专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]气体阻隔层叠-CN201080034077.0有效
  • 高津洋二;津曲祐美;大川刚;森原芳治;松田修成 - 东洋纺织株式会社
  • 2010-07-27 - 2012-05-30 - B32B27/28
  • 本发明提供即使在蒸煮袋处理后,气体阻隔的下降也小、不发生层间剥离的气体阻隔层叠。本发明的气体阻隔层叠,在塑料的至少一个表面借助或不借助其他层依次层叠无机薄膜层和气体阻隔树脂组合物层,上述气体阻隔树脂组合物层由气体阻隔树脂组合物形成,该气体阻隔树脂组合物含有包含乙烯-乙烯醇系共聚物的气体阻隔树脂和无机层状化合物和添加剂,该气体阻隔树脂组合物中的无机层状化合物的含量为0.1质量%~9.0质量%,并且上述添加剂为偶联剂和/或交联剂,上述气体阻隔树脂组合物层的厚度为0.05μm~0.5μm。
  • 气体阻隔层叠
  • [发明专利]层叠体及包含其的器件-CN201780070736.8有效
  • 伊藤丰;山下恭弘 - 住友化学株式会社
  • 2017-11-17 - 2021-04-13 - B32B9/00
  • 气体阻隔与粘合剂层层叠而成的层叠的最外层具有剥离的层叠体中,在将粘合剂层侧的剥离剥离时,粘合剂层侧的相反侧的剥离会发生剥离,或者产生气泡,或者发生气体阻隔的断裂。本发明提供一种层叠体,其具有气体阻隔、位于该气体阻隔的一个表面的粘合剂层、位于该气体阻隔的另一个表面的剥离1、和位于该粘合剂层的与气体阻隔侧呈相反侧的表面的剥离2,前述气体阻隔具有至少包含挠基材的基材层
  • 层叠包含器件
  • [发明专利]气体阻隔-CN201480057575.5在审
  • 新真琴;铃木一生 - 柯尼卡美能达株式会社
  • 2014-10-23 - 2016-06-08 - B32B9/00
  • 本发明的目的在于提供气体阻隔能优异、构成气体阻隔的层彼此的密合提高、进而即使将气体阻隔弯曲也抑制气体阻隔能的下降的气体阻隔。本发明涉及气体阻隔,其依次包含:基材;通过等离子体化学气相生长法形成、含有硅、氧及碳的第1层;和将涂布含有聚硅氮烷的液体而形成的涂进行改性处理所得到的第2层,构成上述第1层的最表面的粒子的平均粒径为
  • 气体阻隔
  • [发明专利]气体阻隔-CN201280042577.8有效
  • 上林浩行;吉田实 - 东丽株式会社
  • 2012-09-04 - 2014-04-30 - B32B9/00
  • 本发明的目的是提供一种高气体阻隔、并且气体阻隔的反复再现优异的气体阻隔。本发明的气体阻隔,其特征在于,是在高分子基材的至少一面依次配置有3个无机化合物层即[A]层、[B]层、[C]层的气体阻隔,所述[B]层的厚度为0.2~20nm,且密度比[A]层和[C]层的任何一个的密度都高
  • 气体阻隔
  • [实用新型]气体阻隔层叠和波长变换片-CN201621233309.6有效
  • 村田光司;正田亮 - 凸版印刷株式会社
  • 2016-11-17 - 2017-06-16 - G02F1/13357
  • 本实用新型提供气体阻隔层叠和波长变换片。上述气体阻隔层叠具有第1阻隔膜,该第1阻隔膜具有第1基材、第1无机薄膜层和第1气体阻隔被覆层;以及第2阻隔膜,该第2阻隔膜具有第2基材、第2无机薄膜层和第2气体阻隔被覆层,其中,第1阻隔膜和第2阻隔膜处于以第1气体阻隔被覆层与第2气体阻隔被覆层相对置的方式经由粘接层层叠而成的状态,第1无机薄膜层与第2无机薄膜层之间的距离为1.0μm以上。
  • 气体阻隔层叠波长变换
  • [发明专利]气体阻隔及使用其的电子设备、及两者的制造方法-CN201580016562.8有效
  • 小渊礼子 - 柯尼卡美能达株式会社
  • 2015-03-31 - 2019-09-20 - B32B9/00
  • 本发明涉及气体阻隔及其制造方法、以及使用其的电子设备及其制造方法。本发明的目的在于提供可使将保护(50)除去后的残存粘合剂的除去工序简化的气体阻隔气体阻隔,是具有基材(55)、在基材(55)的一面上配置了的气体阻隔层(52)、和在气体阻隔层(52)上经由粘合层(51)而配置了的保护(50)的气体阻隔(201),其特征在于,气体阻隔层(52)通过对在基材(55)上涂布含有聚硅氮烷的涂布液、使其干燥而得到的涂照射活性能量线进行改性处理来形成,在将保护(55)剥离的状态下所测定的气体阻隔层(52)的最表层部的元素存在比C/Si为1.5以下
  • 气体阻隔及其制造方法以及使用电子设备
  • [发明专利]气体阻隔的制造方法、气体阻隔和电子设备-CN201380054591.4有效
  • 江连秀敏 - 柯尼卡美能达株式会社
  • 2013-10-11 - 2015-06-24 - B32B9/00
  • 本发明的课题在于提供即便在高温高湿的使用环境下也能够维持优异的气体阻隔、且挠(弯曲)和密合优异的气体阻隔的制造方法以及气体阻隔和使用其的电子设备元件。本发明的气体阻隔的制造方法是在树脂基材的一个面上具备含有碳原子、硅原子和氧原子的气体阻隔层并在该树脂基材的与具有气体阻隔层的面相反的一侧的面上具有导电层的气体阻隔的制造方法,其特征在于,上述气体阻隔层是使用含有有机硅化合物的原料气体和氧气并利用在施加了磁场的辊间具有放电空间的放电等离子体化学气相生长法而形成的
  • 气体阻隔制造方法电子设备
  • [发明专利]气体阻隔-CN201680067287.7有效
  • 门马千明;铃木一生 - 柯尼卡美能达株式会社
  • 2016-10-03 - 2020-04-07 - B32B9/00
  • 本发明的课题在于提供一种气体阻隔优异且即便在高温高湿下耐弯曲也高的气体阻隔。本发明的气体阻隔的特征在于,在基膜上具备气体阻隔层,上述气体阻隔层含有Si原子、O原子和C原子,基于在上述气体阻隔层的从与上述基膜相反的一侧的表面到上述基膜侧的表面为止的层厚方向的0~100%的位置利用
  • 气体阻隔
  • [发明专利]气体阻隔-CN201480006796.X在审
  • 伊东宏明 - 柯尼卡美能达株式会社
  • 2014-01-31 - 2015-10-07 - B32B9/00
  • 本发明提供保存稳定性、尤其在苛刻条件(高温高湿条件)下的保存稳定性优异的气体阻隔。本发明的气体阻隔依次包含基材、第1阻隔层和第2阻隔层,该第1阻隔层含有无机化合物,该第2阻隔层至少含有硅原子和氧原子,且氧原子相对于硅原子的存在比(O/Si)为1.4~2.2,氮原子相对于硅原子的存在比
  • 气体阻隔

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