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[发明专利]一种真空热压烧结法制备的高性能氮化铝陶瓷基板及制备方法-CN202110824142.X有效
发明人：伍尚华;汪亮;郭伟明;盛鹏飞;林坤吉 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空热压烧结法制备的高性能氮化铝陶瓷基板及制备方法，涉及氮化铝陶瓷技术领域。其由以下重量份组分用真空热压烧结法制备得到：氮化铝90‑100份，稀土氢化物0‑10份；或者，氮化铝90‑100份，稀土氢化物0‑10份，稀土氟化物0‑10份。本发明提供的真空热压烧结法制备的高性能氮化铝陶瓷基板，稀土氢化物、稀土氢化物与稀土氟化物作为烧结助剂，其加入有助于降低烧结的温度，促进烧结致密；选用的烧结助剂可与氧杂质反应，净化晶格，有效提高热导率。本发明提供的真空热烧结法进行制备的陶瓷基板，在炉体压力的作用下，以及流动氮气氛围下有利于氮化铝的生成，进一步促进烧结致密化，同时能有效减小晶粒的尺寸，从而提高陶瓷的抗弯强度。
一种真空热压烧结法制性能氮化陶瓷制备方法

[发明专利]一种一步烧结法制备的梯度结构硬质合金-CN201710965644.8在审
发明人：胡松华 -专利权人：胡松华
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：为了改善梯度结构硬质合金的硬度、耐磨性，制备了一种一步烧结法制备的梯度结构硬质合金。采用WC粉、Co粉及碳含量为5.19%的WC‑10Co混合粉末为原料，烧结法制备的梯度结构硬质合金，烧结时间能够影响所制备的梯度层的厚度。梯度层的厚度随着烧结之间的增加而增加。但烧结时间过程会导致硬质合金晶粒的烧蚀，使其力学性能降低。所以，合理的控制烧结时间是制备过程的关键。所制得的一步烧结法制备的梯度结构硬质合金，其硬度、致密化程度、抗弯强度都得到大幅提升。
硬质合金梯度结构烧结一步烧结梯度层制备制备高性能耐磨性混合粉末力学性能烧结法制时间过程制备过程晶粒致密化抗弯烧蚀生产工艺

[发明专利]一种氧气氛无压烧结法制备ITO靶材的方法-CN201010597008.2无效
发明人：陈敬超;周晓龙;杜焰;阮进;于杰;冯晶 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2010-12-20 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： C04B35/64 文献下载
摘要：本发明公开了具有较强创新性的烧结ITO靶材的方法，其目的是通过对烧结工艺的优化，实现无压氧气氛烧结，最终得到高致密度、高性能的靶材。该方法以烧结法为基础，根据ITO靶材的烧结特性，采用分段烧结工艺，通过控制进入炉膛的氧气流量来控制烧结气氛中的氧分压，抑制ITO靶材的分解，最终得到了致密度高于99.3％，导电性能好的靶材。本发明的氧气氛无压烧结法是一种新型的陶瓷烧结方法，主要应用于易分解的氧化物陶瓷的烧结，其设备简单，烧结制品不受尺寸限制，可生产大尺寸的陶瓷制品，应用这种方法制备ITO靶材尚属首次，制备得到的ITO靶材性能优于目前常用的热压烧结法、热等静压烧结法和普通的常压烧结法。
一种氧气氛无压烧结法制 ito 方法

[发明专利]激光组合焊接厚壁金刚石钻头制造方法-CN201310481126.0有效
发明人：罗文来;王进保;刘志环;莫斌;潘晓毅;谢德龙;粟光明;李运海;张延军;冯跃;何锋 -专利权人：桂林特邦新材料有限公司
申请日： 2013-10-15 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本发明公开一种激光组合焊接厚壁金刚石钻头制造方法，采取的工艺流程为采用冷压法制造多层结构的金刚石钻头胚齿，采用热压烧结法制造成型的金刚石钻头齿，采用激光焊接方法把若干圆周等分均布的金刚石钻头齿同轴焊接在厚壁钢管的一端与现有的中频热压烧结法、电阻热压烧结法、无压浸渍法等烧结法相比，本发明烧结模具的成本可降低60%，能耗可降低58%，整体效率仍可提高50%；与现有的电镀法相比，可以免除重金属离子的环保回收利用成本，或者无环境污染问题
激光组合焊接金刚石钻头制造方法

