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[发明专利]晶体横向生长设备及晶体横向生长方法-CN201910003186.9在审
发明人：杨建春 -专利权人：无锡翌波晶体材料有限公司
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： C30B11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体横向生长设备及晶体横向生长方法，该晶体横向生长设备包括：炉体、第一保温层、第二保温层、高温区、发热体、导车和坩埚，炉体内设置有第一保温层和第二保温层，导车置于第一保温层和第二保温层之间该晶体横向生长方法包括以下步骤：将生长晶体所需的原料混合后填入坩埚中，然后将坩埚放入导车中，由导车将坩埚由低温区移入高温区；原料融化变成液体，达到最大的液化状态，再慢慢移出高温区，液体慢慢按所需的晶格进行排列组合固化本发明解决了晶体生长中底部压力过大，坩埚难以承受从而导致坩埚变形漏液的情况。
保温层坩埚晶体横向高温区生长设备生长发热体晶体生长排列组合液化状态原料混合低温区放入晶格漏液炉体填入移出移入固化变形融化体内

[发明专利]U型GaN层的生长方法、U型GaN层和半导体晶体管-CN201911357262.2在审
发明人：杨鑫;关永莉;米洪龙;吴小强;杨杰;申江涛;陕志芳;樊明明 -专利权人：山西飞虹微纳米光电科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种U型GaN层的生长方法、U型GaN层和半导体晶体管，属于半导体生产领域。包括：S1，采用GaN材料在衬底上纵向生长，得到初始U型GaN层；S2，在初始U型GaN层上由3D纵向生长向2D横向生长过渡，得到U型GaN过渡层；S3，在U型GaN过渡层上横向生长；S4，在S3得到的U型GaN层上继续横向生长，使生长得到的U型GaN层的表面平整。本发明通过在纵向生长与横向生长之间增加由3D纵向生长向2D横向生长过渡的阶段，使得由纵向生长到横向生长是慢慢过渡的，并通过调整生长过程中MOCVD设备的各项参数，提高了晶体质量、位错密度及内量子效率，使得生长得到的
gan 生长方法半导体晶体管

[发明专利]牛大力根系横向生长方法-CN201810414260.1在审
发明人：伍家豪;梁秀芳 -专利权人：梁秀芳
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： A01G22/25 文献下载
摘要：本发明公开了牛大力根系横向生长方法，不直接点播或幼苗垂直移植，先育苗12个月至18个月待幼苗根系初步形成再移植，移植幼苗的根系全部横向辐射状摆放在12cm深的营养土中，硬底层阻止根系向下生长，保水保肥的耕作层促进根系横向生长，15cm内的耕作层地温高，促进根系生长膨大，提高产量、品质和产值。
根系横向生长耕作层牛大力移植幼苗保水保肥根系生长横向辐射向下生长幼苗根系营养土硬底层膨大点播育苗垂直

[发明专利]用横向生长制备氮化镓层-CN99813628.X无效
发明人： K·J·林斯库姆;T·格尔克;D·B·汤姆森;E·P·卡尔森;P·拉雅戈帕尔;R·F·达维斯 -专利权人：北卡罗莱纳州立大学
申请日： 1999-11-23 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：柱的侧壁被横向生长进入沟槽，从而形成氮化镓半导体层(108a)。在这一横向生长期间，掩模阻挡从柱顶的成核和垂直生长。因此，横向地生长进入沟槽，悬挂在柱的侧壁。柱的侧壁可横向生长进入沟槽，直至横向生长的侧壁在沟槽中接合，从而形成氮化镓半导体层。柱的侧壁横向生长可继续进行，致使氮化镓层垂直地生长穿过掩模中的窗口，并横向过生长到柱顶的掩模上，从而形成氮化镓半导体层(108b)。横向过生长能继续进行，直到生长的侧壁在掩模上接合，从而形成连续的氮化镓半导体层。在连续的氮化镓半导体层中可以制作微电子器件(110)。
横向生长制备氮化

[发明专利]金刚石同质外延横向生长方法-CN201510023907.4在审
发明人：王宏兴;李硕业;王玮;张景文;卜忍安;侯洵 -专利权人：王宏兴
申请日： 2015-01-17 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石同质外延横向生长方法，包括步骤一、在单晶金刚石衬底表面沉积掩膜层；步骤二、在衬底沉积有掩膜层的表面进行图形化处理，形成图形化表面的衬底，该图形化衬底表面被分为同质外延生长区域和横向生长区域；步骤三、在同质外延生长区域进行金刚石同质外延生长，并在横向生长区域进行的金刚石横向生长。结合横向生长方法，对于现有的单晶金刚石同质外延生长技术进行改进，能够有效的生长出位错密度低、质量高、表面光滑的单晶金刚石薄膜，降低了外延生长电子器件级单晶金刚石薄膜的难度，提高了薄膜质量；同时该技术可以用于单晶金刚石薄膜生长结构的控制
金刚石同质外延横向生长方法

