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[发明专利]检测消逝场与古斯汉欣位移关系的方法、装置及光学器件-CN201610059996.2有效
发明人：陈平;李铭;刘伟伟;林列 -专利权人：南开大学
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：本发明适用于光学技术领域，提供了一种检测消逝场与古斯汉欣位移关系的方法、装置及光学器件，所述方法包括根据光在消逝场中的受力函数和势场函数的物理含义，获得消逝场对全反射光的势场函数；结合所述消逝场对全反射光的势场函数，通过薛定谔方程得到微扰后全反射光的波函数；对比所述微扰后全反射光的波函数和没有消逝场作用时的自由全反射光的波函数，全反射光在消逝场的作用下获得与消逝场的动量性质相同的动量。
检测消逝古斯汉欣位移关系方法装置光学器件

[发明专利]一种远场光纤消逝场的传感方法-CN201110209294.5有效
发明人：庄须叶;罗吉;姚军 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2011-07-25 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种远场光纤消逝场的传感方法，该方法包括：用微纳粒子对被测物液体进行修饰，将微纳粒子悬浮分布在传感光纤敏感段周围，利用微纳粒子在消逝场激励下形成的微纳效应将近场的消逝场能量传递到远场，增强了光纤消逝场传感器的探测范围，提高了光纤消逝场传感器检测非均匀介质时检测结果的全面性和保真性，并提高了传感器的灵敏度。
一种光纤消逝传感方法

[发明专利]新型微纳结构的光纤消逝场传感光纤-CN201110209241.3无效
发明人：庄须叶;罗吉;姚军 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2011-07-25 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型微纳结构的光纤消逝场传感光纤，包括保留包层和包层替换的光纤消逝场传感光纤，通过在光纤包层上打微纳孔，控制微纳孔的尺寸特征、分布方式及孔底与纤芯界面的距离，并在微纳孔内填充被测物质进行折射率调制包层替换的新型微纳结构的光纤消逝场传感光纤是将待处理光纤段的包层除掉，填充替换介质层，控制其折射率，并在上面修饰微纳孔，在微纳孔内填充被测物质，调控被测物质的折射率。本发明采用保留传感光纤包层并在其上打微纳孔和用介质层替换包层并在其上打微纳孔的方法制作了新型微纳结构的光纤消逝场传感光纤，使高阶模式的消逝场能量最大化的参与反应，提高传感器灵敏度，利于光纤消逝场传感器小型化
新型结构光纤消逝传感

[发明专利]一种消逝场激发薄膜拉曼信号的增强方法及装置-CN201210575352.0有效
发明人：祁志美;胡德波;逯丹凤 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种消逝场激发薄膜拉曼信号的增强方法，所述方法将待测薄膜形成于棱镜表面，再将入射光射入棱镜并在棱镜/待测薄膜界面处发生全反射，利用全反射产生的消逝场激发待测薄膜的拉曼信号，然后增大待测薄膜上方覆盖层折射率，用于增强消逝场，最终实现待测薄膜拉曼信号的增强。该方法也可以利用光纤或光波导取代棱镜，通过增强光纤或光波导的消逝场实现待测薄膜拉曼信号的增强。本发明的拉曼信号增强方法操作简单，重复性好，具有良好的表面选择性，消逝场偏振状态灵活可调，覆盖层折射率易于控制，非常适合用于探测单分子吸附层，表面修饰层等固体超薄膜的拉曼信号。
一种消逝激发薄膜信号增强方法装置

[发明专利]D形光纤消逝场化学传感器-CN200910066778.1无效
发明人：吴一辉;庄须叶;王淑荣 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2009-04-08 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本发明提出一种用于医疗、环境监控、食品安全卫生等检测量的D形光纤消逝场化学传感器，由光源和依次连接的聚焦透镜组、第一裸光纤转换器、传感部分被置于样品池中的直通式D形消逝场传感光纤、第二裸光纤转换器、光电信号采集器组成，其D形消逝场传感光纤的传感部分为横截面呈半圆形的半圆柱体，其光纤芯的平面部分作为传感面。本发明的D形传感光纤激发的消逝场能量高、有效作用面积大，消逝场能量不需要穿过预留的光纤包层，可以直接与被测物质作用，大大提高了传感器的灵敏度；结构简单，使用操作方便，便于小型化和集成化。
光纤消逝化学传感器

[发明专利]聚合物光波导消逝场传感结构-CN202210902061.1在审
发明人：范国芳;胡燕君 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于激发消逝场的聚合物光波导消逝场传感结构，由非球面柱状透镜和薄层平面波导结构组成。非球面柱状透镜位于结构的前端，用于将平行入射的激光折射耦合到波导结构，薄层平面波导位于结构的后端，用于产生消逝场并用做生物反应的载体。准直入射光通过前端的非球面耦合结构后，以一定的角度耦合到后端薄层波导内，光在薄层波导内传输时，会在波导上表面产生数百纳米量级的消逝场，从而实现对位于波导上表面的生物物质进行荧光激发，发射的荧光信号经过滤光后
聚合物波导消逝传感结构

[发明专利]生物传感器中的消逝场调制-CN200880123841.4有效
发明人： J·J·H·B·施莱彭;D·M·布鲁尔斯;J·A·H·M·卡尔曼 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2008-12-18 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： G01N21/55 文献下载
摘要：该传感器表面由所述第一光源照射，满足全内反射条件并且在样本体积内产生具有衰减长度的消逝场。所述系统还包括用于改变消逝场的衰减长度的装置以及用于使检测的信号与消逝场的衰减长度的变化相关的装置。
生物传感器中的消逝调制

