多晶硅层、第一金属层以及第二金属层,设于所述第二金属层和多晶硅层之间的金属屏蔽层,所述第一金属层通过第一接触孔内的金属塞连接下方的所述多晶硅层,所述第二金属层在所述半导体器件中的高度大于所述金属屏蔽层在所述半导体器件中的高度,所述金属屏蔽层通过第二接触孔内的金属塞连接下方的所述衬底,所述金属屏蔽层用于对所述第二金属层产生的电场进行屏蔽以减少所述电场对所述多晶硅层的影响。本发明设置金属屏蔽层以屏蔽第二金属层产生的电场,能够提高多晶硅层的电阻值的稳定性。且由于屏蔽电场,在版图的布线时就不再需要将第二金属层的走线避开多晶硅层,因此可以提高布线的自由度。
  • 半导体器件
  • [实用新型]用于252kV高压开关母线的绝缘支撑结构-CN201420072282.1有效
  • 刘波;沈鹏飞;曹亚钊;肖春利;赵波 - 上海思源高压开关有限公司
  • 2014-02-19 - 2014-07-23 - H02G5/06
  • 包括设于壳体内的三相相互平行的导体,Y形绝缘支撑架设于三相导体的中间并与导体相垂直;Y形绝缘支撑架的三个端部分别设有绝缘支撑嵌块;每相导体上分别开设有径向孔,Y形绝缘支撑架的三个端部分别伸入相对应的径向孔内,螺栓的内端依次穿过屏蔽块中的沉孔以及导体因三相导体的间距很小,绝缘支撑嵌块的电场很大,为了改善绝缘支撑件的电场,将导体开孔,使绝缘支撑嵌块沉入导体内部,以改善嵌件处的电场;通过螺栓将导体、绝缘支撑架以及屏蔽块紧固在一起,必须增加屏蔽块改善此处电场,同时屏蔽块设有沉孔,可以将螺栓沉入屏蔽块,以改善螺栓头部电场
  • 用于252kv高压开关母线绝缘支撑结构
  • [实用新型]阵列基板和显示面板-CN201721462164.1有效
  • 龙春平;乔勇;吴新银 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2017-11-06 - 2018-05-08 - G02F1/1362
  • 本实用新型公开了一种阵列基板和显示面板,该阵列基板包括:若干个像素结构,每个像素结构包括:至少一个像素区域,像素区域的一侧设置有信号走线,像素区域内设置有像素电极,像素电极朝向信号走线的一侧设置有与像素电极同层设置的屏蔽电极,屏蔽电极与公共电极线电连接。本实用新型的技术方案通过在像素电极与信号走线之间设置屏蔽电极,该屏蔽电极与像素电极同层设置且与公共电极线电连接,其可与像素电极之间形成平面电场,该平面电场可有效屏蔽像素电极与信号走线之间形成的边缘电场,以避免该边缘电场对液晶分子造成影响,从而改善像素区域中对应像素电极与该信号走线之间区域的边缘部分的混乱电场,有利于降低漏光和提高开口率。
  • 阵列显示面板
  • [发明专利]一种利用行波定位HDPE渗漏位置的方法及系统-CN201910098391.8有效
  • 陈亚宇;黄晓松;孙焕奕;王凯 - 河北工程大学
  • 2019-01-31 - 2020-11-24 - G01M3/40
  • 本发明一种利用行波定位HDPE渗漏位置的方法及装置涉及一种用于HDPE渗漏位置定位。本发明一种利用行波定位HDPE渗漏位置的方法是将具有实心导体层和金属屏蔽层的同轴电缆以平行等间距的方式铺设在HDPE下土壤层中,利用具有腐蚀性的垃圾渗滤液改变同轴电缆的绝缘保护层和绝缘介质层的物理特性,从而使实心导体层和金属屏蔽层形成短路,并产生暂态行波,进而利用行波到达同轴电缆两端的时间差进行渗漏定位。可以改善传统方法无法消除多渗漏点电场互相耦合等缺点,并运用双电极板测时技术提高了时间测量精度,从而提高了定位方法的精度。
  • 一种利用行波定位hdpe渗漏位置方法系统
  • [发明专利]一种电阻分压器-CN201010597917.6无效
  • 邱嘉文 - 珠海威瀚科技发展有限公司
  • 2010-12-21 - 2012-07-11 - G01R15/04
  • 尤其是涉及一种运用于传感器的电阻分压器,包括分压电阻串1,灌封在分压电阻串1外围的绝缘体2、从分压电阻串1引出的电压信号线3及设置在两端的上、下电极4、5,绝缘体2的外围设置有陶瓷基体6,其外表面设置有电阻7;电阻7与分压电阻串1按相同的电压变化梯度变化,使分压电阻串1置于外部同位等势的电场包围中;该设置能有效屏蔽电场对分压电阻串1的干扰,进而提高传感器的比差稳定度,减小屏蔽层与分压电阻串1之间的电容效应
  • 一种电阻分压器

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