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[发明专利]用于钨和钛的化学机械平坦化的研磨剂和组合物-CN200510062471.6无效
发明人： B·L·穆勒;C·余 -专利权人： CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司
申请日： 2005-03-28 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明提供了制造用于抛光半导体晶片上的钨和钛的气相法氧化硅的方法。该方法包括提供预定体积的水和提供预定浓度的气相法氧化硅的过程，其中该气相法氧化硅的浓度至少为该体积的水的35wt％。此外，本发明提供了向该体积的水中混入酸以便将水酸化，其中酸的浓度是气相法氧化硅浓度的0.0010至0.5wt％，然后将气相法氧化硅分散到酸化水中的过程。此外，本发明提供了稀释该气相法氧化硅的浓度，其中该水具有1至7的pH和收集该气相法氧化硅。
用于化学机械平坦研磨剂组合

[发明专利]一种含气相法白炭黑的橡胶填料制备方法-CN200810029378.9无效
发明人：王跃林;段先健;刘莉 -专利权人：广州吉必盛科技实业有限公司
申请日： 2008-07-10 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： C08K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种含气相法白炭黑的橡胶填料制备方法，该方法包含下面两个步骤，用硅烷偶联剂与气相法白炭黑反应，对气相法白炭黑对进行表面处理；把表面处理后的气相法白炭黑再与橡胶增塑剂、橡胶加工助剂混合。经过处理后的气相法白炭黑的堆积密度大大提高，又克服了在混炼过程中的粉尘飞扬，同时气相法白碳黑在橡胶中的分散性以及与橡胶的相互作用也得到提高，可获得高性能橡胶材料。
一种含气相法白炭黑橡胶填料制备方法

[实用新型]一种聚氯化丙烯反应器的静电消除装置-CN201820164083.1有效
发明人：李博召 -专利权人：天津市鸿泰鑫金属制品有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H05F1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种聚氯化丙烯反应器的静电消除装置，包括水箱、气相法流化床反应器和乙醇箱，所述水箱和气相法流化床反应器之间设置有水管进行连接，水管上位于气相法流化床反应器的部分上均匀设置有第一雾化喷嘴，水管上由水箱至气相法流化床反应器的方向上依次安装有第一流量计和第一电磁阀，所述气相法流化床反应器和乙醇箱之间设置有乙醇管道进行连接，乙醇管道上位于气相法流化床反应器的部分上均匀设置有第二雾化喷嘴，乙醇管道上由乙醇箱至气相法流化床反应器的方向上依次安装有第二流量计和第二电磁阀，所述气相法流化床反应器正表面上安装有显示屏，显示屏上安装有控制器。
气相法流化床反应器乙醇箱水箱乙醇流量计水管静电消除装置本实用新型丙烯反应器均匀设置雾化喷嘴氯化显示屏流化床反应器第一电磁阀数字化显示控制器电磁阀正表面

[发明专利]催化气相氧化法-CN03804865.5有效
发明人：坂仓康之;矢田修平;神野公克;保坂浩亲;铃木芳郎 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2003-03-11 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： C07C27/14 文献下载
摘要：本发明提供一种使用列管式反应器，采用催化气相氧化法，由丙烯或异丁烯生产(甲基)丙烯酸时，防止失控反应或催化剂的早期失活，长期稳定地高收率地进行生产的催化气相氧化法。其特征是，在向列管式反应器的壳体内，安装填充了催化剂的多根反应管和把导入该壳体内的载热体流动方向加以转换的多块挡板的列管式反应器的反应管内，导入原料气进行氧化的催化气相氧化法中，沿反应管轴向测量至少与一块挡板不相连接的反应管内多个点的催化剂温度
催化氧化

[发明专利]一种化学气相沉淀法石墨烯接枝改性的方法-CN201511016490.5在审
发明人：靳玲;刘太闯;罗正汤;王艳秋 -专利权人：徐州工业职业技术学院
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学气相沉淀法石墨烯接枝改性的方法，各原料及其用量为：附着化学气相沉淀法石墨烯的硅片1片，化学气相沉淀法石墨烯为单层，其面积为0.4‑0.8cm²，厚度为0.3‑0.7nm；催化剂50‑150mg；反应物20‑80mg；按如下方法制备：将附着化学气相沉淀法石墨烯的硅片置于丙酮溶剂中，将反应物和催化剂，依次溶解于丙酮溶剂中，利用磁力搅拌，常温下，反应6‑24小时，制得接枝改性的化学气相沉淀法石墨烯本发明得到的接枝改性的化学气相沉淀法石墨烯产物可进一步开发应用于太阳能电池、传感器方面、纳米电子学、高性能纳电子器件、复合材料、场发射材料、气体传感器及能量存储等领域。
一种化学沉淀石墨接枝改性方法