[发明专利]一种高效能LED植物生长灯-CN201710704574.0有效
发明人：王俊华 -专利权人：广东聚科照明股份有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： F21S8/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效能LED植物生长灯，包括种植容器，种植容器中竖立有LED光照柱，LED光照柱设置有第一横向照明模块和第二横向照明模块，第二横向照明模块设置于第一横向照明模块的上方。本发明的LED光照柱设置有用于发出促进植物生长的波长光的第一横向照明模块和用于发出抑制植物生长的波长光的第二横向照明模块，第二横向照明模块设置于第一横向照明模块的上方，这样可以根据植物的高度发出不同的光，对过高的植物发出抑制生长的光，对过矮的植物发出促进生长的光，由于光时从侧面发出，因此促进生长的光不会被过高植物挡住，不仅提高了光的有效效能，而且便于对植物的生长进行调节。
横向照明光照促进生长模块设置种植容器波长光抑制生长有效效能高效能挡住竖立侧面生长

[实用新型]一种高效能LED植物生长灯-CN201721028467.2有效
发明人：王俊华 -专利权人：广东聚科照明股份有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： F21S8/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效能LED植物生长灯，包括种植容器，种植容器中竖立有LED光照柱，LED光照柱设置有第一横向照明模块和第二横向照明模块，第二横向照明模块设置于第一横向照明模块的上方。本实用新型的LED光照柱设置有用于发出促进植物生长的波长光的第一横向照明模块和用于发出抑制植物生长的波长光的第二横向照明模块，第二横向照明模块设置于第一横向照明模块的上方，这样可以根据植物的高度发出不同的光，对过高的植物发出抑制生长的光，对过矮的植物发出促进生长的光，由于光时从侧面发出，因此促进生长的光不会被过高植物挡住，不仅提高了光的有效效能，而且便于对植物的生长进行调节。
一种高效能 led 植物生长

[发明专利]结晶膜、包含结晶膜的半导体装置以及结晶膜的制造方法-CN202080059351.3在审
发明人：河原克明;大岛祐一;冲川满 -专利权人：株式会社FLOSFIA;国立研究开发法人物质·材料研究机构
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：一种结晶膜，其包含结晶性金属氧化物为主成分，且具有刚玉结构，通过第一横向晶体生长在基板上形成第一横向晶体生长层，并在所述第一横向晶体生长层上配置掩模，进而通过第二横向晶体生长形成第二横向晶体生长层，从而得到位错密度为
结晶包含半导体装置以及制造方法

[发明专利]氮化镓基紫外光发光二极管及其制造方法-CN201010297408.1有效
发明人：洪梓健;沈佳辉 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种氮化镓基紫外光发光二极管，包括基板、缓冲层及半导体发光结构，基板上形成若干阵列分布的凸起，相邻的凸起之间相互间隔形成一凹陷，基板于每一凹陷的底部形成一底面，缓冲层形成于基板的每一凹陷的底面，还包括横向生长增强层，横向生长增强层覆盖于基板及缓冲层之上，半导体发光结构位于横向生长增强层上。与现有技术相比，上述氮化镓基紫外光发光二极管的横向生长增强层内掺杂杂质，杂质提高形成横向生长增强层时的横向生长速度，进而提高横向生长增强层的生长品质，从而有助于最终形成具有较佳品质的氮化镓基紫外光发光二极管
氮化紫外光发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种用于造林绿化的树木固定保护装置-CN202310571685.4在审
发明人：高宪瑞;宋军;邹永;李凡鹏;李萍 -专利权人：高宪瑞
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： A01G17/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于造林绿化的树木固定保护装置，涉及树木固定保护技术领域，包括，底板、限位杆和外壳，底板的上表面与限位杆的下表面相固定连接，限位杆的侧面通过贯穿外壳下表面的通孔与外壳相滑动连接，还包括抵爪，用于抵住树干，固定机构、横向生长机构和纵向生长机构，固定机构通过固定住树干，然后随着树木的横向生长而带动横向生长机构运动，横向生长机构运动带动纵向生长机构运转，提示机构，用于提示工作人员树木的生长情况，调节机构，调节机构铰接在外壳的下表面上，用于调节纵向生长机构纵向调节的速率，保护机构，用于保护树干，解决了现如今固定装置无法自适应树苗的横向生长和纵向生长的问题。
一种用于造林绿化树木固定保护装置

