专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果1291356个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种预测斜磨刀水波纹的方法-CN202310124320.7在审
  • 崔慧军;董文卜;郭文静 - 宝钢德盛不锈钢有限公司
  • 2023-02-16 - 2023-04-25 - G01N21/84
  • 本发明提供一种预测斜磨刀水波纹的方法,通过在原料钢的板宽中心位置沿原料钢长度方向对其进行截断和酸腐蚀处理;再沿原料钢厚度方向将截面三等分形成一中间区域和两侧边部区域,并测量各区域一碳化物直径、测量各区域一碳化物与距其最近一侧原料钢厚度边沿的宽度距离以及原料钢厚度,并计算所述宽度距离与原料钢厚度的比值;满足①中间区域中一碳化物直径≥5μm且中间区域中至少一个一碳化物的位置满足:a/w<0.4,或②两侧边部区域中一碳化物直径≥3μm且两侧边部区域中至少一个一碳化物的位置满足
  • 一种预测磨刀水波方法
  • [发明专利]碳‑硅复合材料及其制备方法-CN201510389184.X有效
  • 郑圣虎;金尧燮;郑恩惠;河正贤 - OCI有限公司
  • 2015-07-03 - 2018-04-17 - H01M4/36
  • 本文公开了制备碳‑硅复合材料的方法,包括(a)制备包含硅浆液、单体和交联剂的硅‑聚合物基质浆液;(b)对所述硅‑聚合物基质浆液进行热处理以制备硅‑聚合物碳化基质;(c)将所述硅‑聚合物碳化基质粉碎以制备硅‑聚合物碳化颗粒;和(d)将所述硅‑聚合物碳化颗粒与第一碳原料混合,和接着进行碳化过程;所述碳‑硅复合材料,通过施加所述碳‑硅复合材料制备的用于二电池的阳极,和包含所述用于二电池的阳极的二电池。
  • 复合材料及其制备方法
  • [发明专利]一种铸造TiAl合金中碳化物的细化方法-CN202211132122.7在审
  • 梁永锋;曹俊;林均品;孙铁龙;郭志超;杨刚;丁贤飞 - 北京科技大学
  • 2022-09-16 - 2023-06-16 - C22F1/18
  • 本发明属于TiAl合金的热处理领域,具体涉及一种铸造TiAl合金中碳化物的细化方法。该铸造TiAl合金中碳化物的细化方法包括以下步骤:(1)将铸态TiAl合金进行高温回溶处理;所述高温回溶处理的温度为1350~1500℃,炉冷,得到回溶态TiAl合金;(2)将回溶态TiAl合金进行中温循环退火,所述中温循环退火是循环进行中温退火处理1~10;所述中温退火处理的温度为1000~1300℃,炉冷或空冷。经本发明处理后该铸造合金中微米级的一粗大碳化物被细化为高密度的纳米级二碳化物,碳化物的尺寸可减小94%,且二碳化物为热力学更稳定存在的Ti2AlC。
  • 一种铸造tial合金碳化物细化方法
  • [发明专利]生产碳化钨的方法-CN201410259652.7有效
  • 王耀武;彭建平;狄跃忠;尤晶;李应龙 - 东北大学
  • 2014-06-12 - 2014-09-10 - C01B31/34
  • 一种生产碳化钨的方法,属于材料冶金技术领域,按以下步骤进行:(1)将碳化钙粉末与钨酸钠粉末混合;(2)压制成团块;(3)将团块进行真空热还原反应,获得固体渣块和金属钠蒸汽;(4)将固体渣块磨细后与水混合、过滤、烘干制成粗料;(5)煅烧后磨细制成细料;(6)将细料进行一浮选或一重选;(7)盐酸浸出、过滤、水洗;(8)进行二浮选或二重选;(9)烘干去除水分,获得碳化钨。本发明的上述以钨酸钠为原料以碳化钙为还原剂制取碳化钨的方法同传统的碳化钨生产方法相比,可使生产工艺流程缩短一半,生产率获得大幅度提高,成本大幅度降低。
  • 生产碳化方法
  • [发明专利]一种碳化硅IGBT晶圆的制备工艺-CN202310024960.0在审
  • 严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴 - 浙江同芯祺科技有限公司
  • 2023-01-09 - 2023-05-02 - H01L21/331
  • 本发明涉及晶圆加工技术领域,具体的是一种碳化硅IGBT晶圆的制备工艺,所述制备工艺对晶圆进行四翻转,依照温度高低依次进行正面高温工艺、背面高温工艺、正面高温工艺、背面高温工艺、正面剩余工艺对碳化硅IGBT晶圆进行加工,第一翻转从正面高温工艺切换为背面高温工艺,第二翻转从背面高温工艺切换为正面高温工艺,第三翻转从正面高温工艺切换为背面高温工艺,第四翻转从背面高温工艺切换为正面,进行后续较低温度的加工工艺本发明制备工艺,加工过程稳定,按照温度高低进行加工,后续温度低于前序工艺,不会对已经制好的工艺造成影响,保证碳化硅IGBT晶圆的品质,提高碳化硅IGBT晶圆制备工艺的稳定性。
  • 一种碳化硅igbt制备工艺

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top