[发明专利]一种CdIn合金靶材及其制备方法-CN202210029388.2有效
发明人：余飞;江佩庭;黄宇彬;童培云;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（安徽）有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明制备CdIn合金旋转靶通过熔炼法制备，简单快速，成本低廉。本发明制备方法不受制于热压烧结设备及烧结模具的限制，可实现尺寸和形状的自由调整。本发明铸造法制备的靶材具有较高的密度，致密度接近100％，明显优于烧结法制备的掺铟氧化镉靶材95％的致密度。铸造CdIn合金靶材较大程度保留了合金的金属性能，具有良好的塑性和韧性，克服了烧结法制备的掺铟氧化镉靶材脆性极大，磕碰及靶材溅射过程工艺控制稍微不良就可能造成开裂导致报废靶材的缺点。
一种 cdin 合金及其制备方法

[发明专利]一种一步烧结法制备正交相三氧化钼的方法-CN202210962081.8在审
发明人：卫婷婷;兰婷;丛树仁;汪宇;师增洋;朱衍冰;杨银润;许方杰 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C01G39/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种一步烧结法制备正交相三氧化钼的方法，属于光催化剂制备技术领域。一步烧结法制备正交相三氧化钼的方法，包括以下步骤：(1)将无水钼酸铵和无水柠檬酸混合后溶于有机溶剂，搅拌后静置陈化，得到溶胶凝胶前驱体；(2)所述溶胶凝胶前驱体经过烧结处理，得到所述正交相三氧化钼。本发明采用一步烧结法高效制备出正交立方结构的三氧化钼晶片，能够有效光催化降解亚甲基蓝溶液，1h去除率能达到82％，5h基本去除完成，去除率达99.6％，并且制备方法对实验设备要求低，是目前最简单的制备方法
一种一步烧结法制交相氧化钼方法

[发明专利]一种超高居里温度压电陶瓷材料的制备方法-CN201810011358.2在审
发明人：朱建国;李曰毅;包绍明 -专利权人：四川大学
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：base:Sub>2Ti2O7（LTO）压电陶瓷材料的制备方法，其特点是该方法首先采用溶胶凝胶法制备LTO前驱粉体，再使用普通烧结法制备LTO压电陶瓷。通过溶胶凝胶法和普通烧结法联合的方式，优化了LTO陶瓷的制备技术，不仅降低了LTO陶瓷的烧结温度，还在一定程度上提高了LTO陶瓷的电学性能，使其有望在超高温领域发挥重要作用。
一种超高居里温度压电陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种采用反应烧结法制备多孔碳化钛陶瓷的方法-CN201810369439.X有效
发明人：陈文;马娅娜;鲍崇高;李国平 -专利权人：莱芜职业技术学院
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： C04B38/06 文献下载
摘要：本发明属于多孔碳化钛陶瓷制备技术领域，具体涉及一种采用反应烧结法制备多孔碳化钛陶瓷的方法。本发明公开了一种采用反应烧结法制备多孔碳化钛陶瓷的方法，以二氧化钛、纳米炭黑和酚醛树脂为反应原料，依次进行湿法混料、造粒、干法混料、模压成型，最终反应烧结后得到多孔碳化钛陶瓷。
一种采用反应烧结法制多孔碳化陶瓷方法

[发明专利]用于烧结法制备铝盐酸水泥的预热设备-CN202111394882.0在审
发明人：杨青 -专利权人：江苏中意建筑材料有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： B28B17/02 文献下载
摘要：本发明公开了用于烧结法制备铝盐酸水泥的预热设备，涉及铝盐酸水泥加工设备技术领域，包括预热舱，所述预热舱的内部固定套装有输料管，且预热舱的底部固定安装均匀分布的支撑底座，所述输料管的左端延至预热舱的外部并固定套装有驱动电机该用于烧结法制备铝盐酸水泥的预热设备，通过驱动电机和活动轴以及绞龙叶片和电热管的配合使用，使得该用于烧结法制备铝盐酸水泥的预热设备能够将原料注入输料管的内部，之后启动驱动电机和控制器，驱动电机启动后通过其输出轴带动活动轴和绞龙叶片旋转
用于烧结法制盐酸水泥预热设备

[发明专利]一种基于热压烧结法制备的氮化硅基片材料-CN202010515634.6在审
发明人：瞿友福 -专利权人：浙江锐克特种陶瓷有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于热压烧结法制备的氮化硅基片材料，所述基于热压烧结法制备的氮化硅基片材料是以氮化硅(Si3N4)、氮化硅镁(MgSiN2)、助烧剂为原料，所述基于热压烧结法制备的氮化硅基片材料是将氮化硅(Si3N4烧结
一种基于热压烧结法制氮化硅基片材料