[发明专利]表面改性、结构改性的气相法二氧化硅-CN200780038140.6无效
发明人： M·肖尔茨;J·迈尔 -专利权人：赢创德固赛有限责任公司
申请日： 2007-09-11 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： C09C1/30 文献下载
摘要：本发明涉及表面改性、结构改性的气相法二氧化硅。所述表面改性、结构改性的气相法二氧化硅用含氮的硅化合物进行表面改性。所述表面改性、结构改性的气相法二氧化硅可作为填料用于树脂和粘合剂中。
表面改性结构气相法二氧化硅

[发明专利]一种厚氧化薄膜的制作方法-CN201110267088.X无效
发明人：成鑫华;陈立鸣;李琳松;姚嫦娲 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种厚氧化薄膜的制作方法，该厚氧化薄膜的厚度为4-7微米，该方法包括如下步骤：第一步，采用亚常压化学气相沉积法和等离子辅助化学气相沉积法交替沉积氧化薄膜；第二步，退火处理。本发明通过用亚常压化学气相沉积法和等离子辅助化学气相沉积法的交替沉积，并辅助以退火处理调节两种膜质的刻蚀速率，实现了厚氧化膜的制作和满足器件要求的刻蚀形貌。
一种氧化薄膜制作方法

[实用新型]膜法去离子水加氨装置-CN201120274556.1有效
发明人：刘华兵;钱志刚;王军;杨利红;李娜;袁建平 -专利权人：深圳市超纯环保股份有限公司
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： C02F1/66 文献下载
摘要：一种膜法去离子水加氨装置，用于将加氨管中的氨气加入输水管中，所述膜法去离子水加氨装置包括与加氨管相连接的第一气相膜、与输水管并联连接的第二气相膜，和第三气相膜，第三气相膜与第一气相膜通过管道相连构成液相回路，第三气相膜与第二气相膜通过管道相连构成气相回路，气相回路上还设有用于补充载气的载气补气管。此膜法去离子水加氨装置充分利用第一气相膜的气液分离功能，将加氨管中的氨气溶解到液相回路中的饱和氨水溶液，再通过第三气相膜的气液分离功能将饱和氨水溶液中的氨气提取出来，输送到气相回路中，经过载气的稀释后，最后通过第二气相膜形成低浓度的氨水溶液进入到输水管中，控制精度高，可实现PPM至PPB级的浓度调节。
膜法去离子水装置

[实用新型]气相氧化法挥发性气体和PM2.5处理系统-CN201320877253.8有效
发明人：孙金魁;孙怿 -专利权人：孙金魁
申请日： 2013-12-29 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： B01D53/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种气相氧化法挥发性气体和PM2.5处理系统，所述气相氧化法挥发性气体处理系统包括气相氧化法处理装置、水幕帘塔和干燥塔；所述气相氧化法处理装置通过管道与水幕帘塔、干燥塔依次相连接；所述气相氧化法挥发性气体和PM2.5处理系统还包括涂装房；所述气相氧化法处理装置的出气口通过连接管道与水幕帘塔的进气口相连接，所述水幕帘塔的出气口通过连接管道与干燥塔的进气口相连接；所述干燥塔的出气口与涂装房的进气口相连接。
氧化挥发性气体 pm2 处理系统

[发明专利]三族金属氮化物元件的制造方法-CN01109034.0无效
发明人：曾坚信;蔡文忠;陈聪育 -专利权人：连威磊晶科技股份有限公司
申请日： 2001-02-27 - 公布日： 2002-10-02 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明利用卤化物气相磊晶法、分子束磊晶法或有机金属化学气相沉积法在氧化铝基板上成长一层三族金属氮化物缓冲层,厚度在0.5μm以上,再用卤化物气相磊晶法或有机金属气相沉积法在缓冲层上成长一层三族金属氮化物厚磊晶层
金属氮化物元件制造方法

