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[发明专利]一种谐振器天线-CN201610510321.5在审
发明人：杨浩昕;张涛;金顶寿;俆匀匀;闵畅;廖震;马江;杨全涛;赵卓;赵进 -专利权人：杨浩昕;张涛;金顶寿;俆匀匀;闵畅;廖震;马江;杨全涛;赵卓;赵进
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01Q1/50 文献下载
摘要：一种谐振器天线，其具有：介质基板、介质谐振器以及在所述介质谐振器的馈电结构，所述介质谐振器为长方体介质谐振器，介质基板包括第一介质块以及第二介质块，第一介质块与所述第二介质块均呈长方体状，所述第二介质块形成于该第一介质块的正面上所述介质基板具有摩尔百分比60％～66％的二氧化钛、8％～15％的三氧化二铝、5％～10％的三氧化二硼、3～10％的氧化镁、4％～9％的氧化钙、0.5～5％的氧化锶、2～8％的氧化钡、2～8.5％的氧化钠、3～8％的氧化钾、2～6％的氧化锂、0～5％的氧化钛和0～5％的氧化锆，其中氧化镁、氧化钙、氧化锶和氧化钡的含量的合计为10％～20％；氧化钠、氧化锂和氧化钾的含量的合计为1％～10％。
一种谐振器天线

[发明专利]一种可调节的集成型气化用开工烧嘴-CN201610485996.9在审
发明人：苏毅;揭涛;赵子通;刘思远;周威;张世程;朱国庆 -专利权人：上海齐耀热能工程有限公司;中国船舶重工集团公司第七一一研究所
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： C10J3/50 文献下载
摘要：本申请公开了一种可调节的集成型气化用开工烧嘴，包括：高能点火器及设置在高能点火器外围的喷头；喷头包括点火氧化介质喷头、开工燃料喷头及开工氧化介质喷头；高能点火器的外围依次设有第一介质管道、第二介质管道和第三介质管道；第一介质管道端部连接点火氧化介质喷头，第二介质管道端部连接开工燃料喷头，第三介质管道端部连接开工氧化介质喷头；高能点火器与点火氧化介质喷头之间设有点火燃料通道；点火氧化介质喷头与开工燃料喷头之间设有点火氧化介质通道；开工燃料喷头与开工氧化介质喷头之间设有开工燃料通道；开工氧化介质喷头的外围设有开工氧化介质通道。
一种调节集成化用开工

[实用新型]一种可调节的集成型气化用开工烧嘴-CN201620655761.5有效
发明人：苏毅;揭涛;赵子通;刘思远;周威;张世程;朱国庆 -专利权人：上海齐耀热能工程有限公司;中国船舶重工集团公司第七一一研究所
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： C10J3/50 文献下载
摘要：本申请公开了一种可调节的集成型气化用开工烧嘴，包括：高能点火器及设置在高能点火器外围的喷头；喷头包括点火氧化介质喷头、开工燃料喷头及开工氧化介质喷头；高能点火器的外围依次设有第一介质管道、第二介质管道和第三介质管道；第一介质管道端部连接点火氧化介质喷头，第二介质管道端部连接开工燃料喷头，第三介质管道端部连接开工氧化介质喷头；高能点火器与点火氧化介质喷头之间设有点火燃料通道；点火氧化介质喷头与开工燃料喷头之间设有点火氧化介质通道；开工燃料喷头与开工氧化介质喷头之间设有开工燃料通道；开工氧化介质喷头的外围设有开工氧化介质通道。
一种调节集成化用开工

[发明专利]氮氧化硅栅介质层的测量方法及半导体器件的制造方法-CN202210214057.6有效
发明人：王胜林;张志敏 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种氮氧化硅栅介质层的测量方法及半导体器件的制造方法，所述氮氧化硅栅介质层的测量方法包括：提供一衬底，衬底上形成有氮氧化硅栅介质层；获取氮氧化硅栅介质层的氮含量，并基于氮含量与氮氧化硅栅介质层厚度的补偿关系，得到有氮氧化硅栅介质层在氮含量下的补偿系数；利用氮氧化硅栅介质层的第一厚度及补偿系数及，获取氮氧化硅栅介质层的第二厚度，并以第二厚度作为氮氧化硅栅介质层的实际厚度。本发明中，通过氮含量与氮氧化硅栅介质层厚度的补偿关系，利用氮氧化硅栅介质层的氮含量获取其补偿系数，并结合其利用椭偏仪获得第一厚度，从而准确且及时获得氮氧化硅栅介质层的实际厚度。
氧化介质测量方法半导体器件制造方法

[发明专利]用于电化学生成氧气和/或氢气的装置及方法-CN201280066403.5有效
发明人：勒罗伊·克罗宁;马克·赛姆斯 -专利权人：格拉斯哥大学行政评议会
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： C25B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种产生氢气和氧气的方法，包括步骤：(ⅰ)在工作电极处氧化介质以产生氧化的介质，和在对电极处还原质子以产生氢气；(ii)在工作电极处还原被氧化的介质以产生介质，和在对电极氧化水以产生氧气，其中，氧气生成步骤与氢气生成步骤非同时进行，且步骤(i)的所述氧化的介质被用作为步骤(ii)的所述氧化的介质，或步骤(ii)的所述介质被用作步骤(i)的所述介质，并且所述介质在位于析氧反应(OER)开始与析氢反应(HER)开始之间具有可逆的氧化还原波动。
用于电化学生成氧气氢气装置方法

