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- [发明专利]显影废液的处理方法-CN200580047345.1无效
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山下喜文;大城户始;野仲彻
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株式会社德山
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2005-11-29
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2008-01-23
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G03F7/30
- 本发明的显影废液的处理方法其特征在于测定包含氢氧化四烷基铵水溶液的显影废液中的四烷基铵(TAA)浓度和金属杂质的含量,根据测定的单位TAA的金属杂质的含量,选择精制处理上述显影废液,再生用作上述显影液的氢氧化TAA水溶液的步骤,废弃处理上述显影废液的步骤,或者使用作为显影液未使用的氢氧化TAA水溶液进行稀释后,精制处理稀释的显影废液,再生用作上述显影液的氢氧化TAA水溶液的步骤,各步骤选择的基准设定为单位TAA根据该方法,可以长期稳定地精制处理由光致抗蚀剂显影步骤排出的包含氢氧化TAA的显影废液,结果能再生在要求高精度的光致抗蚀剂显影步骤中也可作为显影液循环利用的高纯度的氢氧化TAA水溶液。
- 显影废液处理方法
- [发明专利]一种制造晶硅太阳能电池的刻蚀清洗工艺-CN201511019411.6在审
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蒋建宝;李科伟
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无锡赛晶太阳能有限公司
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2015-12-30
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2016-04-13
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H01L31/18
- 本发明公开一种制造晶硅太阳能电池的刻蚀清洗工艺,其包括如下步骤:用8-10%的HF酸,通过滚轮带液的方式,将扩散后硅片非扩散面和边缘的磷硅玻璃去除;在可加热的不锈钢槽中,用5-30%的四甲基氢氧化铵,70-80℃下,腐蚀150-300s,利用四甲基氢氧化铵与硅反应但不与二氧化硅反应的特性,用四甲基氢氧化铵对非扩散面和边缘进行腐蚀,去除PN结,达到刻蚀PN结同时抛光的效果;纯水溢流的方式对硅片表面残留的四甲基氢氧化铵进行稀释,时间10-50s,对硅片进行降温;在PVDF材质的槽中,用15%左右的盐酸,常温下,对四甲基氢氧化铵进行中和,时间50s;在PVDF材质的槽中,用10-20%的HF酸,常温下,去除硅片扩散面的磷硅玻璃
- 一种制造太阳能电池刻蚀清洗工艺
- [发明专利]正胶显影液制备方法-CN201410574835.8有效
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朱祥龙
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江阴市化学试剂厂有限公司
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2014-10-25
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2019-02-22
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G03F7/32
- 本发明涉及一种正胶显影液制备方法,其特征在于,所述方法是将四甲基氢氧化铵输送至配置罐中,向配置罐通入纯水,对四甲基氢氧化铵进行稀释,在配置罐中按照2.5~3:0.5~1.2:0.5~1.2的质量比例通入聚乙二醇、水洗后的氨气以及氢氧化钾,所述聚乙二醇、水洗后的氨气以及氢氧化钾的通入总量为0.1%~0.3%,使得最终四甲基氢氧化铵的浓度为2.37%~2.39%,经过滤得成品。本发明正胶显影液制备方法生产出的正胶显影液具有低表面张力,可避免与二氧化碳反应,产品表面无斑点。
- 显影液制备方法
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