专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]拔检测机构-CN202222985029.2有效
  • 王泽龙;龚开灵;罗琳;熊小强;吴仕明 - 瑞浦兰钧能源股份有限公司
  • 2022-11-09 - 2023-04-21 - F16M11/04
  • 本实用新型涉及二次电池生产技术领域,公开了一种拔检测机构,包括安装架、检测组件及补光组件;检测组件包括安装杆、与安装杆连接的升降板、与升降板连接的摄像元件;升降板上设置有调节孔,升降板通过调节孔与安装杆连接固定通过设置摄像元件直接对钉进行拍摄检测,直观的检测钉的拔情况,提高钉检测的准确性;并通过设置补光组件,提高摄像元件的拍摄亮度,进而提高钉的检测准确率;通过设置调节孔对升降板的安装位置进行调节,调节摄像元件的工作高度,保证拍摄的清晰度,进一步提高钉的检测准确率,提高使用的适应性。
  • 胶钉漏拔检测机构
  • [实用新型]燃气管道用测装置-CN201621136423.7有效
  • 么志坚 - 么志坚
  • 2016-10-19 - 2017-07-18 - F17D5/02
  • 本实用新型涉及管道测装置,尤其是一种燃气管道用测装置。本装置包括管、U型压力计,U型压力计的一端和第一管连接,第一管通过三通接头和第二管连接,第二管和卡紧接头连接,三通接头和乳胶充气球连接。提高了工人的工作效率,便于观察。
  • 燃气管道用测漏装置
  • [实用新型]一种高效的电池模组灌装置-CN202021499764.7有效
  • 陈庆鸿;肖训星;彭昌亮;赵小伟;李颉;邹业君 - 江西远东电池有限公司
  • 2020-07-27 - 2021-02-05 - H01M10/04
  • 本实用新型涉及新能源技术领域,具体而言,涉及一种高效的电池模组灌装置。包括灌槽位、圆孔、围边和扁嘴漏斗;电池模组灌装置设置在电池模组塑胶支架上,所述述电池模组塑胶支架的电芯之间设置所述灌槽位,所述圆孔设置在所述灌槽位中间,所述灌槽位的周边设置所述围边,所述扁嘴漏斗与所述灌槽位匹配本实用新型通过设计扁嘴漏斗直接套在支架槽位上,上面可以连接自动化灌设备,进行定点、定量、快速的注硅胶;就可以快速灌满整个模组,提高效率;同时有围边的作用,可以防止溢流出来,提高了整体美观度。
  • 一种高效电池模组装置
  • [实用新型]一种电路板超大孔蓝胶印刷铝网-CN201520933908.8有效
  • 罗志强;戴海合 - 湖南利尔电路板有限公司
  • 2015-11-20 - 2016-06-08 - H05K3/00
  • 本实用新型公开了一种电路板超大孔蓝胶印刷铝网,包括多个圆心在待填充蓝的元件孔内的圆孔,多个所述圆孔之间相离设置,多个所述圆孔与所述元件孔相交。所述电路板超大孔蓝胶印刷铝网,通过将现有技术中的一个大圆孔改为多个相离的小圆孔,由于与现有技术中的蓝胶印刷工艺相同,蓝的厚度相同,而印刷在元件孔上的蓝明显减少,使得蓝印到电路板元件孔的上的量减少,避免过多的蓝堆积并渗透到电路板元件孔底,污染板面。同时保持最佳的蓝印量,使从多个圆孔印出的蓝产生粘连形成表面张力,并完成对待覆盖的电路板指定区域的覆盖,省却了现有技术中的印刷蓝前贴耐高温红胶带,烘烤后再剥离红胶带的人力和物力的浪费。
  • 一种电路板超大胶印刷铝网
  • [发明专利]薄膜晶体管及制备方法-CN201610029742.6在审
  • 胡典禄;陈建荣;任思雨;苏君海;李建华 - 信利(惠州)智能显示有限公司
  • 2016-01-14 - 2016-03-23 - H01L21/336
  • 一种薄膜晶体管的制备方法,包括在半导体层上形成栅极金属层,在所述栅极金属层上形成光刻层,通过构图工艺,使所述栅极金属层形成伪栅极;以所述伪栅极为掩膜,对所述半导体层进行重掺杂离子注入工艺,形成源极重掺杂区及极重掺杂区;对所述伪栅极上的所述光刻层进行灰化处理,以使所述光刻层的尺寸与待形成的栅极尺寸相同,刻蚀所述伪栅极上未被所述光刻层覆盖的区域,形成栅极;以所述栅极为掩膜,对所述半导体层进行轻掺杂离子注入工艺,形成源极轻掺杂区及极轻掺杂区上述薄膜晶体管的制备方法,只需要一次图形化工艺即可实现源极重掺杂区、栅极、源极轻掺杂区的制作,相比于常规工艺可以减少工艺成本,缩短工艺时间。
  • 薄膜晶体管制备方法
  • [发明专利]薄膜晶体管的制作方法、阵列基板和显示装置-CN201610073575.5有效
  • 苏同上;杜生平;刘宁;王东方;袁广才 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2016-02-02 - 2018-10-26 - H01L21/336
  • 本发明涉及一种薄膜晶体管的制作方法、阵列基板和显示装置,其中的制作方法包括:采用半色调掩膜工艺在金属薄膜上形成具有完全保留区域、半保留区域和完全去除区域的光刻层;至少部分的完全保留区域对应于源极设置区域中不与有源层设置区域重叠的区域;半保留区域对应于源极设置区域与有源区设置区域之间重叠的区域;完全去除区域为除完全保留区域和半保留区域以外的区域;在光刻层的覆盖下对金属薄膜进行刻蚀,以形成源金属层;去除半保留区域内的光刻层;对半导体薄膜进行图案化处理,以形成有源层;去除剩余的光刻层。本发明可以解决源金属层容易在氧化物半导体的沉积过程以及酸液的湿法刻蚀过程中受到损伤的问题。
  • 薄膜晶体管制作方法阵列显示装置

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