专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]减少碳包裹的碳化硅单晶的制备方法-CN202111264650.3有效
  • 翟虎 - 江苏吉星新材料有限公司;东旭科技集团有限公司
  • 2021-10-28 - 2023-09-19 - C30B29/36
  • 本发明涉及晶体制备技术领域,公开了一种减少碳包裹的碳化硅单晶的制备方法,所述方法至少包括装料和长晶的步骤,装料步骤包括:向长晶容器中加入碳化硅粉末氧化物,氧化物为二氧化和/或二氧化铈;其中使得碳化硅粉末氧化物在长晶容器中形成包裹反应结构、层叠反应结构或复合反应结构;包裹反应结构包括二氧化层和包裹在二氧化层外部的碳化硅粉末层;层叠反应结构包括碳化硅粉末层和二氧化铈层,二氧化铈层和碳化硅粉末层之间具有隔离物而不直接接触;复合反应结构包括二氧化层、包裹在二氧化层外部的碳化硅粉末层和二氧化铈层,二氧化铈层和碳化硅粉末层之间具有隔离物而不直接接触。该方法能够有效降低碳化硅晶体的石墨化程度。
  • 减少包裹碳化硅制备方法
  • [发明专利]涂敷抗菌剂的二氧化粉末的制法及包含该粉末的局部皮肤用组合物-CN200980162751.0有效
  • 都研京;金允贞;孙智贤;李炫尚;千钟宇 - (株)ACT
  • 2009-12-11 - 2012-08-15 - A61K8/25
  • 本发明涉及涂覆了抗菌剂的二氧化粉末的制备方法及包含二氧化粉末的局部皮肤用组合物,更具体涉及涂敷抗菌剂的二氧化粉末的制备,其包括在有催化时使烷氧基硅在醇溶剂中反应形成二氧化粉末,然后其上形成银和金属涂层,还涉及包含二氧化粉末的局部皮肤用组合物的制备。涂敷抗菌剂的二氧化粉末具有较好的抗菌能力,因此包含二氧化粉末的局部皮肤用产品维持较长时间而无需使用刺激皮肤及引起人体过敏的化学防腐剂。即使用了少量昂贵的银离子物质,二氧化粉末便具有良好的抗菌能力和稳定性。此外,因二氧化粉末表现出明亮颜色,当其用于化妆品时颜色可自由显现,因此二氧化粉末应用于亮色及暗色化妆品而无限制。
  • 抗菌剂二氧化硅粉末制法包含局部皮肤组合
  • [发明专利]氧化玻璃坩埚的制造方法,氧化玻璃坩埚-CN201110404846.8有效
  • 须藤俊明;吉冈拓磨;铃木光一;山崎真介 - 日本超精石英株式会社
  • 2011-12-01 - 2012-07-04 - C03B19/09
  • 本发明提供一种利用废玻璃制造具有透明层的氧化玻璃坩埚的方法。根据本发明,一种氧化玻璃坩埚的制造方法,用于制造单晶或多晶硅锭,所述坩埚具备玻璃化工序,其中,对具有坩埚形状的氧化粉末烧结体,从坩埚内面侧对所述氧化粉末烧结体进行电弧熔化而使对所述氧化粉末烧结体的厚度方向上的全部或局部进行玻璃化,并且具备:(1)进行所述电弧熔化时从外面侧对所述氧化粉末烧结体进行减压,(2)进行所述电弧熔化时在所述氧化粉末烧结体的内面散布氧化粉而在内面侧形成合成氧化玻璃层,之中的至少一种工序。
  • 氧化玻璃坩埚制造方法
  • [发明专利]一种氮化硅粉末造粒方法-CN202310146028.5在审
  • 张志平 - 华瓷聚力(厦门)新材料有限公司
  • 2023-02-21 - 2023-06-06 - C04B35/626
  • 本发明涉及氮化硅粉末加工技术领域,具体提供了一种氮化硅粉末造粒方法,包括:步骤1:将氮化硅粉末在一定氧势气氛下氧化,得到氧化后的氮化硅粉末;步骤2:将步骤1得到的氧化后的氮化硅粉末与烧结助剂粉末混合,并加入有机溶剂、粘结剂、分散剂,搅拌均匀后得到料浆;步骤3:将步骤2得到的料浆喷入干燥室,料浆干燥后得到造粒粉末。本发明将氮化硅粉末在一定氧势气氛下微氧化,接枝羟基等官能团,改善其分散性;微氧化配合分散剂可大幅改善氮化硅粉末的团聚现象,提高与烧结助剂混合的均匀性;喷雾干燥造粒简单可靠。
  • 一种氮化粉末方法
  • [发明专利]基于微波的硅的制造方法和微波还原炉-CN201310287920.1有效
  • 永田和宏;金泽幸 - 永田和宏;清水电设工业株式会社
  • 2013-07-10 - 2014-01-29 - C01B33/025
  • 本发明的课题在于提供可将二氧化快速地还原、可快速地制造硅的基于微波的硅的制造方法和微波还原炉。在耐火物制容器内部,装入由二氧化粉末和石墨粉末的混合物或由二氧化粉末和碳化硅粉末以及石墨粉末的混合物构成的原料。接着,对该容器内的装入物照射微波。如果这样,则石墨的粉末吸收微波能量而温度上升,然后,二氧化和石墨反应,生成碳化硅,并且其温度进一步上升,该升温后的二氧化和碳化硅反应。使通过该反应而生成的SiO和碳化硅反应,由此,生成高纯度硅。