[发明专利]一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器-CN201310406865.3有效
发明人：崔荣;杨晓红;李彬;尹伟红;吕倩倩;韩勤 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-09-09 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器(APD)，该雪崩光电探测器包括：衬底；形成于衬底之上的单模传输光波导，用于实现匹配光斑在其中低损耗单模传输，并使光渐渐向上消逝场耦合进入光匹配层；形成于单模传输光波导之上的光匹配层，用于实现光功率从单模传输光波导高效率消逝场耦合到APD吸收层中，并将光限制在APD吸收层中被完全吸收；以及形成于光匹配层之上的APD台面，采用分离吸收电荷倍增区的结构，与波导结构集成可实现高速高响应度的光探测本发明通过将具有内部增益以及高灵敏度的APD与消逝场耦合的单模波导结构集成，解决了普通探测器光损耗大、灵敏度低、响应度与带宽相互制约以及不利于片上光互连等问题。
一种消逝耦合雪崩光电探测器

[实用新型]一种具备两相流和全内反射的光流控芯片-CN201620135450.6有效
发明人：杨奕;梁莉;左云峰;吴唯 -专利权人：武汉大学
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： G01N15/14 文献下载
摘要：本实用新型引入了全内反射的消逝场来对纳米颗粒的高速探测的设计，两相流即混合油和乙二醇水溶液界面形成的全内反射消逝场的趋肤深度也为1μm左右，在此情形下芯层被消逝场全部覆盖，样品粒子流将全部经过消逝场探测区
一种具备两相反射光流控芯片

[发明专利]激光微加工处理全光纤型元件的制作方法-CN200510078591.5有效
发明人：祁甡;陈南光 -专利权人：陈南光
申请日： 2005-06-17 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本发明指一种激光微加工处理全光纤型元件的制作方法，直接对光纤的部分光壳施以激光切削去除，使得光纤内的消逝场(evanescent field)能够裸露出来，切削的深度可通过测量激光干涉条纹间距的方法得知；激光切削形成的消逝场的作用长度则可透过改变光纤曲率半径控制。将侧削后的光纤彼此靠合，使其光消逝场能够发生耦合后予以加热熔合或施以熔烧拉锥(fuse－tapering)，即可用来制作光纤耦合器、光塞取多任务器(add/drop multiplexer)、光纤窄波道多任务
激光加工处理光纤元件制作方法

[发明专利]一种基于消逝场耦合光力实现的全光光功率控制系统-CN201710751379.3有效
发明人：余健辉;陈立恒;朱文国;关贺元;卢惠辉;陈哲;张军;肖毅;唐洁媛 -专利权人：暨南大学
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明涉及光通讯器件技术领域，具体是一种基于消逝场耦合光力实现的全光光功率控制系统。一种基于消逝场耦合光力实现的全光光功率控制系统，包括纳米光纤和玻璃衬底，纳米光纤输入端连接波分复用器，波分复用器的输入端同时连接两个激光器，两个激光器分别输入泵浦光和探测光，纳米光纤下方放置玻璃衬底，玻璃衬底与纳米位移装置连接，纳米位移装置用于实现玻璃衬底以纳米量级移动，纳米光纤和玻璃衬底间的初始安装间距使探测光的消逝场与玻璃衬底耦合。
一种基于消逝耦合实现光光功率控制系统

[发明专利]无标组合少模光纤消逝场生物传感器-CN200910066779.6无效
发明人：吴一辉;庄须叶;王淑荣;张志强;张平;刘永顺 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2009-04-08 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本发明属于涉及用于生物的生物传感器，具体涉及一种无标组合少模光纤消逝场生物传感器。本发明结构中的两端具有锥形过渡的少模传感光纤，激发的消逝场能量高，光纤表面上的生物识别分子既形成了弱导条件又增强了消逝场与待测物质分子的相互作用，大大提高了传感器的灵敏度。
组合光纤消逝生物传感器

[发明专利]一种基因测序芯片及系统-CN202011630254.3在审
发明人：王越;吴一辉;周文超 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C12M1/40 文献下载
摘要：该基因测序芯片包括用于传输激发光的光纤，所述光纤的包层至少一部分被去除形成D型截面，在该去除位置修饰出纳米孔，所述纳米孔处于所述光纤的消逝场中。纳米孔结构实现待测序核酸片段和测序酶的物理局域，激光器通过分光元件耦合进入至芯片的单根光纤内，在光纤上表面产生的消逝场激发处于纳米孔内部的携带荧光染料的游离碱基，产生的荧光序列信号通过显微成像的方式检测
一种基因芯片系统

[发明专利]高灵敏度及稳定度的光纤消逝场氢浓度传感器及制备方法-CN201710781626.4有效
发明人：钟年丙;刘宝玉;田永超;罗彬彬;赵明富;曾学忠;曾伍阳;赵首领;申会文;蒋斌;丰红波;袁源 -专利权人：重庆万泰电力科技有限公司
申请日： 2017-09-02 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： G01N21/41 文献下载
摘要：本发明涉及光纤气体传感器，具体涉及高灵敏度及稳定度的光纤消逝场氢浓度传感器及制备方法；包括折射率为n
灵敏度稳定光纤消逝浓度传感器制备方法

[发明专利]AWG输出波导与波导探测器的集成器件及其制备方法-CN201510386760.5有效
发明人：吕倩倩;韩勤;杨晓红;尹伟红 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明在AWG输出波导中传输的光自下而上由AWG芯层通过消逝场耦合的方式逐层耦合到波导探测器的PD吸收层，从而避免了分立器件互连时过多的耦合损耗，利用消逝场耦合提高了光链路中的能量效率。
awg 输出波导探测器集成器件及其制备方法

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