[发明专利]利用脉冲激光沉积技术制备复杂氧化物横向超晶格的方法-CN202310621767.5在审
发明人：朱银燕;沈健;朱志飞;高文萍;郭杭闻;周晓东;何攀;王文彬;殷立峰 -专利权人：上海期智研究院
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用脉冲激光沉积技术制备复杂氧化物横向超晶格的方法。其包括：衬底筛选阶段，探索氧化物材料生长速率阶段以及主体层生长阶段；衬底要求表面平整，台阶明显，且台阶宽度适中，探索氧化物材料生长速率阶段采用氧化物材料沿台阶横向生长的Step‑flow生长模式，同时调节每次生长一层的激光脉冲数确定氧化物的实际生长速率主体层生长阶段通过调节激光脉冲数来控制材料沿台阶横向外延生长的横向宽度，改变激光脉冲数即实现不同材料在同一层的组分配比而实现横向超晶格调控。本发明的横向超晶格样品的制备方法开拓了一种新的复杂氧化物薄膜界面调控的方法，并可推及到关联体系，为全氧化物自旋电子器件的研发奠定基础。
利用脉冲激光沉积技术制备复杂氧化物横向晶格方法

[发明专利]一种金属单晶横向晶体取向的控制方法-CN02132531.6有效
发明人：郑启;孙晓峰;侯桂臣;管恒荣;胡壮麒 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2002-07-04 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及金属单晶的制备技术，具体地说是一种金属单晶横向晶体取向的控制方法。在单晶炉中，设置有选晶器、起晶器，应用选晶法生长单晶铸件；其中：所述起晶器采用具有一对较长、相对平行对边的矩形或类矩形横截面，从而引入附加的定向横向热场，控制晶体生长过程中单晶横向晶体取向，运用常规熔模精铸方法造型，浇注液态金属，在单晶炉中生长单晶。本发明能在晶体生长过程中通过引入附加的定向横向热场，结合晶体生长择优取向的特征，控制单晶横向晶体取向。
一种金属横向晶体取向控制方法

[发明专利]一种用MBE横向生长纳米线的方法-CN202111636119.4在审
发明人：魏志鹏;唐吉龙;李科学;林逢源;贾慧民;张贺;王晓华;马晓辉 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：一种用MBE横向生长纳米线的方法。本发明涉及微纳光波导领域，公开了一种半导体纳米线光波导材料的制备方法。本发明提供的纳米线横向生长方法包括：衬底表面氧化层去除、衬底表面台阶制备、台阶衬底表面热氧化形成氧化层、台阶侧壁圆形窗口制备、台阶下低平面上沟槽制备、处理后的衬底表面清洗、处理后的衬底在分子束外延设备中横向生长纳米线本发明利用侧壁圆形窗口、低平面上沟槽结合金属液滴引导纳米线横向生长，有效解决现阶段制备纳米线的方法中无法实现纳米线横向生长的问题，获得晶体质量好的横向纳米线材料。
一种 mbe 横向生长纳米方法

[发明专利]氮化合物系半导体装置及其制造方法-CN200580005185.4无效
发明人：岛本敏孝;川口靖利;长谷川义晃;石桥明彦;木户口勋;横川俊哉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-11-15 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：基板构造物101的主面具有：作为氮化合物系半导体的纵向生长的晶种而起作用的至少1个纵向生长区域；及使在所述纵向生长区域上生长的氮化合物半导体的横向生长成为可能的多个横向生长区域。在设定由箭头A表示的纵向生长区域的尺寸的总和为∑X，该方向的多个横向生长区域的尺寸的总和为∑Y时，∑X/∑Y＞1.0的关系成立。
氮化合物系半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种智能水培系统-CN202011237880.6在审
发明人：郑凌然;徐沛佩;王艳;徐明铭 -专利权人：合肥创农生物科技有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： A01G31/06 文献下载
摘要：温度调节单元、控制单元、营养液供给单元、可升降地设置于水培室内顶部的光照单元、用于调节光照单元的高度的高度调节单元、用于获取光照单元的当前高度的高度测量单元和设置于水培室内底部的水培槽以及用于检测植物的横向生长状态的横向生长状态检测单元，水培槽包括槽体、滑动密封在槽体内的隔板和用于驱动隔板的动力单元，横向生长状态检测单元设置于所述隔板上，温度调节单元、控制单元、营养液供给单元、光照单元、高度调节单元、高度测量单元和横向生长状态的横向生长状态检测单元均与控制单元电连接本发明可在对植物潮汐灌溉的同时调节光照单元的高度，有效促进的植物生长。
一种智能水培系统

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