[发明专利]一种用于SOI工艺的介质隔离结构及其方法-CN201610833270.X有效
发明人：李燕妃;朱少立;吴建伟;洪根深 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于SOI工艺的介质隔离结构及其方法，该隔离结构包括P型衬底、埋氧化层、SOI材料顶层硅、全介质隔离槽、部分介质隔离槽、线性氧化层和氧化层或氧化绝缘层，全介质隔离槽和部分介质隔离槽位于SOI材料顶层硅内且在埋氧化层的上方；线性氧化层位于全介质隔离槽和部分介质隔离槽的内表面；氧化层或氧化绝缘层被线性氧化层包围，且位于全介质隔离槽和部分介质隔离槽的内部，线性氧化层位于隔离槽和SOI材料顶层硅之间本发明不仅提高集成电路的抗辐射能力，同时简化大线宽工艺条件下厚硅膜SOI全介质隔离工艺的复杂度和难度，突破一次性形成场区和全介质隔离区，并保证硅表面形貌平坦。
一种用于 soi 工艺介质隔离结构及其方法

[发明专利]阻挡介质层的刻蚀方法-CN201610250432.7有效
发明人：昂开渠;曾林华;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-04-21 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种阻挡介质层的刻蚀方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有金属层、阻挡介质层、氧化介质层和光刻胶层，所述光刻胶层内形成有光刻胶开口；对所述光刻胶开口的形貌进行调整，形成具有倾斜角度的光刻胶开口；沿所述具有倾斜角度的光刻胶开口对下方的氧化介质层进行刻蚀工艺，在氧化介质层内形成氧化介质层开口；去除氧化介质层上方残留的光刻胶层；以所述氧化介质层为掩膜，沿所述氧化介质层开口对阻挡介质层进行刻蚀工艺，在阻挡介质层内形成阻挡介质层开口，露出下方的金属层，所述阻挡介质层开口具有倾斜角度。本发明的阻挡介质层的刻蚀方法，使得阻挡介质层的倾斜角度的调整范围增大。
阻挡介质刻蚀方法

[发明专利]分离栅结构的半导体器件及其制造方法-CN202110340660.4在审
发明人：方冬;肖魁 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种分离栅结构的半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取形成有沟槽的基底；在所述内表面形成槽壁氧化隔离介质，然后向所述沟槽内填充分离栅材料，形成分离栅；在所述分离栅上形成第一氧化隔离介质；在所述第一氧化隔离介质上形成硅氮化物隔离介质；在所述沟槽内的分离栅上方未形成硅氮化物隔离介质的位置填充第二氧化隔离介质；在所述第二氧化隔离介质上形成控制栅。本发明的分离栅和控制栅之间的隔离结构为第一氧化隔离介质+硅氮化物隔离介质+第二氧化隔离介质的多介质结构，相对于采用单一的氧化层介质的方案，栅源耐压更高。
分离结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种耐压修饰型钽电容器介质氧化膜材料的制备方法-CN201810651228.5在审
发明人：裘友玖;韩桂林;朱华 -专利权人：佛山陵朝新材料有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01G9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种耐压修饰型钽电容器介质氧化膜材料的制备方法，属于介质氧化膜技术领域。本发明采用木质素改性制备聚电解质材料后，经自组装包覆至钽片表面，通过自组装形成的聚合物膜能够稳定地组装于氧化钽介质膜上，对介质膜进行表面修饰，由柔性聚合物组成的超薄膜不仅可以稳定地吸附于钽电容介质膜表面，有效降低介质氧化膜表面粗糙度，有效改善氧化钽电容发生短路的缺陷，使其具有优异的稳定性能；本发明通过自组装超薄膜修饰氧化钽介质膜，可以有效地隔离介质膜中的导电通道，改善氧化膜的承受电压能力，减小漏电流，通过静电自组装膜对介质氧化膜进行表面修饰后，隔离了介质氧化膜中的导电通道，从而有效改善材料的耐压性能。
介质氧化膜介质膜氧化钽自组装表面修饰导电通道钽电容器超薄膜修饰型耐压制备制备聚电解质表面粗糙度隔离介质膜介质膜表面静电自组装木质素改性柔性聚合物电压能力改善材料聚合物膜耐压性能稳定性能电容短路漏电流氧化膜有效地钽电容包覆减小吸附钽片修饰组装隔离

[发明专利]微波介质陶瓷材料、介质陶瓷块和微波通信设备-CN201910217567.7在审
发明人：袁亮亮;陆正武;陈薛爱 -专利权人：深圳市大富科技股份有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： C04B35/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种微波介质陶瓷材料、介质陶瓷块和微波通信设备。该微波介质陶瓷材料包括氧化镁、氧化钙、二氧化钛和氧化锌。本申请提供的微波介质陶瓷材料主要由氧化镁、氧化钙、二氧化钛和氧化锌组成，其具有低介电常数、低损耗和近零的温度系数。因此，通过实施本申请提供的微波介质陶瓷材料具有改善的微波介电性能。
微波介质陶瓷材料陶瓷通信设备

