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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510006845.2有效
发明人：中村亘;高井一章 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-01-28 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：在形成底部电极之后，在其上形成第一铁电膜。然后，使第一铁电膜结晶。随后，在第一铁电膜上形成第二铁电膜。接着，在第二铁电膜上形成顶部电极膜，并且使第二铁电膜结晶，使得能够在保持反向极化电荷在较高水平下的同时减少漏电流。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有改进的铁电电容特性的铁电存储器件-CN99105008.8无效
发明人：筱原壮太;加藤有光;天沼一志;竹内常雄;村尾幸信;林喜宏 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1999-04-08 - 公布日： 1999-10-20 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种铁电存储器件包括通过绝缘薄膜(9)在半导体衬底(1)上形成的铁电电容元件。该铁电电容元件包括下电极(3)、在下电极上形成的铁电薄膜(4),以及在铁电薄膜上形成的上电极(5)。上电极具有叠层结构,后者含有与所述铁电薄膜连接的第一金属的导电氧化物层。
具有改进电容特性存储器件

[发明专利]一种测量重金属螯合剂加入量对铁离子去除率影响的方法-CN201010542114.0无效
发明人：袁俊海 -专利权人：袁俊海
申请日： 2010-11-01 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量重金属螯合剂加入量对铁离子去除率影响的方法。该测量重金属螯合剂加入量对铁离子去除率影响的方法包括：制备重金属螯合剂待用；配制铁离子溶液；分别向铁离子溶液中加入不同量的重金属螯合剂溶液；搅拌后分别取出上层清液测定其吸光度；求出螯合的铁离子的量；通过铁离子的量得到对去除率的影响等步骤本发明能快速测出重金属螯合剂加入量对铁离子去除率的影响，且测量精度高，测量步骤简单，降低了测量成本，为重金属螯合剂的使用提供了数据基础。
一种测量重金属螯合剂加入离子去除影响方法

[发明专利]基于铁电材料的抗菌敷料及其制备方法和用途-CN202211206420.6在审
发明人：张学慧;邓旭亮;白云洋;卢妍惠;潘婷 -专利权人：北京大学口腔医学院
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： A61L15/24 文献下载
摘要：本发明公开基于铁电材料的抗菌敷料及其制备方法和用途。其中该铁电材料包括铁电高分子聚合物和/或无机铁电颗粒，且无机铁电颗粒占铁电高分子聚合物体积分数的0‑20%，且无机铁电颗粒的直径为50 nm‑500 nm。本发明进一步提供基于铁电材料的抗菌敷料的制备方法，其包括：由铁电高分子聚合物、铁电陶瓷颗粒和无机致孔剂制备复合材料；和使复合材料先后进行高温处理、电晕极化处理和酸液处理；或先后进行电晕极化处理、高温处理和酸液处理
基于材料抗菌敷料及其制备方法用途

[发明专利]存储器单元板之间的电荷共享-CN201780026023.1有效
发明人：埃里克·S·卡门 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：第一铁电存储器单元可被用以通过将电荷从第一铁电存储器单元的板转移到第二铁电存储器单元的板而给所述第二铁电存储器单元充电。在一些实例中，在电荷的所述转移之前，可选择所述第一铁电存储器单元用于第一操作，其中所述第一铁电存储器单元从充电状态转变到放电状态，且可选择所述第二铁电存储器单元用于第二操作，在此期间，所述第二铁电存储器单元从放电状态转变到充电状态所述第一铁电存储器单元的所述放电可被用以帮助给所述第二铁电存储器单元充电。
存储器单元之间电荷共享

[发明专利]半导体器件制造方法-CN201210428275.6有效
发明人：王文生 -专利权人：富士通半导体股份有限公司
申请日： 2012-10-31 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种半导体器件制造方法，包括：在半导体衬底上形成导电膜；在所述导电膜上形成第一铁电膜；在所述第一铁电膜上形成非晶态第二铁电膜；在所述第二铁电膜上形成含钌的过渡金属氧化物材料膜；在所述过渡金属氧化物材料膜上形成第一导电金属氧化物膜，而不将所述过渡金属氧化物材料膜暴露于空气；对所述第二铁电膜进行退火并使其结晶化；以及图案化所述第一导电金属氧化物膜、所述第一铁电膜、所述第二铁电膜以及所述导电膜以形成铁电电容器。本发明能够改善铁电电容器的反转电荷量以及压印特性，并且强化包括该铁电电容器的半导体器件的特性。
半导体器件制造方法