[发明专利]一种基于气氛烧结法制备的氮化硅耐磨片-CN202010515694.8在审
发明人：瞿友福 -专利权人：浙江锐克特种陶瓷有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于气氛烧结法制备的氮化硅耐磨片，所述基于气氛烧结法制备的氮化硅耐磨片以氮化硅(Si3N4)、碳氮化钛(TiCN)、助烧剂为原料，所述基于气氛烧结法制备的氮化硅耐磨片是将氮化硅(Si3N4)、碳氮化钛(TiCN)、助烧剂混合均匀得到氮化硅配方粉将所述配方粉在钢模中干压成型得到耐磨片成型坯体，将所述氮化硅耐磨片成型坯体进行塑封，在90‑150MPa条件下进行冷等静压处理，保压时间为30‑90S，在1‑10MPa惰性或还原气体氛围中1650‑1800℃的条件下烧结2‑4小时，气氛烧结后的瓷片经冷却，在水中振磨抛洗2‑8小时制得。
一种基于气氛烧结法制氮化耐磨

[发明专利]一种采用电阻烧结法制备大规格钨板坯的工艺-CN201210081110.6无效
发明人：李坚;李忠良 -专利权人：苏州先端稀有金属有限公司
申请日： 2012-03-26 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： B22F3/16 文献下载
摘要：本发明公开一种采用电阻烧结法制备大规格钨板坯的工艺，包括如下步骤：①取所需量的钨粉；②根据预生产钨板坯的规格选择胶套或者钢套，将所需量的钨粉紧实而均匀地装于所述的胶套或者钢套内，再进行密封；③等静压压制（180MPa）；④卸压、脱模；⑤采用电阻烧结法进行烧结。采用电阻烧结法的烧结温度低于传统的垂熔烧结的烧结温度，且升温慢、温度场均匀，从而可以提高制品的组织和性能；成材率高，能耗小，经济效益高，消除了传统工艺的产品在后续加工中所出现的掉角、掉边现象，表现出良好的机加工性能
一种采用电阻烧结法制规格钨板坯工艺

[发明专利]高纯高致密YbB₆多晶块体阴极材料的制备方法-CN201310557794.7无效
发明人：张忻;梁超龙;张繁星;郑亮;王杨;刘洪亮;李松浩;张久兴 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： C01B35/04 文献下载
摘要：目前，通常采用热压烧结法制备YbB6多晶块体，而热压烧结法的烧结温度高(1900-2100℃)，对模具要求高，且烧结相不纯，限制了YbB6多晶块体的应用。本发明方法烧结温度低、时间短，工艺简单，所制备的YbB6多晶块体阴极材料致密度高，相对密度最高可达98％以上，维氏硬度最高可达2670Kg／mm2，经X射线衍射分析为单一六硼化物相。
高纯致密 ybb sub 多晶块体阴极材料制备方法

[发明专利]一种悬浮烧结法制备Bi-2212前驱粉末的方法-CN201911254186.2有效
发明人：郝清滨;李成山;徐晓燕;刘国庆;焦高峰;郑会玲;白利锋;金利华;刘学谦;张胜楠;李高山;贾佳林;熊晓梅;冯建情 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2019-12-07 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种悬浮烧结法制备Bi‑2212前驱粉末的方法，该方法具体过程为：将Bi2O3、Ca(OH)2、SrCO3和CuO混合后采用草酸盐共沉淀法制备草酸盐混合粉末，然后依次经加热保温、初步烧结、高温烧结和成相烧结，得到Bi‑2212前驱粉末本发明采用共沉淀法制备草酸盐混合粉末作为原料粉末，有效提高了Bi‑2212前驱粉末中Bi‑2212相的质量纯度，并结合分步悬浮烧结法，有效促进了彻底成相，防止了低熔点相熔化造成的粉末偏析问题，避免了从氧化物粉末直接生成
一种悬浮烧结法制 bi 2212 前驱粉末方法

[发明专利]基于“HV-PN结”的光热电转换装置功能区的制备方法-CN202110273369.X在审
发明人：苗中正 -专利权人：盐城师范学院
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H02N3/00 文献下载
摘要：将二氧化硅或羧基化石墨烯包覆铝核壳结构通过烧结法制备成“P型”水伏材料区，将氧化铝/铝核壳结构或氨基化石墨烯包覆铝核壳结构通过烧结法制备成“N型”水伏材料区，“P型”水伏材料区与“N型”水伏材料区结合得到本发明所述方法制备的“HV‑PN结”揭示了电荷“产生”与定向移动的驱动新规律，开辟了水伏效应新的应用形式。
基于 hv pn 热电转换装置功能制备方法

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