[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法-CN202211547796.3在审
发明人：范洵;付少剑;郁寅珑;张明明 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请涉及光伏领域，公开了一种太阳能电池及其制作方法，包括获得太阳能电池的预制结构体，预制结构体包括硅片、位于硅片正面的第一掺杂层和第一氧化介质层；在硅片背面形成掺杂多晶硅；对背面进行掺杂形成第二掺杂层，并在背面、侧面和正面形成第二氧化介质层，以及在正面形成掺杂氧化介质层；去除位于侧面和正面的第二氧化介质层，并保留位于正面的掺杂氧化介质层；去除位于侧面和正面绕度的掺杂多晶硅，并保留位于正面的掺杂氧化介质层和位于背面的第二氧化介质层；去除位于正面的第一氧化介质层和掺杂氧化介质层，以及位于背面的第二氧化介质层；在正面和背面形成钝化层和电极。
一种太阳能电池及其制作方法

[发明专利]过氧化氢异丙苯的制造设备和制造方法-CN202280017500.9在审
发明人：桥爪悟;乾祐希 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C07C407/00 文献下载
摘要：一种制造设备，所述制造设备通过将异丙苯氧化而制造过氧化氢异丙苯，其中，所述设备具有以下装置：A：通过将异丙苯氧化而得到过氧化氢异丙苯的装置；和X：热交换系统，热交换系统X具有：能够加热所述氧化的反应体系并且能够冷却所述氧化的反应体系的介质、能够冷却所述介质的介质冷却部和能够加热所述介质的介质加热部。
过氧化氢异丙苯制造设备方法

[发明专利]用DPN氮氧化硅作为SONOS 存储介质层的方法-CN201110349894.1有效
发明人：黄奕仙;杨斌;郭明升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-08 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：一种用DPN氮氧化硅作为SONOS存储介质层的方法，包括隧穿氧化层、存储介质层和阻挡氧化层，存储介质层由氮氧化硅构成，所述存储介质层在靠近阻挡氧化层的氮氧化硅中含有较多的氮，而在靠近隧穿氧化层的氮氧化硅中含有较多的氧制备方法，包括在隧穿氧化层上生长本体氧化层；将氮离子注入到本体氧化层中，并使得靠近隧穿氧化层的一侧中含有较多的氧，另一侧中含有较多的氮，形成存储介质层。本发明利用氮氧分布不均匀的氮氧化硅作为存储介质层，其结构简单，具有较高的擦写速度和电荷保持性，并且其制备工艺对常规的制造工艺过程改动较少，只涉及其中的ONO结构，容易实现而不需花费较大成本。
dpn 氧化作为 sonos 存储介质方法

[发明专利]台阶栅氧化层的制备方法和台阶栅氧化层-CN202010248415.6在审
发明人：来豪杰;陈瑜;陈华伦 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请公开了一种台阶栅氧化层的制备方法和台阶栅氧化层，方法包括：在衬底上形成氧化层；在氧化层上形成至少两层介质层，对于至少两层介质层中的任一相邻的两层介质层，上一层介质层的被刻蚀速率大于下一层介质层的被刻蚀速率；在至少两层介质层最上层的介质层上形成硬掩模层；对目标区域的硬掩模层进行去除；通过湿法刻蚀工艺对至少两层介质层进行去除；去除剩余的硬掩模层。本申请通过在衬底上形成氧化层后，在氧化层上方依次形成至少两层介质层，通过湿法刻蚀工艺对至少两层介质层进行去除，从而形成台阶栅氧化层，由于至少两层介质层中任一相邻的两层介质层中上一层介质层的被刻蚀速率大于下一层介质层的被刻蚀速率
台阶氧化制备方法

[发明专利]镀膜玻璃及制备方法-CN202110487431.5在审
发明人：曾小绵;白振中 -专利权人：长兴旗滨节能玻璃有限公司;广东旗滨节能玻璃有限公司;天津旗滨节能玻璃有限公司;湖南旗滨节能玻璃有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开一种镀膜玻璃及制备方法，其中，所述镀膜玻璃包括基层和膜层，所述膜层包括自所述基层的表面向外依次层叠而成的五个电介质层，其中，五个所述电介质层依次包括：第一电介质层为氧化钛层、氧化铌层、硅钛氧化物层、氮化硅铝层、氧化铌锆层、氧化铌钛层或氮化硅锆铝层中的一个或多个；第二电介质层为氧化硼硅层或氧化硅铝层；第三电介质层为氧化钛层、氧化铌层、硅钛氧化物层、氮化硅铝层、氧化铌锆层、氧化铌钛层或氮化硅锆铝层中的一个或多个；第四电介质层为氧化硼硅层或氧化硅铝层；以及第五电介质层为氮化硅铝层、氧化锆层、氧化锡层或氮化硅锆铝层中的一个或多个。
镀膜玻璃制备方法

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