[发明专利]用于铁钻工扭矩的测量组件和铁钻工扭矩的测量装置-CN202110090129.6有效
发明人：许月刚;刘海涛;陈博;柴俊卿;唐加伟 -专利权人：四川宏华石油设备有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G01L3/10 文献下载
摘要：本发明属于石油行业自动化机具技术领域，具体涉及一种用于铁钻工扭矩的测量组件和铁钻工扭矩的测量装置。用于铁钻工扭矩的测量组件，包括扭转体，所述扭转体上设置有应变片，所述扭转体的两端分别设置有第一夹持部和第二夹持部，所述第一夹持部用于与铁钻工的主钳夹持相连，所述第二夹持部用于与铁钻工的背钳夹持相连。本测量组件摒弃了通过液缸的行程等参数来计算铁钻工扭矩的方式，而采用静态扭矩测量的方式，通过应变片来检测扭转体的扭转形变量，并由数据处理系统反馈出铁钻工的实际扭矩值，本测量组件的测量不会受管路长度的影响，不会存在较大的损耗，能够准确地测量出铁钻工在上卸扣中的扭矩值。
用于钻工扭矩测量组件装置

[实用新型]功率脉冲超声波振动振幅传感器-CN201120055095.9无效
发明人：褚兴全 -专利权人：上海兴全电力技术有限公司
申请日： 2011-03-04 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： G01H11/04 文献下载
摘要：一种功率脉冲超声波振动振幅传感器，包括测量头、铁磁体、感应线圈预紧力弹簧、测量弹簧、预紧壳及预紧帽。铁磁体、感应线圈、预紧力弹簧、设置在预紧壳内，预紧壳、测量弹簧和测量头部分设置在壳体内。铁磁体外部设置感应线圈。铁磁体和预紧力弹簧、测量弹簧及测量头紧密接触，铁磁体在测量头的作用下在壳体内能自由滑动，其中铁磁体采用超磁致伸缩材料。当测量头另一端接触被测物体时在感应线圈里产生电信号，通过信号线连接到示波器上，就可以直接读出被测物体在脉冲振动时的振幅、周期和频率。
功率脉冲超声波振动振幅传感器

[发明专利]集成电路装置及其形成方法-CN202310311611.7在审
发明人：李雅玲;邱维刚;黄彦杰;蔡瀚霆;林灿;林佑明;林仲德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：一种集成电路装置，包含以不含氯的前驱物所形成的铁电层。根据本公开，铁电层可形成为不含氯。邻近铁电层的结构亦以不含氯的前驱物来形成。邻近的结构中不含氯防止了氯扩散至铁电层之中，以及防止了在与铁电层的界面形成氯复合物。铁电层可用于存储装置中，诸如铁电场效晶体管。铁电层不含氯改善了依时性介电崩溃速率和偏压温度不稳定。
集成电路装置及其形成方法

[发明专利]一种复合叠层的铁电-有机杂化太阳能电池及其制备方法-CN201811017404.6在审
发明人：邓晓千;冯祖勇;黄细平;何苗;周惠媛;熊德平 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-09-01 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池制造领域，特别涉及一种复合叠层的铁电‑有机杂化太阳能电池及其制备方法，包括从下至上的衬底玻璃、第一铁电层、铁电‑有机复合层、第二铁电层和电极，所述铁电‑有机复合层为铁电层和活性层的复合层，铁电‑有机复合层由铁电无机纳米材料BTO和活性层有机聚合物材料P3HT:PCBM形成的（P3HT:PCBM）：BTO溶胶层构成。本发明引入铁电钛酸钡（BTO）纳米颗粒，利用其自发极化产生的内建电场，抑制电子空穴的复合，降低暗电流的产生，从而达到提高电池效率的目的。在实现制备无机纳米铁酸铋铁电材料的基础上，制作聚合物／无机纳米钛酸钡复合的光伏器件。
铁电有机复合层太阳能电池铁电层钛酸钡制备电子空穴复合叠层内建电场无机纳米有机杂化活性层有机聚合物材料无机纳米材料复合并联电阻衬底玻璃电池效率光伏器件纳米颗粒填充因子铁电材料自发极化聚合物暗电流复合层溶胶层铁酸铋电极电池升高引入制作制造

