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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]音乐合成方法-CN02127497.5有效
  • 杨凰琳 - 无敌科技股份有限公司
  • 2002-08-02 - 2004-02-04 - G10H5/07
  • 本发明涉及一种音乐合成方法，将音乐波形分成起奏衰减阶段、延音阶段及消逝阶段等三个阶段合成，通过储存原始音乐起奏衰减阶段的波形数据及紧接其后的一段延音或消逝阶段的一个或数个基本周期的波形数据，以作为延音阶段及消逝阶段的波形复制，并储存其长度为递归长度参数；再通过分析延音阶段与消逝阶段的振幅衰减模式，而获得延音阶段的振幅调整参数及衰减模式参数与消逝阶段的振幅调整参数及衰减模式参数。接着，将这些参数、起奏衰减阶段的波形数据及一段延音或消逝阶段的一个或数个基本周期的波形数据储存起来，即可用计算机程序自动产生合成音乐。
  • 音乐合成方法
  • [发明专利]超宽可调谐振器-CN201710302990.8有效
  • 张继华;郑懿;陈宏伟;吴开拓 - 电子科技大学
  • 2017-05-03 - 2019-06-18 - H01P7/06
  • 超宽可调谐振器，涉及微波器件，本发明包括自上向下顺次设置的低阻硅电极、SOI执行器和金属化消逝模腔体部分，SOI执行器包括高阻硅底板和高阻硅环，高阻硅环的底面与高阻硅底板通过埋氧层隔离，高阻硅环的顶面通过绝缘材料层与低阻硅电极连接，在高阻硅底板的底面设置有第一金层；金属化消逝模腔体部分包括消逝模腔和刻蚀保留在消逝模腔中的谐振杆，消逝模腔的内表面和谐振杆的顶面覆盖有第二金层，在谐振杆的顶部的金层上方还设置有第一介质材料层，在消逝模腔内填充有介质材料
  • 可调谐振器
  • [发明专利]消逝点检测的平面图像立体转换深度生成方法和装置-CN201010606810.3有效
  • 戴琼海;闫友为;杨铀;王好谦 - 清华大学
  • 2010-12-24 - 2011-04-27 - G06T7/00
  • 本发明提出一种消逝点检测的平面图像立体转换深度生成方法和装置，其中，该方法包括以下步骤：对平面图像进行滤波；对图像提取特征向量；在图像上选择多个直线作为参考直线，且在参考直线附近选择多个直线与参考直线组成匹配直线对；根据特征向量对匹配直线对上的像素点进行相似度匹配，得到相似度矩阵；根据相似度矩阵计算匹配直线对的仿射变换参数；根据仿射变换参数和匹配直线对的位置计算消逝点的位置；对消逝点进行聚类；和对图像进行深度赋值该方法采用了图像中的自相似特点，通过匹配这些相似点检测并获取到消逝点，并且根据消逝点的位置，同时结合图像的结构特点从而得到图像的深度信息。
  • 消逝检测平面图像立体转换深度生成方法装置
  • [发明专利]新型微纳结构的光纤消逝场传感光纤-CN201110209241.3无效
  • 庄须叶;罗吉;姚军 - 中国科学院光电技术研究所
  • 2011-07-25 - 2011-12-14 - G02B6/02
  • 本发明涉及一种新型微纳结构的光纤消逝场传感光纤，包括保留包层和包层替换的光纤消逝场传感光纤，通过在光纤包层上打微纳孔，控制微纳孔的尺寸特征、分布方式及孔底与纤芯界面的距离，并在微纳孔内填充被测物质进行折射率调制包层替换的新型微纳结构的光纤消逝场传感光纤是将待处理光纤段的包层除掉，填充替换介质层，控制其折射率，并在上面修饰微纳孔，在微纳孔内填充被测物质，调控被测物质的折射率。本发明采用保留传感光纤包层并在其上打微纳孔和用介质层替换包层并在其上打微纳孔的方法制作了新型微纳结构的光纤消逝场传感光纤，使高阶模式的消逝场能量最大化的参与反应，提高传感器灵敏度，利于光纤消逝场传感器小型化