[发明专利]有机金属化学气相沉积法的废气回收再生方法-CN201210528111.0无效
发明人：古明见 -专利权人：古明见
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： B01D53/14 文献下载
摘要：本发明涉及有机金属化学气相沉积法的废气回收再生方法，其步骤包括：将有机金属化学气相沉积法(MOCVD)所产生的废气导入至水中；将含有有机金属化学气相沉积法的废气的水降温，以保存于水中的氨气，去除杂质；以及将前述含有氨气的水进行升温使氨气逸出；借由上述方法，可将有机金属化学气相沉积法制程的废气去除氮气、氢气以及甲烷等杂质后回收生产成可用氨气，达到废气循环再使用的目的。
有机金属化学沉积废气回收再生方法

[发明专利]自剥离氮化镓衬底材料的制备方法-CN200610096225.7无效
发明人：邱凯;尹志军;李新化;钟飞;解新建;王玉琦 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2006-09-30 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：它包括分子束外延法或金属有机物气相外延法和氢或氯化物气相外延法，步骤为(a)使用分子束外延法或金属有机物气相外延法于蓝宝石衬底上生长氮化铝或氮化镓成核层，再使用氢或氯化物气相外延法于其上生长氮化镓外延层；(b)将覆有氮化铝或氮化镓成核层和氮化镓外延层的蓝宝石衬底的温度在时间≤20min降至≤200℃，待氮化镓外延层与蓝宝石衬底分离后，再分别在低于常压和常压下于氮化镓外延层上使用氢或氯化物气相外延法依次各生长一层氮化镓外延层
剥离氮化衬底材料制备方法

[实用新型]一种气相法白炭黑生产用输送设备-CN202020209106.3有效
发明人：刘国晶;谭军;陈珍;杨晓义;范建平;徐慧芬;孙飞;王德球;范佳延;刘晶雅 -专利权人：浙江富士特硅材料有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： B65G47/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种气相法白炭黑生产用输送设备，包括底架和风扇，所述底架的上方安装有传送带，且传送带上方的前后两端均安装有分散机构，所述分散机构远离传送带的水平中心线的一侧安装有连接板，且连接板远离分散机构的一侧安装有导向滑槽该气相法白炭黑生产用输送设备设置有分散插板，通过分散插板能够有效的将气相法白炭黑分散处理，使得气相法白炭黑能够得到均匀的分散，能够有效的避免气相法白炭黑堆积，以及能够有效的增大气相法白炭黑与空气之间的接触面积
一种气相法白炭黑生产输送设备

[发明专利]一种单层二硫化钼的制备方法-CN201611027687.3在审
发明人：何大伟;董艳芳;何家琪;赵思淇;王永生 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2016-11-17 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C23C16/453 文献下载
摘要：目前制备单层二硫化钼的方法包括微机械剥离法、液相超声剥离法、锂离子插层法、激光法和退火逐层变薄法、化学气相沉积法。化学气相沉积法制备的二硫化钼尺寸大、表面均匀且层数可控。采用化学气相沉积法制备二硫化钼时，二硫化钼容易在衬底上的杂质或划痕等缺陷处成核生长。基于上述问题，本发明的目的在于提供一种制备单层二硫化钼的简化的化学气相沉积法，能够制备出高质量的单层二硫化钼，同时不需要使用丙酮、食人鱼溶液等有毒危险药品清洗衬底，避免了潜在的危险。
一种单层二硫化钼制备方法

[发明专利]实现对称结构硅基二氧化硅应力光波导偏振不灵敏的方法-CN03147558.2无效
发明人：安俊明;李健;郜定山;夏君磊;李建光;王红杰;胡雄伟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2003-07-22 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：一种用于实现具有对称结构的硅基二氧化硅应力光波导偏振不灵敏的方法，包括如下步骤：(1)在硅衬底上用热氧化法、火焰水解法或等离子增强化学气相沉积法形成二氧化硅下包层；(2)用等离子增强化学气相沉积法生长可调整波导双折射系数的高折射率SiON补偿层；(3)在波导中心用反应离子刻蚀法对称刻蚀掉其中一半；(4)火焰水解法或等离子增强化学气相沉积法生长芯层；(5)进行抛光处理；(6)用反应离子刻蚀法刻蚀芯层，形成条状对称结构的光波导层；(7)火焰水解法或等离子增强化学气相沉积法生长上包层，整个对称结构的硅基二氧化硅偏振不灵敏应力光波导制备完毕。
实现对称结构二氧化硅应力波导偏振不灵敏方法

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