[其他]便携式智能测温仪-CN86201219无效
发明人：刘自盛;赵翰章 -专利权人：湖南省机械研究所
申请日： 1986-03-04 - 公布日： 1986-10-29 - 主分类号： G01K7/02 文献下载
摘要：便携式智能测温仪属于温度测量仪表，它针对目前同类产品配用电偶单一、测量误差偏大、功能不够齐全等不足，采用微机技术实现能配用四种不同电偶对温度进行高精度测量，具有自动调零、补偿、诊断、峰值保持、断偶指示、掉电指示、连续或瞬时测量等功能。可广泛用于冶金、机械、科研等部门中对钢、铁、铜、铝等金属液出炉或浇铸温度的测量。
便携式智能测温

[发明专利]具有认证和物理不可克隆功能的基于MLU的磁性装置以及使用所述MLU装置的认证方法-CN201980020461.6在审
发明人： Q·斯坦纳;M·穆谢尔;Y·孔罗 -专利权人：克罗科斯科技公司
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本公开涉及基于MLU的磁性装置（100），其包括：多个基于MLU的磁性单元（10），每个MLU单元（10）包括具有第一磁化（210）的第一铁磁层（21）、具有第二磁化（230）的第二铁磁层（23）、以及在第一和第二铁磁层其被配置用于生成输入信号（44），输入信号（44）适于改变第一磁化（210）相对于第二磁化（230）的取向、并使MLU装置（100）的电阻（R）变化；位线（3），其被配置用于传递感测信号（31），感测信号（31）适于测量所述电阻（R）；以及处理部件（51），其被配置用于根据感测信号（31）计算电变化，并且输出电变化签名（50）。
具有认证物理不可克隆功能基于 mlu 磁性装置以及使用方法

[发明专利]显示面板中制备铁电元件的方法、显示面板及制造方法-CN201910670275.9在审
发明人：施文杰 -专利权人：陕西坤同半导体科技有限公司
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明是关于一种在显示面板中制备铁电元件的方法。该方法包括：在衬底基板表面至少部分区域形成铁电材料层，对所述衬底基板表面的所述至少部分区域进行激光退火工艺处理，以使所述铁电材料层结晶成相而形成一铁电元件。本发明还涉及一种显示面板及其制造方法。本发明通过对衬底基板上的铁电材料以激光退火工艺处理，使铁电材料结晶成相形成铁电元件，该方法不但使铁电元件稳固牢靠的形成在显示面板中，而且还丰富了显示面板更多的功能和价值。
显示面板制备元件方法制造

[发明专利]非易失性铁电电容及显示驱动电路-CN202111388892.3在审
发明人：廖佳佳;刘志远;廖敏;曾斌建;周益春 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本公开提供一种非易失性铁电电容及显示驱动电路，其中非易失性铁电电容包括：衬底表面上形成有铁电电容，衬底表面上分别形成有第一沟道层和第二沟道层；铁电电容包括依次层叠设置的底电极、铁电薄膜和顶电极，第一沟道层与底电极相接触；铁电电容、第一沟道层和第二沟道层的表面形成有介电材料；介电材料的表面形成有第一栅电极和第二栅电极，得到铁电电容结构。将非易失性铁电电容集成到显示驱动电路中，得到一种新型非易失性、低功耗、高显示质量的显示驱动技术。
非易失性铁电电容显示驱动电路

[发明专利]三维铁电随机存储器的制备方法及三维铁电随机存储器-CN202010361578.5在审
发明人：廖敏;郇延伟;戴思维;刘兆通;曾斌建;周益春 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L27/11514 文献下载
摘要：三维铁电随机存储器的制备方法及三维铁电随机存储器，包括：基于CMOS工艺制备晶体管的同时，将三维铁电电容的每个铁电存储单元依次垂直集成于晶体管上，得到三维铁电随机存储器。其中，三维铁电电容的铁电存储单元依次包括垂直沉积的层间介质(7)、电容底电极(9)、铁电薄膜(10)和电容顶电极(11)。将铁电电容集成到互补金属氧化物半导体中(CMOS)中，电容结构由平面转变为三维来增大电容面积，以实现更高的存储密度，并且在不减少存储电荷的前提下进一步缩小存储单元尺寸。
三维随机存储器制备方法