  • 新型结构光纤消逝传感
  • [发明专利]一种消逝场激发薄膜拉曼信号的增强方法及装置-CN201210575352.0有效
  • 祁志美;胡德波;逯丹凤 - 中国科学院电子学研究所
  • 2012-12-26 - 2014-07-02 - G01N21/65
  • 本发明公开了一种消逝场激发薄膜拉曼信号的增强方法，所述方法将待测薄膜形成于棱镜表面，再将入射光射入棱镜并在棱镜/待测薄膜界面处发生全反射，利用全反射产生的消逝场激发待测薄膜的拉曼信号，然后增大待测薄膜上方覆盖层折射率，用于增强消逝场，最终实现待测薄膜拉曼信号的增强。该方法也可以利用光纤或光波导取代棱镜，通过增强光纤或光波导的消逝场实现待测薄膜拉曼信号的增强。本发明的拉曼信号增强方法操作简单，重复性好，具有良好的表面选择性，消逝场偏振状态灵活可调，覆盖层折射率易于控制，非常适合用于探测单分子吸附层，表面修饰层等固体超薄膜的拉曼信号。
  • 一种消逝激发薄膜信号增强方法装置
  • [发明专利]D形光纤消逝场化学传感器-CN200910066778.1无效
  • 吴一辉;庄须叶;王淑荣 - 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 2009-04-08 - 2009-09-02 - G01N21/31
  • 本发明提出一种用于医疗、环境监控、食品安全卫生等检测量的D形光纤消逝场化学传感器，由光源和依次连接的聚焦透镜组、第一裸光纤转换器、传感部分被置于样品池中的直通式D形消逝场传感光纤、第二裸光纤转换器、光电信号采集器组成，其D形消逝场传感光纤的传感部分为横截面呈半圆形的半圆柱体，其光纤芯的平面部分作为传感面。本发明的D形传感光纤激发的消逝场能量高、有效作用面积大，消逝场能量不需要穿过预留的光纤包层，可以直接与被测物质作用，大大提高了传感器的灵敏度；结构简单，使用操作方便，便于小型化和集成化。
  • 光纤消逝化学传感器
  • [发明专利]聚合物光波导消逝场传感结构-CN202210902061.1在审
  • 范国芳;胡燕君 - 北京交通大学
  • 2022-07-28 - 2022-11-04 - G01N21/64
  • 本发明公开了一种用于激发消逝场的聚合物光波导消逝场传感结构，由非球面柱状透镜和薄层平面波导结构组成。非球面柱状透镜位于结构的前端，用于将平行入射的激光折射耦合到波导结构，薄层平面波导位于结构的后端，用于产生消逝场并用做生物反应的载体。准直入射光通过前端的非球面耦合结构后，以一定的角度耦合到后端薄层波导内，光在薄层波导内传输时，会在波导上表面产生数百纳米量级的消逝场，从而实现对位于波导上表面的生物物质进行荧光激发，发射的荧光信号经过滤光后
  • 聚合物波导消逝传感结构
  • [发明专利]管理设备与微微网的连接的系统和方法-CN200410035357.X无效
  • 洪性偰 - 三星电子株式会社
  • 2004-04-22 - 2004-10-27 - H04L29/02
  • 所述系统包括：微微网－设备连接协调器，用于从第一设备接收表示将设备ID正常分配到第一设备的第二连接请求命令，将所述第一设备的连接消逝周期设置为初始值，并且将所述第一设备注册到和将所述连接消逝周期记录到连接设备列表，从而使所述第一设备对应于所述连接消逝周期；以及微微网－设备连接器，用于通过参考所述连接设备列表对第一设备的连接设备列表进行更新，当所述第一设备请求与所述第二设备进行通信时，从所更新的连接设备列表中提取在更新的连接设备列表上注册的第二设备的连接消逝周期，并且如果所提取的连接消逝周期短于连接超时周期，则执行所述第一与第二设备之间的通信。
  • 管理设备微微连接系统方法
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