  • 基于微波制造方法还原
  • [发明专利]制备球形二氧化粉末的方法及装置-CN202010069850.2在审
  • 洪涛;郭敏;吕小刚 - 新疆三锐佰德新材料有限公司
  • 2020-01-21 - 2020-05-08 - C01B33/18
  • 本发明涉及球形二氧化粉末技术领域,是一种制备球形二氧化粉末的方法及装置,本发明生产工艺流程短,设备简单,节能,生产成本低,不涉及环保问题,本发明首次采用单质硅粉和氧气或空气直接燃烧的方法制备得到球形二氧化粉末,该球形二氧化粉末形貌优良,呈球形,球形度为100%,颗粒尺寸可达到亚微米、纳米,产品纯度高,分散性好,能有效解决目前国内市场上无法生产亚微米、纳米颗粒尺寸,球形度高,纯度高的球形二氧化粉末的问题,实现亚微米、纳米球形二氧化粉末的国产化。
  • 制备球形二氧化硅粉末方法装置
  • [发明专利]复合粉末材料、复合粉末材料糊、激光打印机用的打印头和热敏打印头-CN202010466563.5在审
  • 川浪壮平 - AGC株式会社
  • 2020-05-28 - 2020-12-01 - C04B41/89
  • 本发明涉及复合粉末材料、复合粉末材料糊、激光打印机用的打印头和热敏打印头。本发明提供在830℃以下烧结充分进行、对环境的负荷少且即便含有碳化硅粉末在煅烧时也没有明显的发泡、能够形成具有良好的耐磨损性、热导率的被覆层的复合粉末材料。该复合粉末材料含有玻璃粉末、碳化硅粉末氧化粉末,上述玻璃粉末氧化物基准的摩尔%表示,含有31~42%的SiO2、16~26%的B2、2~10%的ZnO、20~30%的CaO、1~10%的BaO、1~10%的SrO、1~10%的Al2O3,碳化硅粉末的含量与碳化硅粉末氧化粉末的合计含量的体积比(碳化硅粉末/(氧化粉末+碳化硅粉末))为1~65%。
  • 复合粉末材料激光打印机打印头热敏
  • [发明专利]氧化玻璃坩埚的制造方法-CN201110445484.7有效
  • 须藤俊明;铃木江梨子 - 日本超精石英株式会社
  • 2011-12-27 - 2012-07-04 - C03B20/00
  • 本发明提供一种控制氧化玻璃坩埚制造时的熔化状态,来防止单晶硅制造时坩埚内表面发生褐色环,并能够抑制熔液面振动的氧化玻璃坩埚的制造方法。本发明的氧化玻璃坩埚制造方法,向坩埚形成用的模具内供给原料氧化粉末形成氧化粉层,再利用电弧放电加热熔化该氧化粉层来制造氧化玻璃坩埚的方法,其包含:通过向上述模具内部供给原料氧化粉末来形成氧化粉层的氧化粉末供给工序,以及通过利用多个碳电极进行的电弧放电来熔化氧化粉层的电弧熔化工序,在所述电弧熔化工序中,测量上述氧化粉层的温度,并以在上述电弧熔化工序中初期出现的最初的温度最高点Tp作为基准温度,根据上述基准温度来控制氧化玻璃熔化状态
  • 氧化玻璃坩埚制造方法
  • [发明专利]氧化玻璃坩埚的制造方法-CN201110444720.3有效
  • 须藤俊明;铃木江梨子 - 日本超精石英株式会社
  • 2011-12-27 - 2012-07-04 - C03B20/00
  • 提供一种氧化玻璃坩埚的制造方法,该方法通过控制制造氧化玻璃坩埚时的熔化状态,防止单晶硅制造时坩埚内表面发生褐色环,并抑制熔液面振动。本发明的氧化玻璃坩埚制造方法,是将原料氧化粉末成形于坩埚成形用模具内,用电弧放电加热熔化该氧化粉层来制造氧化玻璃坩埚的方法,包含向坩埚成形用模具内部供给氧化粉末来形成氧化粉层的氧化粉末供给工序,以用多个碳电极的电弧放电熔化氧化粉层的电弧熔化工序,其中,在上述电弧熔化工序中,边旋转上述模具边测量位于设定在氧化粉层内表面不同高度的多个测量点的温度,控制上述电弧放电来检测出现于各测量点熔化初期的最初的温度最高点
  • 氧化玻璃坩埚制造方法
  • [发明专利]球状二氧化粉末-CN202080023678.5在审
  • 冈部拓人;深泽元晴 - 电化株式会社
  • 2020-01-30 - 2021-11-05 - C01B33/12
  • 本发明提供一种介电损耗角正切低的球状二氧化粉末。更详细而言,本发明提供一种球状二氧化粉末,其配合于树脂而成型为片状后,由通过空腔谐振器法在频率35~40GHz的条件下测定的该片材的介电损耗角正切计算的球状二氧化粉末的介电损耗角正切中,将介电损耗角正切降低处理前的球状二氧化粉末的介电损耗角正切设为A,将介电损耗角正切降低处理后的球状二氧化粉末的介电损耗角正切设为B时,B/A为0.70以下,介电损耗角正切降低处理后的球状二氧化粉末的比表面积为1~30m2
  • 球状二氧化硅粉末

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