专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种寒区化冻期土壤内源污染释放汇流过程监测方法-CN201510319033.7有效
  • 李立;王康 - 武汉大学
  • 2015-06-11 - 2017-03-01 - G01N33/24
  • 本发明公开了一种寒区化冻期土壤内源污染释放汇流过程监测方法(1)利用流域30m精度的数字高程地图,进行均衡区划分,根据土地利用情况,进行下垫面类型识别;(2)分析化冻期区域尺度上的水文特性和污染析出规律,确定区域尺度的土壤污染释放源强;(3)根据质量平衡法分析各均衡区化冻期水量及污染的均衡过程;(4)根据数字高程地图获取、调整均衡区,并回转执行步骤(1),直至所需均衡区的水量和污染质量均衡分析均执行完毕;(5)寒区化冻期水资源污染释放源强数据的计算、显示、数据输出及预警。
  • 一种化冻土壤内源污染释放汇流过程监测方法
  • [发明专利]一种建材污染原位检测装置-CN202010648294.4在审
  • 赵鹏;刘锦华;张艳妮;刘凝;张晶晶;宁占武 - 北京市劳动保护科学研究所
  • 2020-07-07 - 2020-10-02 - G01N33/00
  • 本发明涉及建筑污染治理技术领域,提供了一种建材污染原位检测装置,包括:污染收集舱,设有进气口和出气口,污染收集舱用于与被检测建材之间限定出密闭容腔;加热件,加热件设于污染收集舱内,用于加热被检测建材该建材污染原位检测装置,通过加热被检测建材样本,使其快速释放污染,并利用污染收集舱原位收集被检测建材散发的污染,再利用现场污染检测仪快速检测污染成分及其浓度,或通过采样管采集污染并对其进行检测分析,进而快速、准确地锁定室内空气的污染源,简化了污染源检测的步骤,提高了污染源检测的效率,且不损坏建材样本。
  • 一种建材污染物原位检测装置
  • [发明专利]一种呼吸器-CN202011275201.4在审
  • 王堃 - 珠海格力电器股份有限公司
  • 2020-11-13 - 2021-01-26 - A62B18/02
  • 本发明提供了一种呼吸器,包括:呼吸面罩本体及设置于所述呼吸面罩本体内部的颗粒发生器及控制器,其中,所述颗粒发生器内部存储有无害颗粒;所述控制器接收目标污染区域的污染浓度信号,并根据所述污染浓度信号生成控制信号,将所述控制信号发送至所述颗粒发生器;所述颗粒发生器根据所述控制信号释放无害颗粒,以使所述呼吸面罩本体内部的无害颗粒浓度与所述目标污染区域的污染浓度相同。通过利用控制器根据目标污染区域的污染浓度信号生成对应的控制信号控制颗粒发生器释放无害颗粒来模拟目标污染区域的污染浓度,使得用户通过吸入无害颗粒的方式来真实感受到目标污染区域的污染情况,增强用户体验感
  • 一种呼吸器
  • [实用新型]一种呼吸器-CN202022638464.9有效
  • 王堃 - 珠海格力电器股份有限公司
  • 2020-11-13 - 2021-08-20 - A62B18/02
  • 本实用新型提供了一种呼吸器,包括:呼吸面罩本体及设置于所述呼吸面罩本体内部的颗粒发生器及控制器,其中,所述颗粒发生器内部存储有无害颗粒;所述控制器接收目标污染区域的污染浓度信号,并根据所述污染浓度信号生成控制信号,将所述控制信号发送至所述颗粒发生器;所述颗粒发生器根据所述控制信号释放无害颗粒,以使所述呼吸面罩本体内部的无害颗粒浓度与所述目标污染区域的污染浓度相同。通过利用控制器根据目标污染区域的污染浓度信号生成对应的控制信号控制颗粒发生器释放无害颗粒来模拟目标污染区域的污染浓度,使得用户通过吸入无害颗粒的方式来真实感受到目标污染区域的污染情况,增强用户体验感
  • 一种呼吸器
  • [发明专利]半导体结构及半导体装置的制造方法-CN201010551927.6有效
  • 卢祯发;刘重希;余振华;陈威宇;陈正庭 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2010-11-16 - 2011-12-21 - H01L23/29
  • 本发明提供具有聚合层的半导体装置及其制造方法。用于聚合表面的两步骤等离子体处理包含一第一等离子体工艺用以使聚合层表面粗糙化并释放出使结构松散一产生的松散结构污染,及一第二等离子体工艺用以使聚合层光滑或较不粗糙。可在第一等离子体工艺及第二等离子体工艺之间使用一蚀刻工艺以移除由第一等离子体工艺所释放污染。在一实施例中,聚合层的由原子力显微镜及表面积差异比率系数所量测得到的粗糙度介于约1%及约8%,且/或该聚合层的钛表面污染小于1%、氟表面污染小于约1%、锡表面污染小于约1.5%、及铅表面污染小于约本发明可避免及/或减少来自例如胶带工艺的污染
  • 半导体结构装置制造方法

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